英特爾EUV已延期14年 估2021年前仍難以見到

外媒報導，英特爾 Intel (INTC-US) 已經落後於目標進度的工藝技術，上週再次受到打擊。

據 Bernstein 的電子工程師兼分析師 Mark Li 的說法，英特爾已將極紫外光刻技術 (EUV) 延遲至 2021 年推出。較競爭對手台積電 (2330-TW) 和三星 (005930-KR) 晚了數年之久。

據了解，因英特爾製程發展延宕的問題，已使得英特爾旗下 10 奈米產品線量產亦延遲，因新產線的工藝節點及安裝工具都需要花上數年時間，所以普遍會提前幾年制定每個節點的具體特性。

由於工藝技術的進步 (如降低的奈米數) 會提升效率，業界也都會將新技術設計在新節點上。對於 EUV 來說尤其如此，與標準的 193 奈米 ArF 光刻相比，EUV 需要非常不同的製造條件和公差值。

此外，英特爾是否能如期在 2021 年推出 EUV，也變成了一個問號。因英特爾最初早在 2000 年就計劃將於 2004 年推出 EUV 技術，然而 14 年之後，英特爾還是未能達成此一目標。

主要的代工廠 (包括直到上週的格芯 GlobalFoundries)，多年來一直在討論關於 EUV 的導入。台積電的第一個 7 奈米節點不使用 EUV，而是使用後來的 7 奈米強化版 (7FF+) 技術，7 奈米強化版 (7FF+) 也將在 2019 年初量產。

EUV 是否真的如此厲害？台積電公布的數據顯示，7FF (無 EUV) 相比，外媒《ExtremeTech》指出，7FF+ 可能只有些微的進步。

其實，EUV 的主要用途是提升良率、縮短製造時間、以及改善代工業務的成本結構，而不是產生顯著的性能改進。台積電也有可能計劃對節點進行逐步改進，以達到 EUV 以外的這些性能和功率目標。

外媒報導稱：

台積電承認，目前 EUV 工具光源的日均功率水平僅為 145 瓦，不足以滿足商業用途。有些工具可以承受幾週內的 250 瓦產量，而台積電計劃在今年晚些時候讓此數據達到 300 瓦耐度。然而，EUV 工具仍需要改進。

此外，還有一些問題需要解決，比如薄膜 (它們傳輸 83% 的 EUV 光線，預計明年將達到 90%)。因此，EUV 光刻技術的配套措施目前尚未準備好迎接量產，但有望於 2019 年至 2020 年實現。

上述的報告有違之前的預測，曾預計具有 200 瓦功率的工具最快可於 2009 年推出，但如今 2018 年卻還未備齊。

台積電和三星也強調他們的 EUV 計劃是首先在非關鍵領域逐步引入 EUV，而非完全馬上導入。

就如同 ASML 去年宣布在其 TWINSCAN NXB：3400 中達到了每小時 125 片晶圓的吞吐量時，該公司卻沒有提到實際用此設備製造了多少產品。

每一家致力於打造尖端產品的代工廠都在致力於 EUV，但沒有人可以證明已經完全擁有此技術的全貌。

IC Knowledge 總裁 Scotten Jones 指出，他預計 5 奈米晶圓代工廠目標的時間表非常緊張，且需要新的薄膜，因此，EUV 技術有望在 5 奈米時代真正的展開。