〈世界法說〉GaN製程進度符預期 明年下半年放量

晶圓代工廠世界先進 (5347-TW) 今 (3) 日召開法說，對於氮化鎵 (GaN) 製程進度，世界先進表示，第四季到明年 1 月將有不同客戶新品設計定案 (tape-out)，進度符合預期，最快明年下半年可望放量。

世界先進與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 矽基板廠 Qromis 攜手合作，開發可做到 8 英寸的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST。

世界先進全球業務及規劃副總經理陳姿鈞表示，今年底前可望完成所有客戶技術認證，第四季到明年上半年間，可望陸續有不同客戶產品設計定案，目前進度符合預期且正面看待。

陳姿鈞也說，最快要明年下半年 GaN 相關產品才會放量，營收貢獻初期估個位數占比。

GaN 屬於新材料，效能、可靠度等均需要長時間驗證，在 5G 高頻功率元件中，扮演重要角色，被看好未來將大量應用於車聯網、電動車、5G 基地台供電模組等領域，世界先進也因此積極佈局 GaN 製程。