〈觀察〉碳化矽8吋成本效益表現不佳 3年內難普及 

化合物半導體市場大幅成長，SiC 更被視為電動車、綠能等領域的關鍵要角，IDM 大廠等業者積極卡位並擴大產能，競相從主流 6 吋進入 8 吋市場，不過，國內指標廠漢磊認為，現階段 8 吋仍不符合成本效益，至少 3 年內很難取代 6 吋，6 吋仍具備一定競爭力。

目前全球 SiC 主流為 6 吋晶圓，年產能約 40-60 萬片，集邦預估 2025 年 6 吋 SiC 晶圓需求量將達 169 萬片，市場供給仍吃緊，國際大廠已搶先切入 8 吋晶圓市場，試圖擴大產能，意法半導體去年宣布量產 8 吋 SiC 晶圓，龍頭廠 Wolfspeed 8 吋廠也已開始投產，羅姆、Ⅱ-Ⅵ、英飛凌等業者也動作頻頻。

台廠目前進度仍停留在 4、6 吋，漢磊董事長徐建華認為，邁向 8 吋是長期必然趨勢，但短期問題在 8 吋成本效益，儘管產能可倍增，但 SiC 基板成本仍是問題，整體評估成本障礙還是大過產能增加效益。

徐建華說，過去 CMOS、矽製程進入 8 吋受惠晶圓尺寸、製程微縮，能顯著擴大產能，不過，對比電源產業 (包含 SiC 應用) ，製程微縮效益不大，但設備等成本卻會隨晶圓尺寸變大而大幅增加。

徐建華指出，以 4 吋到 6 吋來看，晶圓面積擴大 2.25 倍，成本價格增幅略低於此水準，加上 4 吋產能太低、設備太少，因而業者紛紛進展至 6 吋，但現在 8 吋成本 (基板) 是 6 吋 3 倍以上，而晶圓面積僅擴大 1.77 倍，只要成本無法收斂至 1.77 倍，便都不符合成本效益。

徐建華補充，進入 8 吋後還是有量產、良率問題，進一步使短期效益受限，至於 IDM 廠策略則有所不同，IDM 業者要為自家產品負責、有市占率等因素考量，因此有進入 8 吋的動機，願意吸收成本。

整體而言，徐建華認為，基板供給、成本目前仍是市場關鍵，目前基板占 SiC 晶片製造成本達 4-5 成，主因基板製程中大量長晶具有一定難度，IDM 業者已開始投資、建立基板廠來管控良率、量產能力，而漢磊也會積極布局多元供應鏈，鞏固基板供給。

SiC 晶片製造需經歷幾大階段，包含難度高的基板製造 (長晶、晶錠切割、拋光、修磨)、磊晶，以及晶圓設計、製造與封測，目前 SiC 這類化合物半導體市場主要由歐美 IDM 大廠所壟斷，包含 Wolfspeed、安森美、羅姆、意法半導體等。