美擬限制三星SK海力士在中國生產先進晶片

《韓聯社》和《路透社》週四 (23 日) 報導，美國可能限制三星電子、SK 海力士等韓企在中國生產的先進半導體水準，以免先進技術落入敵手。

拜登政府去年 10 月 7 日頒布對中國的晶片禁令，以此限制中國的相關技術及軍事實力，兩家公司取得為期一年的豁免期，獲准繼續在中國生產相關產品。

針對韓國半導體兩大巨頭豁免到期後的後續動作，負責工業和安全事務的美商務部副部長艾斯特偉斯 (Alan Estevez) 週四在華府智庫戰略與國際研究中心 (CSIS) 主辦的論壇中表示：「美方可能對韓企在中國的成長程度設限，那些公司會被要求停留於目前所處的堆疊層數，或其技術範圍內某水平。」

艾斯特偉斯強調：「我們處在技術驅動軍力的世界... 半導體是這些技術的核心，美方將與韓企進行深入對話，我們必須阻擋敵手 (中國) 的威脅，否則，威脅將指向我們。」

艾斯特偉斯稱：「美方將與韓企合作，以確保這不會傷害盟友的公司，與此同時，我們將一同限制中國構成威脅的能力。」

三星電子在中國陝西省設有生產 NAND 快閃記憶體晶片的工廠，三星當地 NAND 快閃記憶體廠的 40% 產量為中國市場。SK 海力士先前收購英特爾在大連的 NAND 快閃記憶體晶片製造業務，並在另一座中國工廠生產 DRAM 晶片，SK 海力士中國 DRAM 廠也有 40% 產能是當地銷售。

繼先前美國、日本和荷蘭聯手實施出口管制後，美國也希望與韓國聯手，力阻中國的崛起、重創長江存儲等中企，以及保護處於弱勢的美國記憶體晶片製造商。