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〈華邦電展望〉20奈米DRAM良率進展優預期 可望提前半年量產

鉅亨網記者林薏茹 台北 2023-05-01 13:10

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華邦電20奈米DRAM良率進展優預期。此為示意圖。(圖:REUTERS/TPG)

記憶體廠華邦電 (2344-TW)DRAM 新製程傳捷報,20 奈米良率遠優於預期,產能拉升速度也大幅超前預期半年,最快 7 月可望進入量產,華邦電為因應 20 奈米量產腳步接近,也將提高原規劃產能規模,高雄新廠年底前將從 1.4 萬片擴增至 1.5 萬片。

華邦電高雄路竹新廠去年底加入生產,目前以 25S 奈米製程投片,月產能約 1 萬片,預計下半年就會推進至 20 奈米;相較前一代 25S 製程,20 奈米可增加 40% 晶粒產出,可有效降低成本,也將導入生產 DDR4 產品。


華邦電原先預計,20 奈米今年底才可望量產,不過,在大數據應用協助下,大幅推進新製程開發進度,目前 20 奈米良率已遠優於原先預期,客戶小量導入中,將提前近半年進入量產。

為因應 20 奈米量產腳步,華邦電也正催促供應商交貨設備機台,將裝機時間由年底提前至第三季,並將年底產能目標由 1.4 萬片拉升至 1.5 萬片,屆時大部分產能將轉至 20 奈米製程。

華邦電去年資本支出 408 億元,今年預估 121 億元,大部分用於高雄廠建廠及提升製程品質、新製程研發等支出。除 20 奈米 DRAM 進度超前外,45 奈米 NOR Flash 開發進度也相當順利,年中將試產、下半年量產,明年營收貢獻可望大幅成長。

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