三星：晶圓製程技術目前落後台積電 但五年內會追上 

三星電子正積極追趕台積電的先進晶圓製程，高層周四 (4 日) 表示，雖然目前確實落後，但五年內將能追上。

Sammobile 引述韓媒報導，三星裝置解決方案主管事業部門主管慶桂顯 (Kye Hyun Kyung)，在南韓科學技術院 (KAIST) 的一場活動中說明三星如何追趕台積電。

他坦言，三星晶圓技術目前落後台積電，旗下 4 奈米製程約落後兩年，3 奈米約落後三年，但他相信，三星能憑著率先導入 3 奈米環繞式閘極 (Gate All Around, GAA) 製程的優勢，在五年內追上並取代台積電。

三星和台積電都生產 3 奈米半導體，名稱相同，但設計上完全不同，三星的 3 奈米採用 GAA 技術製造電晶體，台積電則是仰賴已獲證實的 FinFET。由於台積電據傳計劃 2 奈米開始導入 GAA，讓他相信是趁機趕上台積電的關鍵。

和台積現有製程相比，GAA 能讓三星生產的晶片小 45%，耗能減少 50%。根據慶桂顯的說法，客戶對三星 3 奈米 GAA 製程的「反應良好」。

有意思的是，慶桂顯還說，三星預期自家記憶體在人工智慧 (AI) 伺服器開發上將日益重要，有朝一日能超越輝達 (NVDA-US) 的繪圖晶片 (GPU) 地位。他表示，三星將確保，以記憶體為中心的超級電腦將能在 2028 年底以前問世。