imec使用ASML最新High-NA EUV 取得晶片製造突破

根據路透周三 (7 日) 報導，全球頂級半導體研發公司之一的比利時微電子研究中心 (imec) 宣布，其與艾司摩爾 (ASML)(ASML-US) 的聯合實驗室在電腦晶片製造方面取得多項突破。該實驗使用的是艾司摩爾最新的高數值孔徑極紫外光曝光機 (High-NA EUV)，該設備價值高達 3.5 億歐元 (3.82 億美元)。

imec 表示，透過艾司摩爾先進設備 High-NA EUV，已成功單次印刷出邏輯晶片和記憶體晶片的電路，其尺寸一樣小或小於目前商業生產中最先進的電路。

這一進展表明，領先的晶片製造商能夠按照計畫在未來幾年內使用艾司摩爾最新設備製造出更小、運算速度更快的晶片。

imec 執行長范登霍夫 (Luc Van den hove) 聲明表示：「High-NA EUV 對邏輯和記憶體技術的持續發展起到重要作用。」

imec 指出，晶片製造過程其餘部分所需的許多其他化學品和工具也在該次測試內，而且似乎適合商業生產。

艾司摩爾是電腦晶片製造商最大的設備供應商，這要歸功於其在光刻機 (一種利用光束幫助製造電路的大型機器) 方面的主導地位。

高數值孔徑極紫外光曝光機有步驟更少且能印刷出更小電路，應該能替晶片製造商節省資金，還能證明該設備昂貴的價格是合理的。

路透本周一曾報導，英特爾 (INTC-US) 將採購首批兩台高數值孔徑極紫外光曝光機，第三台預估將於今年晚些時候交付給替輝達 (NVDA-US) 和蘋果 (AAPL-US) 生產晶片的台積電 (2330-TW)(TSM-US)。

英特爾高層 Mark Philips 在一封電子郵件中向路透表示：「第二台機器能用來支持開發生產線所需的晶圓數量與實驗。」

此外三星電子、SK 海力士、美光 (MU-US) 等半導體企業也訂購高數值孔徑極紫外光曝光機。