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三星HBM卡關未解 美光市占短線吃紅利

鉅亨網編譯段智恆


根據《巴隆週刊》(Barron’s) 周二 (8 日) 報導,南韓三星電子 (Samsung Electronics) 最新一季營運預警引發市場震撼,但對美國記憶體大廠美光 (Micron Technology)(MU-US) 來說卻是利多消息。

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三星HBM卡關未解 美光市占短線吃紅利(圖:REUTERS/TPG)

三星預估今年第二季營業利益將年減 56%,降至約 4.6 兆韓元 (約合 33.4 億美元),遠低於 FactSet 彙整分析師預期的 6.36 兆韓元。主要原因在於其高頻寬記憶體 (HBM) 晶片的出貨進度落後,導致難以順利供貨給 AI 晶片龍頭輝達 (NVDA-US),在人工智慧 (AI) 記憶體競賽中落後給 SK 海力士與美光。


三星表示,HBM 產品正處於客戶評估與出貨階段,但未進一步說明其新一代 12 層 HBM3E 晶片何時能順利出貨給輝達。這樣的遲滯反而讓競爭對手美光受惠。

產業分析師 Richard Windsor 指出:「考量 AI 圖形處理器 (GPU) 需求之龐大與資本支出火熱,美光與 SK 海力士今年 (2025 年) 的 HBM 產能已幾乎全數售罄,而三星則仍處於落後局面。」

根據 TrendForce 資料,目前 HBM 市場由 SK 海力士領先,市占率逼近五成,三星次之。不過,美國銀行全球研究 (BofA Global Research) 預估美光有望在今年底前將市占率拉升至 20% 至 25% 區間,進一步鞏固其市場地位。

雖然三星正在研發下一代 HBM4 晶片,試圖捲土重來,但市場預期最快也要等到今年下半年才能通過輝達驗證。Windsor 指出:「三星若能順利讓 HBM4 晶片獲得輝達認證,才算真正解決問題。」

然而,美光仍須面對傳統記憶體市場的不確定性。雖然上月公布的財報表現優於市場預期,但其股價反應平淡,主要是市場擔憂 DRAM 與 NAND 晶片在個人電腦、手機與資料中心應用領域的需求仍顯疲弱。

儘管如此,美光股價周二股價仍上漲,顯示投資人對其 HBM 布局前景看好。
 



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