漢磊推SiC第4代MOSFET技術平台已通過測試 改善導通電組20%更有利接單

化合物半導體廠漢磊 (3707-TW) 今 (2) 日宣布，將推出碳化矽 (SiC) 第 4 代平面型 MOSFET G4 製程平台。漢磊總經理劉燦文表示，此新技術平台已通過客戶的完整可靠度測試，將晶片尺寸縮小與降低導通電組，使客戶能夠有效率地整合元件與效能，提供更小更低能耗更高功率密度的產品，以滿足業界高端市場技術的最新發展需求，也與國際 IDM(整合元件)大廠技術能力並進。

漢磊表示，漢磊科技正式對 SiC 客戶開放第 4 代平面型 MOSFET 平台，對比去 (2024) 年發表 G3 技術平台，第四代 G4 降低了元件面積約 20% 並改善導通電組 (Ronsp) 20%，持續滿足客戶對技術精進與更有效率的需求，並因應 AI 應用及未來興起潮流，期許公司與客戶創造利潤及雙贏。

劉燦文指出，新世代 G4 技術平台的性能已達國際大廠的技術水平，且能提供合作的設計公司更佳化的晶片效能與具競爭力的成本，漢磊深耕化合物半導體技術及量產已經長達 15 年，除了應用在最先進太陽能逆變器與儲能系統，進一步支援近日急速發展的 AI 高效能算力伺服器及相關電源供應管理，並應用在尖端電動車用模組等。

漢磊也期望，藉由新一代平台的推出，提供給客戶更前瞻性的產品，以更頂尖的電源設計滿足客戶與市場需求，期許成為專注化合物半導體代工業界的領導者。

劉燦文表示，今年上半年，短期終端需求仍面臨庫存調整壓力，預期下半年終端需求將逐步復甦。展望後市，公司樂觀看待化合物半導體發展，在節能減碳趨勢不變下，半導體綠能、電動車及未來 AI 伺服器的長期成長，必將擴大化合物半導體功率元件需求。