博盛研發中心啟用 搶AI伺服器MOSFET需求

博盛半導體 (7712-TW) 今 (17) 日舉辦研發中心啟用典禮，公司表示，研發中心機台投資約為新台幣 1 億元，大部分機台已陸續到位，可望藉由硬體提升，提升客戶相關技術服務需求，同時也推出兩款熱插拔 MOSFET，瞄準 AI 伺服器電源需求。

博盛研發中心占地約 600 坪，建築面積 916 坪，尚餘土地面積約 300 坪，可供公司日後發展使用，主要建築設施為一、二樓恆溫恆濕 RFID 系統管理的現代化倉儲，以保障產品儲藏環境及增進出貨效率，三樓為研發測試之各種所需之機台與儀器，室內約 120 坪，並內建無塵室。

博盛此次也推出新一代熱插拔 MOSFETs (Hot-Swap MOS)，可望強化公司在 AI 伺服器的布局。公司指出，隨著 AI 運算需求的急速攀升，伺服器電源系統對安全性與可維護性的要求同步提高，新產品具備低導通電阻 (Extreme Low RDSon)、高瞬態耐壓與高速開關特性，可支援 48V 伺服器電源架構，並整合 SOA (Safe Operation Area) 強化設計以確保在突波與短路狀況下仍能穩定運作。

博盛補充，Hot-Swap MOS 是一種專為支援「電源熱插拔」(Hot-Swap) 功能所設計的功率開關元件，允許系統在不關機的狀態下插拔或更換電路模組。它能在插拔瞬間承受巨大浪湧電流、避免母線電壓遽降，並保護下游負載及電源模組不受衝擊損壞。此特性對 AI 伺服器與資料中心而言尤為關鍵，能大幅提升系統維修效率與運行穩定度。

該系列 Hot-Swap MOS 採用公司自有優化製程與精密封裝設計，在導通電阻、熱穩定性與安全操作區域 (SOA) 表現上均達國際一線水準，可媲美歐美及日本 IDM 大廠同級產品，並為台灣同類型產品之絕對先驅者。

博盛也預期，公司將持續投入 GaN/SiC 與先進 MOS 製程技術的研發，推動更高效率、更高可靠度的電源解決方案，協助全球客戶加速邁向智慧能源時代。