AI驅動記憶體晶片超級週期來臨！三星、SK海力士DRAM與HBM業績大幅增長

摩根士丹利研報指出，受人工智慧（AI）需求驅動，記憶體晶片行業供需失衡加劇，預計將開啟持續數年的「超級週期」，到 2027 年全球儲存市場規模有望突破 3,000 億美元，標誌著新一輪產業週期的起點。

記憶體晶片歷經近 13 年的週期性波動，每 3 至 4 年呈現一輪週期，目前正處於第四輪。

前三輪由智慧型手機換機潮、3D NAND 產能轉移及疫情帶動的遠端辦公需求所推動，而每輪高峰後均因供過於求或需求下降出現價格下滑。

自 2024 年起，AI 算力基建及 HBM 技術革命成為記憶體晶片市場的新動力，企業級 AI 資本支出成為主要需求來源，推動 HBM、DDR4/DDR5 及企業級 SSD 等市場大幅增長。

在此趨勢下，三星與 SK 海力士等產業龍頭展開新一輪激烈競爭，業績迎來高速成長。

根據三星公布的第三季初步財報，2025 年第三季度營業利潤達 12.1 萬億韓元，與去年同期相比增長 31.81%，與前期相比大增 158.55%，創下自 2022 年第二季度以來的新高。銷售額達 86 萬億韓元，也刷新歷史紀錄。

SK 海力士第三季同期營業利潤突破 10 萬億韓元大關，達 11.38 萬億韓元，與去年同期相比增長 62%；營收 24.45 萬億韓元，與去年同期相比增長 39%；淨利 12.598 萬億韓元，三項核心指標均創歷史新高。HBM 及高階 DDR5 產品成為業績增長核心驅動力。

據悉，雙方已通知客戶，2025 年第四季度 DRAM 及 NAND Flash 合約或現貨價格將調漲約 30%，以應對 AI 及雲服務帶來的高需求。

DRAM 市場格局：SK 海力士首度超越三星

2025 年第一季度，SK 海力士以 36.9% 的市占率首度超越三星，終結其 33 年 DRAM 霸主地位，使 DRAM 市場格局正式進入雙雄爭霸的全新階段。

第二季度 SK 海力士市占率進一步升至 39.5%，與三星的差距擴大至 6.2 個百分點。第三季度財報顯示，SK 海力士 DRAM 營收與前期相比增長 11%，與去年同期相比增長 54%，以 35% 的佔有率連續三季度穩居全球第一。

儘管在整體儲存市場上三星略領先，但 SK 海力士在 HBM 市場仍占據主導地位，市場佔有率高達 58%，第三季度 DRAM 銷售額中 HBM 占比達 40%。

公司計劃第四季度開始交付次世代 HBM4 產品，並已鎖定 2026 年 DRAM 及 NAND 產能需求，預計出貨量與去年同期相比增長超 20%，HBM 供應緊張將持續至 2027 年。

技術競賽：High NA EUV 曝光機成新焦點

High NA EUV 曝光機為新一代晶片製造關鍵技術，可提供 1.7 倍精細電路圖案及 2.9 倍電晶體密度，提升 40% 光學精度，開啟了半導體產業的下一章。

據悉，三星已購置 5 台 High NA EUV 曝光機，其中 2 台部署於半導體代工部，其餘專供儲存部門。SK 海力士也將首款量產型 High NA EUV 引進韓國利川工廠。

在 DRAM 技術方面，SK 海力士已成功開發第六代 10nm 1c 制程 DDR5 DRAM，並在 HBM 及 DDR5 產品中應用 EUV 曝光機，提高良率與性能。

市場消息稱，SK 海力士 1c DRAM 良率已達 80%-90%，為未來 High NA EUV 使用奠定基礎。

然而，三星第六代 1c DRAM 在 HBM4 上良率約 50%，仍在開發中。

與此同時，美光 (MU-US) 則採取不同策略，結合 EUV 與 DUV 技術逐步推進 10nm 以下 DRAM 製程，並計劃直接進入 9nm 製程。

AI 合作帶動 HBM 需求：OpenAI 星際之門計劃

此外，三星與 SK 海力士已與 OpenAI 簽署合作協議，成為「星際之門」（Stargate）全球 AI 基礎設施項目的核心合作夥伴。

該計劃將建設 20 個 AI 數據中心，初始容量 20 兆瓦，支援 ChatGPT 等大型 AI 模型運行。為滿足高頻寬需求，HBM3E 記憶體頻寬可達 3.35TB/s，GPU 集群效率提升 30%，延遲降低 20%。

雙方將擴大記憶體產能，目標每月生產 90 萬片 DRAM 晶圓，為現有全球產能的兩倍，這代表著新 HBM 工廠建設勢在必行，同時可能壓縮標準 DRAM 產量，因為 HBM 利潤更高。