記憶體晶片戰白熱化 三星Q4可望重奪DRAM龍頭

業界人士透露，韓國三星電子可望將在今年第四季度重奪全球 DRAM 市場的營收龍頭寶座，超越本土競爭對手 SK 海力士，代表記憶體晶片市場的激烈競爭進入新的轉折點。

這一預期主要基於三星電子超乎市場預期的強勁獲利表現。業內人士預計，三星在今年 10 月至 12 月期間，營業利潤有望超過 18 兆韓元（約 122 億美元）。其中，負責 DRAM、NAND 快閃記憶體和系統半導體業務的裝置解決方案（DS）部門，預計將貢獻 15.1 兆韓元的營業利潤，較上一季大幅成長 166%，並較去年同期暴增 422%，成為驅動公司成長的主要引擎。

憑藉此一亮眼的獲利預期，三星電子在第四季度全球 DRAM 供應商營收排名中，有望再次位居第一，將過去連續三季領先的 SK 海力士擠至第二位。

產業分析師指出，三星電子強勢復甦背後有兩大關鍵因素：

1. 積極縮小 HBM 技術差距：

DRAM 是伺服器、手機、PC 等電子設備的核心運行內存。而在人工智慧（AI）浪潮中，高效能 DRAM——高頻寬記憶體（HBM）——成為 AI 應用的核心元件，需求迅速成長。三星此前在 HBM 領域曾一度落後於 SK 海力士，但近期正積極加快 HBM 的生產進程並穩定良率，有效縮小了與競爭對手之間的技術差距。

2. AI 基礎設施投資推動傳統 DRAM 價格上漲：

全球資料中心等 AI 基礎設施投資的持續擴大，不僅帶動了 HBM 的需求，也同步推動了傳統 DRAM 產品價格的回升。AI 產業的爆發性成長為整個記憶體市場帶來了強勁的利多，共同提振了三星電子的整體績效。

DRAM 市場的排位變化凸顯了全球記憶體晶片爭霸戰的白熱化。三星電子曾連續 33 年保持 DRAM 市場的領先地位，但在今年第一季首次被 SK 海力士超越。這一變動主要歸因於當時三星在 HBM 晶片技術上的相對落後。SK 海力士自 2013 年成為全球首家研發出 HBM 晶片的公司以來，一直主導著全球 HBM 市場。

儘管三星在第二、三季度 DRAM 營收仍落後於 SK 海力士，但根據產業追蹤機構 Omdia 的數據，兩家公司的市佔率差距已在第三季度顯著收窄。SK 海力士第三季市佔率為 34.1%，而三星電子則升至 33.7%，差距已從前一季度的 6.2 個百分點迅速縮小至 0.4 個百分點。