理財周刊
文．洪寶山
博通 (Broadcom) 實體層產品行銷總監 Natarajan Ramachandran 在 3 月 24 日台北記者會指出，目前 AI 相關供應鏈的三大瓶頸是：雷射產能、晶圓(意指台積電先進製程)，以及 PCB。他特別點名用在光收發器內部的小型 PCB(Paddle Card)，交期已從約六週拉長到約六個月，預期要到 2027 年才會緩解。
博通執行長陳福陽在 3 月的財報會議中也確認，博通已提前確保了 2026 年至 2028 年關鍵組件的供應，包含先進製程晶圓、高頻寬記憶體 (HBM) 及載板。
在高階光收發模組 (如 800G/1.6T) 中，Paddle Card(槳式電路板)是連接外部電纜與內部光電元件的關鍵橋樑。
這類小型 PCB 由於空間極小且需處理極高頻訊號，通常採用 mSAP(改良型半加成法) 製程，主要由具備高階 HDI 或 IC 載板技術的廠商供應，包括欣興、臻鼎 - KY、金像電、定穎投控、泰鼎 - KY。
為什麼 Paddle Card 會變瓶頸？製作 Paddle Card 所需的 mSAP 製程，與生產 AI 伺服器所需的 IC 載板製程部分重疊。
當全球都在瘋搶 HBM 產能時，這些小型 PCB 的產能自然被擠壓。1.6T 模組要求極低損耗，Paddle Card 必須使用高階的超低損耗材料 (Ultra Low Loss) 與精密的阻抗控制，這不是一般傳統 PCB 廠能做的。
由於博通等大廠對訊號品質要求極嚴，一旦換供應商需要六個月以上的認證期，這也是為什麼 Google、Meta 寧願簽三至四年長約也要鎖定既有廠商產能的原因。
為什麼雷射元件會成為 CPO 時代大瓶頸？為了支撐 1.6T 甚至更高頻寬，雷射必須在極高溫的資料中心環境下保持波長穩定。
全球能做雷射二極體的廠商很多，但 AI 資料中心要求的規格是「超高功率」且「極低雜訊」的 CW(連續波) 雷射。
許多供應商雖然能產出雷射晶粒，但經過嚴格的可靠度測試後，符合 CPO 高標要求的良率可能不到 30%。
為了防止雷射損壞導致昂貴的交換器停擺，一個 CPO 接口往往會配置具有「冗餘 (Redundancy)」功能的外部雷射源。
高功率雷射依賴磷化銦 (InP) 技術，全球具備 6 吋 InP 大規模量產能力的廠商寥寥無幾。
在傳統光模組中，一個模組配一個雷射，但在 CPO 解決方案中，為了降低熱影響，業界轉向使用 ELSFP(外部雷射光源模組)，這種架構導致雷射晶粒的需求量並非與交換機成 1:1 增加，而是成倍數成長，這直接衝擊了原本就吃緊的 InP 磊晶產能。
如果最上游的 InP 磊晶圓 (如聯亞) 或是具備自有產能的 Coherent、Lumentum 產能被訂單塞爆，後段再多廠商也沒雷射晶粒可用。
針對晶圓，Ramachandran 直接說「TSMC hitting production capacity limits」，並指這些先進製程產線在 2026 年形成瓶頸，儘管台積電計畫持續擴產到 2027 年。
很多投資人會覺得奇怪：「台積電不是一直在蓋新廠、一直在擴產嗎？怎麼還會不夠用？」
實際上，真正的「超級大塞車」發生在後段的先進封裝！到了 CPO 時代，台積電必須導入 COUPE(緊湊型通用光子引擎) 技術，把光學晶片與矽晶片「立體堆疊 (Hybrid Bonding)」在一起。
這種全新的封裝難度極高，測試時間長，導致機台的產出率 (UPH) 在初期根本快不起來。
在 2026 年，博通不是只跟傳統網通廠競爭，它是在跟 NVIDIA、Apple、AMD、Qualcomm，以及 Google、Meta、OpenAI 這些砸重金做自研 ASIC 晶片的科技大廠們搶奪同一條生產線，當所有最頂尖的 AI 算力晶片、最高階的 1.6T 網路交換器全部擠在台積電門口時，產能自然就變成了「配給制」，台積電就算現在決定大擴產，建廠、無塵室完工、引進 ASML 的極紫外光 (EUV) 微影設備，以及各種高階的測試、點膠、對位機台，設備的交期動輒十二到十八個月以上。
所以，2026 年的產能，其實在 2024、2025 年就已經被各大廠包圓了。現在才要加單的，只能乖乖排隊等到 2027 年新廠產能開出。
既然台積電產能塞車，那跟台積電搭配的二線封裝廠或關鍵零組件廠會發生什麼事？這就是產能外溢效應！先進封裝不是只有封裝廠，真正容易變瓶頸的是，載板 (CoWoS 一定要)、Underfill 底部填充膠 (先進封裝必備)、散熱 (AI 功耗爆炸)、測試 (KGD、Burn-in)、光通訊 (CPO、光模組)、探針卡 (先進製程測試)、切割與鑽孔 (TSV、Interposer)、FAU 與光纖陣列 (CPO 必備)。
台積電可以擴產，但這些供應商擴產很慢，這在 2023 年 CoWoS 大缺時已經發生過一次，例如晶片面積越來越大，消耗良率與面積，且 ABF 擴產動輒二至三年。
縫隙奈米化，膠水不能有氣泡且需耐極端熱應力，特化配方極難。晶片疊合前必須確保 100% 沒壞 (KGD)，老化測試(Burn-in) 時間極長，嚴重拖慢產能。雷射怕熱、高功率要求嚴苛，模組供不應求。
節點越小，探針越細，高頻高速測試要求微米級精度。晶圓變薄極易碎裂，且矽穿孔 (TSV) 與玻璃基板鑽孔需要頂級雷射技術。光纖對位容錯率為次微米，無法輕易全自動化。
所以當輝達持續推進 GPU 架構的硬體升級，供應鏈瓶頸卡關、漲價問題可能會成為常態化。
所以當台積電董事長魏哲家說「CoWoS 產能還是不夠」的時候，他缺的不是錢，他缺的是這些載板 (欣興、景碩)、探針卡 (旺矽、精測)、測試座 (京元電、穎崴)、FAU 與光纖陣列 (上詮、波若威)、切割與鑽孔 (鈦昇、萬潤)，還有 Underfill 膠水 (達興材料、華立、長興)！
台積電可以花一千億蓋廠房，但他沒辦法逼這些小廠明天就變出兩倍的產能！產能卡關的地方，就是定價權所在的地方，也就是股價飆升的密碼！
來源：《理財周刊》1336 期
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