領先三星、美光！SK海力士交付12層HBM4E樣品 能效提升逾20%

半導體大廠 SK 海力士周四（18 日）宣布，已向主要客戶交付新一代 AI 專用高頻寬記憶體（HBM）「HBM4E」12 層堆疊樣品。HBM4E 被視為下一代 AI 加速器關鍵記憶體產品，此次送樣代表 SK 海力士在先進記憶體技術研發再取得重要進展。

隨著 AI 運算需求持續攀升，該公司可望藉由技術領先優勢，進一步鞏固其在全球 AI 記憶體市場的領導地位。

SK 海力士在官方聲明中指出，得益於公司在 HBM 領域長期累積的先進研發技術與成熟的生產經驗，本次得以按時向客戶交付 12 層 HBM4E 樣品。未來公司將與各方合作夥伴緊密協作，全力確保該產品實現及時且穩定的規模化量產。

本次首度亮相的 HBM4E 為第六代 HBM 產品，其最大亮點在於相較上一代 HBM4，在運算性能與功耗效率上皆實現了大幅度的躍升。

這款 12 層堆疊的 HBM4E 晶片，每腳位（pin）的最大資料處理速度達到 16Gbps，且能源效率較前代機型顯著提升了 20% 以上。

這些關鍵性能的改進，將能有效增強下一代 AI 訓練與推理過程中的超大規模資料處理能力。

在技術細節與工藝方面，新款 HBM4E 透過最新的介面與設計優化，大幅降低了資料傳輸的延遲性，並能在極高頻寬的運作環境下保持高度穩定性。這將協助客戶顯著提升 AI 資料中心及大規模運算系統的整體運行效率。

此外，SK 海力士採用了業界領先的先進「MR-MUF」（大體積回流模壓填充）技術來製造該產品，成功在 12 層堆疊結構中實現高達 48GB 的超大容量，並確保了晶片的物理結構穩定。該技術透過在半導體晶片之間注入液態保護材料以保護精密電路。

同時，新產品的耐熱性能也較上一代 HBM4 提升了 17%，進一步保障了記憶體晶片在高效能運算高熱環境下的穩定與安全。

SK 海力士總裁兼首席開發長 Ahn Hyun 表示，憑藉著領先市場的技術實力和豐富的製造經驗，SK 海力士已經奠定了堅實的基礎，並將進一步鞏固其在人工智慧領域的領導地位。

他強調，透過與全球合作夥伴的緊密協作，SK 海力士將持續為市場提供核心價值，同時不斷強化自身作為「全端 AI 記憶體解決方案提供商」的技術領導力。

目前，SK 海力士已是全球 AI 晶片龍頭輝達的主要 HBM 供應商，而三星電子與美光科技等競爭對手也正在該領域展開激烈角逐。

在交付新樣品的消息公布後，市場反應相當熱烈，SK 海力士週四在韓國股市股價應聲上漲 4.17%，其主要競爭對手三星電子的股價則微幅上漲 0.87%。

是，受惠於 AI 浪潮的強勁推升，SK 海力士股價自今年初以來已累計暴漲 287%，充分反映出全球投資人對其技術優勢與市場前景的高度信心。