韓媒報導，SK海力士(SKHynix)正採取一項看似反直覺的策略，這家高頻寬記憶體(HBM)龍頭不但沒有全力衝刺下一代HBM4量產，反而刻意放慢腳步，把資源轉向傳統DRAM市場，希望在嚴重供給短缺帶動DRAM利潤意外飆升之際，搶下更多營收。ChosunBiz周二(23日)引述業界人士說法報導，SK海力士正稍稍延緩原本要從HBM3E轉換至HBM4產線的時間表，主因是DRAM市場營業利益率已經超越HBM，海力士想從前者獲取更多額外收入。SK海力士有40%營收來自HBM，加上已在這個市場確立絕對領先地位，與其投入產能競賽，不如鎖定供給短缺極其嚴重的傳統DRAM。SK海力士全年HBM產能據傳今年稍早便已全數售罄，在產品供不應求、訂單已滿載的情況下，加快產能擴張能帶來的額外收益其實有限。相較之下，過去因HBM優先策略而遭到冷落的傳統DRAM，如今正面臨嚴重供給短缺，導致兩者獲利能力出現黃金交叉。SK海力士先前曾放慢1c製程DRAM投資，把資源集中投入HBM，當時HBM的利潤率約為傳統DRAM的三至五倍。但截至今年第1季為止，雖然傳統DRAM每GB的售價仍低於HBM，但兩者的營益率差距預估已擴大超過15個百分點。大信證券(DaishinSecurities)甚至預測，傳統DRAM的營益率今年有望攀升至理論上90%的巔峰。一名熟稔SK海力士內情的人士透露：「從SK海力士管理階層的角度來看，他們是絕不可能眼睜睜看著競爭對手三星電子靠傳統DRAM而非HBM瘋狂席捲龐大營收，還坐視不管。」該名人士同時指出：「由於輝達即將搭載HBM4的次世代晶片『Rubin』產量預估趨於下修，SK海力士根本沒有理由加速HBM轉型。」SK集團會長崔泰源早在3月便曾警告，晶圓供給不足問題恐將持續至2030年。目前SK海力士在HBM市場市占率約達50-60%，憑藉多年積極投資以及與輝達(NVDA-US)等AI晶片設計公司的密切合作，建立領先優勢。但晶圓產能畢竟有限，每一片投入HBM生產的晶圓，代表少了一片可用於製造傳統DRAM。在DRAM獲利平淡時，這種取捨相當合理，但如今DRAM利潤因為短缺而上升，使情況出現變化。SK海力士策略轉向下，最直接的受益者可能是三星電子：當SK海力士放慢HBM4擴產速度，在HBM領域持續追趕的三星就有拉近差距的機會。近年來，三星在HBM產品上遭遇良率問題與客戶認證延遲等挑戰。然而，這項策略對海力士而言也存在風險，因為放慢HBM4布局，不僅可能讓三星迎頭趕上，也可能讓美光(MU-US)等競爭對手趁機搶占市場。
