中國先進晶片加速擴產 高盛：供需缺口將從92%銳減至34%

高盛最新研究報告指出，中國晶圓代工廠加速擴產，未來十年先進晶片供需缺口可望大幅縮小。高盛預估，到2035年，中國7奈米及以下先進製程晶圓月產能將增至41萬片，供需缺口從2025年的92%銳減至34%，但光刻設備仍是半導體自主化的最大瓶頸。

高盛預測，2025年至2035年間，中國7奈米及以下先進製程晶圓供給將以46%的複合年增長率擴張，遠高於同期國內需求預估的17%。至2035年，中國先進製程晶圓月產能將達41萬片，相較之下，中國國內需求預估為61.9萬片，供需差距因此明顯收斂。

高盛模型假設，中國最大晶圓代工廠中芯國際(00981-HK) 將成為擴產主力，2026年至2031年間每年新增3萬至5萬片先進節點晶圓月產能，之後至2035年每年再增加2萬片。

與此同時，中芯國際先進製程良率預估將從2026年的23%，提高至2030年的50%，2035年進一步升至75%。

相較之下，台積電(2330-TW) 自2018年量產7奈米晶片以來，依晶片設計與尺寸不同，良率可超過90%。

高盛指出，以產量計算，中國晶片自給率在2026年6月已達約70%，明顯高於2010年1月的38%，但若改以產值衡量，自給率缺口仍遠高於產量數據所呈現的程度。

大規模擴產也將帶動新一波半導體投資。高盛預測，中國晶片資本支出在2020年代將維持兩位數年度成長，2030年達820億美元，較一年前的預測大幅上調79%。

中國晶圓製造設備市場則預估在2027年達530億美元，本土設備供應商市占率將從2025年的26%，提高至2028年的38%。

不過，中國半導體自主化仍面臨關鍵瓶頸。高盛指出，光刻設備仍是國產設備生態中最明顯的短板，中國先進DUV光刻機幾乎仍仰賴荷蘭ASML供應，部分型號已遭美國限制出口，最先進的EUV設備則被完全封鎖；中國本土業者上海微電子在先進光刻系統研發方面，也仍明顯落後全球同業。