SK海力士擴大在美佈局 40億美元晶圓廠預計2029年量產

南韓半導體大廠SK海力士(SKHY-US)周四(27日)宣布，將於2029年第三季在美國印第安那州新廠開始量產次世代高頻寬記憶體HBM4E晶片。與此同時，SK海力士執行長郭魯正(Kwak Noh-Jung)警告，目前的記憶體短缺現象預計將持續到2030年。

這項耗資超過40億美元的晶圓廠建置計畫，座落於普渡研究園區(Purdue Research Park)，旨在擴大SK海力士在美國的佈局，以因對AI投資熱潮所帶來的龐大高頻寬記憶體需求。廠址能讓SK海力士更貼近輝達(NVDA-US)、微軟(MSFT-US)及Alphabet(GOOGL-US)等主要客戶。

對於這項投資，執行長郭魯正指出：「美國是AI創新的震央，匯集了最頂尖的客戶、頂尖的研發能力與合作夥伴。印第安那晶圓廠將成為交付首批『美國製造』HBM產品的門戶。」

根據Counterpoint Research數據，在2026年第一季，SK海力士在全球HBM市場以58%的營收市占率居冠，遠超主要競爭對手三星電子與美光科技(MU-US)的各21%。主要客戶輝達預測下一財年營收將大幅成長70%，這進一步印證了市場對AI晶片的持續需求，也支持了郭魯正認為記憶體上升周期仍有發展空間的觀點。

這項龐大的建廠計畫也獲得美國政府的強力資助。美國政府依據《晶片法案》(CHIPS Act)提供4.58億美元的補助金，以及高達5億美元的貸款，該項資金已於2024年12月敲定。

在市場評估方面，投行Needham分析師N. Quinn Bolton將SK海力士的目標價從200美元調高至220美元，並維持「買進」評等。