三星
南韓三星電子在記憶體晶片持續短缺下將Galaxy S26系列多數機型售價上調，將記憶體與NAND成本壓力轉嫁消費者，成為消費科技品牌漲價的最新案例。在本次漲價中，Galaxy S26、S26+和S26 Ultra各漲100美元，售價分別升至1000美元、1200美元和1400美元，Ultra的1TB頂級版漲200美元至2000美元。
歐亞股
三星電子(005930-KR)調漲多數Galaxy S26系列手機售價，主要機型均增加100美元，最高容量版本則漲200美元。AI熱潮與資料中心建置持續排擠記憶體供應，消費電子品牌正將成本壓力轉嫁給消費者，手機漲價潮也從蘋果、Google延伸至三星。
台股新聞
台灣三星電子今(1)日舉辦旗艦平板Galaxy Tab S12系列台灣上市發表會，台灣三星電子行動通訊事業部總經理陳啓蒙指出，台灣整體智慧型手機市場呈現量縮價揚走勢，但平板市場因AI功能以及取代筆電需求，前8月整體市場銷售量與銷售額均繳出3%至5%的成長成績，並希望在新品帶動下，全年平板銷售額年增20%。
歐亞股
三星電子(005930KS) 晶圓代工事業虧損有望明顯收斂。市場原先認為，DRAM價格上漲與2奈米晶圓訂單增加，將有助三星改善晶圓代工業務表現，但最新分析指出，隨著高頻寬記憶體（HBM）需求快速成長，HBM已成為三星縮減年度虧損的重要支柱。《Wccftech》引述《Digital Daily》報導指出，Kiwoom Securities最新分析預估，三星非記憶體事業的年度營業虧損將從2025年的6.74兆韓元（約51億美元），降至2026年的3.92兆韓元（約29.5億美元），年減約41.8%。
歐亞股
今年第三季(9月30日止)，南韓股市遭遇劇烈反轉，綜合股指(Kospi)暴跌18.8%，成為同期全球表現最差的主要股市之一，這場拋售潮發生在AI交易突然逆轉之後，此前押注AI基礎設施需求的熱門標的三星電子和SK海力士等記憶體晶片股成重災區。儘管如此，Kospi今年來仍累計上漲60%，表現位居全球前列。
歐亞股
AI需求推動存儲廠商加碼HBM，傳統DRAM供應承壓。三星高層預計明年HBM將佔全球DRAM晶圓總產能近三成，市場研究機構同時上調2027年HBM價格預期。三星電子執行副總裁Kim Taewoo 29日（周二）表示，預計明年HBM將佔DRAM廠商晶圓總產能近30%，目前約20%。
美股雷達
人工智慧(AI)基礎建設投資火爆，三星電子和旗下公司周二(29日)宣布，將投資輝達(NVDA-US)和KKR合資的AI基建商Helix Digital Infrastructure，合計投入10億美元。三星電子將出資5億美元，其餘金額來自旗下五家公司，包括三星物產(Samsung C&T)、三星SDS、三星SDI、三星人壽(Samsung Life Insurance)和三星火災海上保險(Samsung Fire & Marine Insurance)。
國際政經
三星電子正加速興建平澤第五園區（P5）首條量產生產線（Ph1），正與核心設備廠商協商將該生產線設備安裝節點提前，從原定明年第三季提前至明年第二季。一期設備安裝預計明年5、6月啟動，二期NAND快閃記憶體投資方案也正在研討。市場解讀這是三星電子為應對AI領域高價值DRAM、NAND快閃記憶體需求激增、確保產能的舉措。
國際政經
「如果客戶開始要求簽訂10年的供應協議，你怎麼還能對記憶體晶片持悲觀態度？」韓國大信證券在最新報告中如此反問。隨著AI資料中心建置加速，記憶體晶片客戶正把採購規劃拉長至5年，甚至提出簽訂最長10年的供應協議，以確保未來取得足夠的高頻寬記憶體（HBM）與DRAM。
歐亞股
人工智慧（AI）需求強勁成長，加上新一代記憶體技術持續推進，南韓兩大晶片巨頭三星電子(005930KS) 與SK海力士(000660KS) 正處於全球半導體景氣循環核心。隨著兩家公司第3季財報公布在即，市場高度關注其獲利表現，藉此觀察當前AI投資熱潮能否持續轉化為半導體企業的實際獲利。
歐亞股
南韓股市今年上半年在散戶資金與人工智慧（AI）熱潮推動下強勢上漲，但近期散戶資金持續撤出，市場資金結構正逐步轉變。南韓新榮證券（Shinyoung Securities）研究中心負責人Kim Hak-kyun指出，散戶先前抵銷外資賣壓的局面正在改變，未來南韓綜合股價指數（KOSPI）能否反彈，外資動向將成為重要關鍵。
美股雷達
海外資金正以前所未有的規模流入美國股市，但對美國債券的需求卻同步降溫，這項資金配置變化正在改變全球資本流動格局。根據美國財政部數據，截至今年7月的過去12個月，海外投資人淨買進美國股票及投資基金9420億美元，創下自1985年有紀錄以來最高的12個月累計金額。
歐亞股
南韓三星電子近期在3D DRAM研發上交出階段性成果：其16層垂直堆疊VS-DRAM(Vertically Stacked DRAM)已完成晶片級讀寫驗證，核心以「水平電容＋GAA單元電晶體＋Peri-on-Cell鍵合」重構1T1C架構，目標是把DRAM從平面微縮推進到Z軸堆疊，延續10奈米以下節點的位元密度提升。
歐亞股
針對近期市場對HBM規格下調的擔憂，摩根大通(下稱小摩)在9月更新的HBM記憶體產業研報中明確指出，即便出現降級，2026至2028年HBM比特需求複合增速仍達63%，產業始終處於供給短缺狀態，價格上行趨勢延續，記憶體類股仍具投資價值。此一判斷與上月報告中「超級週期可能延續至2028年」的框架保持一致。
美股雷達
台積電晶圓代工報價傳將自 2027 年 1 月起上調 3% 至 6%，先進製程漲幅較高。蘋果晶片採購成本可能因此增加；加上先前傳出蘋果已接受三星電子明年第一季調漲記憶體報價，明年 iPhone 新機是否再漲價，再度成為市場話題焦點。多家媒體引述DigiTimes報導，供應鏈人士透露，台積電預計自2027年1月起，依製程與產品調整晶圓出廠價格 (Wafer Out)，漲幅約3%至6%，其中2奈米、3奈米等先進製程調幅較高。
美股雷達
美光科技(MU-US) 傳出將停產容量為 2GB（16Gb）的 GDDR7 顯示記憶體顆粒。硬體爆料人 unikoshardware 近日發現，美光官網已將該規格產品列為停產（EOL）。由於這款顆粒用於輝達(NVDA-US) GeForce RTX 50 系列顯示卡，消息引發市場對顯示記憶體供應的關注。
歐亞股
三星電子(005930KS) 正加速擴大高頻寬記憶體（HBM）布局，預計明年包括第六代 HBM4 與第七代 HBM4E 在內的 HBM4 系列產量，將較今年至少翻倍。相關跡象顯示，三星計畫把 HBM 製程使用的玻璃載體清洗量提高至今年的 2.5 倍，為後續擴產提前準備。
A股
中國主要動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商長鑫科技(688825-CN) 週日（20日）宣布，其第五代技術平台已進入量產階段。該公司宣稱，這項突破有望協助中國在全球記憶體晶片市場，與三星電子(005930KS) 、SK海力士(000660KS) 及美光科技(MU-US) 競爭。
美股雷達
儘管英特爾(INTC-US) 下一代14A製程目前尚未確定主要客戶，但根據Piper Sandler最新發布的投資報告，隨著業界積極尋找台積電(2330-TW) 以外的可行替代方案，科技業各大企業均已開始評估這項製程。根據《Wccftech》報導，Piper Sandler指出，在多項宏觀與微觀因素交互影響下，亞馬遜(AMZN-US) 、蘋果（Apple）、超微半導體(AMD-US) 、Google(GOOGL-US) 、特斯拉(TSLA-US) 、微軟(MSFT-US) 、輝達(NVDA-US) 及高通(QCOM-US) 都在評估這項下一代製程。
歐亞股
最新消息傳出，三星在客製化HBM將採雙軌策略，依客戶需求提供自廠或台積電基礎裸片(Base Die)，若選台積電，由記憶體業務負責設計，已有客戶採「台積電Base Bie＋三星DRAM」方案，顯示其不再堅持一體化供貨，改以提高供應鏈彈性接單。