三星
國際政經
2026年01月26日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 三星電子預計將於下個月開始量產下一代高頻寬記憶體（HBM）晶片 HBM4，並將供應給輝達（Nvidia），根據知情人士透露，這項布局標誌著三星加速追趕主要競爭對手 SK 海力士的步伐。過去一年，由於 HBM 出貨延遲影響營收表現，導致三星在 AI 晶片市場的競爭地位略顯吃力。
台股新聞
韓媒報導，三星 (005930-KR) 今年首季 NAND 合約價上漲超過 1 倍，DRAM 合約價漲幅最多也有 70%，台灣記憶體族群今 (26) 日在資金積極敲進下，包括十銓 (4967-TW)、旺宏 (2337-TW)、華東 (8110-TW)、晶豪科 (3006-TW)、威剛 (3260-TW) 與華邦電 (2344-TW) 多檔亮燈漲停。
歐亞股
路透社引述消息人士報導，三星電子計劃 2 月開始生產下一代高頻寬記憶體（HBM）晶片 HBM4，並向輝達 (NVDA-US) 供貨。三星一直積極追趕競爭對手 SK 海力士。SK 海力士是先進記憶體晶片的主要供應商，而這類晶片對輝達的 AI 加速器至關重要。
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知情人士透露，三星計畫最快於下個月開始量產次世代高頻寬記憶體（HBM）晶片 HBM4，並供應給輝達 (NVDA-US) 。根據《路透》報導，過去一年，由於供應延宕影響營收與股價表現，三星在人工智慧（AI）用高階記憶體市場一直在試圖追趕其競爭對手 SK 海力士。
受 AI 應用快速普及推動，市場對 NAND 快閃記憶體需求激增，但供給成長有限，導致供需失衡、價格飆升。韓媒《ETNews》周日 (25 日) 報導，三星電子已將今年首季 NAND 快閃記憶體供貨價上調超過一倍，並於今年 1 月起以新價執行，去年底已與客戶完成相關合約簽署。
美股雷達
近期，不少晶片設計公司在晶圓代工端頻頻碰壁。多家晶圓廠回饋指出，部分成熟製程的產能已開始「不好投片」，甚至出現排隊與配額限制的情況。然而，這並非市場熟悉的「缺晶片」簡單重演，而是一場由人工智慧（AI）浪潮引發、結構更為複雜的產能連鎖反應。AI 不僅大量吸納先進製程與先進封裝資源，其外溢效應也正沿著電源與功率鏈條，將壓力一路傳導至成熟節點。
美股雷達
全球消費者今年對智慧手機、個人電腦 (PC) 與遊戲主機的需求預料將縮減，因為從英國的 Raspberry Pi 到美國惠普 (HPQ-US) 等公司為了因應飆升的記憶體晶片成本，紛紛調漲產品售價。路透周五 (23 日) 報導，從 OpenAI、Alphabet(GOOGL-US)旗下 Google 到微軟 (MSFT-US)，美國科技公司正在大量建設人工智慧(AI) 基礎設施，消耗了全球大量記憶體晶片供應，並讓晶片價格上漲。
台股新聞
研究機構 TrendForce 最新研究指出，AI 運算架構升級，除 DRAM 以外，NAND Flash 也成為重要元件，記憶體儼然成為關鍵資源，在有限產能下，報價不斷上漲，連帶使得整體記憶體產業產值逐年創高，預估 2026 年達 5,516 億美元，2027 年則再創高峰、達 8,427 億美元，年增 53%。
台股新聞
記憶體大廠三星今 (22) 日傳出，將全面調漲記憶體價格達 80%。對此三星表示，市場傳言不正確，並未對全品項調漲；業界指出，三星上個月僅調漲部分產品，仍以 DRAM 漲幅較多，而 SK 海力士上個月的確有針對 DRAM 產品調漲 80%。市場今日傳出，疑似為三星記憶體代理商的通知文件，內文指出由於全球半導體市場發生重大變化，包括供應限制和上游製造成本大幅上漲，三星已正式調整價格調整，即日起，三星所有記憶體產品價格將上漲至多達 80%，因此由代理商發出漲價通知。
美股雷達
輝達 (NVDA-US) 執行長黃仁勳在瑞士達沃斯演說，表示全球 AI 建設將需要數兆美元投資，為人工智慧 (AI) 行情注入強心針，半導體類股普遍上揚，記憶體大廠三星電子周四 (22 日) 改寫歷史新高，把南韓大盤 Kospi 指數托上前所未見的 5000 點整數關卡。
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22 年前，TCL 因併購法國湯姆遜彩電事業陷入創立以來最嚴峻危機，一度瀕臨倒閉，但正是這場教訓讓這家中國家電巨頭學會在全球化的浪潮中游泳，也為其日後邁向國際舞台奠定基石。如今，再度出手拿下另一家國際巨頭的電視業務，開啟全球化擴張的新篇章。TCL 與日本索尼周二 (20 日) 共同宣布，雙方已簽署合作備忘錄，擬成立聚焦家庭娛樂領域的合資公司。
歐亞股
中國 TCL 電子與日本索尼公司周二 (20 日) 共同宣布簽署意向備忘錄，將在電視及家庭娛樂領域展開戰略合作，這一消息在全球消費電子業掀起波瀾。中國《21 世紀經濟報道》報導，根據備忘錄，雙方計畫成立合資公司承接索尼的家庭娛樂業務，TCL 持股 51%、索尼持股 49%，業務涵蓋電視與家庭音響的研發、設計、生產、銷售、物流及客戶服務等全鏈條，並沿用「Sony」跟「BRAVIA」品牌，預計 2027 年 4 月投入營運。
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市場研究機構 Omdia 與業界最新報告指出，全球記憶體晶片兩大龍頭三星電子（Samsung Electronics）與 SK 海力士（SK Hynix）正調整其產能配置，預計將於 2026 年小幅下調 NAND Flash 晶圓產量。在人工智慧（AI）資料中心需求爆發式成長的背景下，此舉預計將加劇全球市場供應緊缺，推動 NAND Flash 價格進一步攀升。
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全球 AI 浪潮推動下，先進製程晶片供不應求、價格飆升，曾被視為「夕陽」的 8 吋晶圓產線，如今卻因國際大廠戰略轉移與 AI 相關外圍晶片需求激增，迎來一場罕見的供需反轉。中國《21 世紀經濟報道》報導，一度被晶圓代工廠加速剝離的 8 吋產線，正從過去的產能過剩走向提價滿載，中國大陸晶圓代工業者順勢崛起，成為全球供應鏈的關鍵承接者，引發市場高度關注。
台股新聞
德意志銀行指出，人工智慧（AI）需求爆發使台積電 (2330-TW) 3 奈米產能滿載至 2027 年，迫使公司上修 2026 年資本支出至 520 億至 560 億美元，並讓一些客戶開始分流訂單至三星與英特爾 (INTC-US)。儘管如此，德銀仍看好 AI 帶動的長期成長，將台積電目標價上調至 2200 元新台幣。
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南韓股市周二 (20 日) 收低，終止連 12 個交易日上漲走勢，主要因為投資人紛紛將自身在大型晶片製造商和汽車製造商上投資獲利了結，韓元兌美元美元 / 韓元(USDKRW) 匯率也有所下跌。截至周一 (19 日)，南韓綜合股價指數 (KOSPI) 已連 12 個交易日上漲，累計漲幅超過 16%。
歐亞股
三星電子（Samsung Electronics）的晶圓代工業務在經歷去年的低迷後，正迎來顯著的復甦曙光。隨著尖端製程與核心成熟製程的晶圓投入量持續增加，預計今年上半年的平均產能利用率將達到約 60%，相較於去年下半年的 50% 谷底，展現出強勁的爬升勢頭，這也意味著該部門的虧損規模有望進一步縮減。
科技
儘管 AI 正以前所未有的速度推高記憶體需求，南韓兩大記憶體晶片巨頭三星和 SK 海力士卻決定今年繼續削減 NAND 快閃記憶體產量，這項「逆勢減產」策略料將推動 NAND 價格在伺服器、PC 和行動裝置等領域全面上行，並有望使其帶來與 DRAM 相當的利潤率提升。
歐亞股
外媒最新報導指出，南韓三星電子將於今年 3 月在美國泰勒一號工廠啟動 EUV 光刻機測試，隨後逐步導入蝕刻、沉積等設備，計畫下半年正式投產。《韓國經濟新聞 (KED)》周一(19 日) 報導，為加速進度，三星已向德州政府申請工廠臨時使用許可，可在滿足消防與安全條件下在竣工之前先行運作，並派遣大量「王牌級」工程師駐場，以穩定良率。
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ClearBridge Investments 新興市場股票基金經理人 Divya Mathur 指出，隨著人工智慧（AI）持續推升晶片需求，記憶體類股正成為未來十年最具吸引力的投資標的之一。根據《彭博》彙編的數據，Mathur 聯合管理的 14 億美元規模基金 ClearBridge SMASh Series EM Fund 在過去一年表現擊敗 97% 的同類型基金，而其核心邏輯就於重倉記憶體晶片龍頭。