三星
歐亞股
AI需求持續推升記憶體投資熱潮，三星電子(005930KS) 與SK海力士(000660KS) 今年上半年大舉擴充半導體產能，兩家公司設施投資合計達43.198兆韓元，較去年同期大增35.1%，產能利用率更雙雙達到100%。值得注意的是，兩大記憶體廠客戶結構也出現變化，輝達(NVDA-US) 在SK海力士營收占比明顯下滑，甚至未進入三星前五大客戶名單。
科技
研調機構Counterpoint Research指出，2026年上半年全球高階智慧型手機市場（批發平均售價600美元以上）銷量年增5%，占全球智慧型手機總銷量29%，創歷年上半年新高，高於2025年上半年的25%及2022年上半年的20%。
歐亞股
南韓青瓦台週二(18日)以簡訊形式否認當地媒體關於「韓美正討論將半導體列為對美3500億美元投資承諾首個項目」的報導，並拒絕透露與華盛頓就該投資承諾磋商的細節。南韓《中央日報》稍早引述匿名執政黨官員報導指出，原定8月下旬公布的南韓對美首筆重大投資項目出現變數，因華府上周四(13日)在青瓦台閉門貿易會議上「意外要求韓方投資美國記憶體晶片工廠」，而首爾原先將能源列為對美首投優先領域。
南韓記憶體雙雄三星電子與SK海力士近期遭多家本土券商下修目標價，市場對「記憶體晶片週期是否已過頂」判斷出現明顯分歧。未來證券以「週期頂峰可能早於預期」為由，將三星股價目標價從39萬韓元砍至35萬，未來資產證券亦從55萬降至37萬，信韓投資從59萬降至45萬，三星證券從50萬降至40萬，唯獨KB證券堅持「供給短缺至少再持續3年」，維持60萬韓元目標價不動。
中國記憶體晶片大廠長鑫科技(688825-CN) 上市後股價持續攀升，市值迅速躋身全球最具價值企業之列。根據《Business Insider》報導，長鑫科技上週五（14日）在上海科創板收盤上漲4%。根據倫敦證券交易所集團（LSEG）數據，長鑫科技市值達5,405億美元，僅次於市值5,526億美元的英特爾(INTC-US) ，並超越市值5,058億美元的中國科技巨頭騰訊(00700-HK) ，在LSEG全球企業市值排名中位居第24名。
美股雷達
記憶體市場正出現一項出人意料的變化。瑞銀（UBS）最新研究指出，對美光科技(MU-US) 等記憶體業者而言，隨著產能持續受到擠壓，通用DRAM的獲利能力反而可能優於高頻寬記憶體（HBM），且兩者的毛利率差距未來幾年可能進一步擴大。根據瑞銀數據，美光通用DRAM毛利率2025年約為44%，之後逐步升至50%，進入2026年初更大幅攀升至80%。
南韓綜合股指(KOSPI)週四(13日)盤中一度漲超4%，自7月30日低點5593.56點起算反彈約22%–23%，越過國際市場通用的「從低點回升20%」技術性牛市分界線，正式爬回牛市區間。上月暴跌仍記憶猶新，KOSPI單月重挫22%，創全球金融危機以來最差月度表現；槓桿ETF與單股槓桿部位連鎖強制平倉，超過120萬個帳戶觸發追繳令、30多萬散戶被全額平倉，交易所年內觸發熔斷9次。
最新數據顯示，隨著AI普及推高記憶體晶片需求，中國長江存儲(YMTC)在NAND快閃記憶體領域中躋身全球第三，且在規模更大的DRAM記憶體晶片市場位列全球第四。根據市場研究機構Counterpoint週三(12日)公布的最新數據，YMTC正快速搶佔NAND這一核心晶片領域的市場份額。
AI浪潮不只推升晶片需求，也正反過來重塑半導體產業。三星電子(005930KS) 與SK海力士(000660KS) 加速將AI導入研發與製造，從晶片設計、設備操作到良率控制全面滲透；SK海力士更把AI部署成果直接納入工程師KPI，顯示AI正從輔助工具走向生產核心。
歐亞股
韓國股市週四(13日)強勢攀升，在AI概念股全球反彈的帶動下，基準指數迅速擺脫上個月的歷史性暴跌，邁向技術性牛市。南韓綜合指數(KOSPI) 周四盤中一度大漲4%，較7月30日低點累計反彈逾22%。權值記憶體大廠三星電子(005930KS) 與SK海力士(000660KS) 領漲，兩家公司股價漲幅均超過4%。
三星電子(005930KS) 加速將生成式AI導入晶片研發。系統LSI事業部今年5月開放Anthropic旗下Claude Code後，短短三個月便展現顯著成效，一項原本需耗時逾一個月的客製化SoC功能驗證，僅兩天就完成，效率提升約15倍；另有年資僅兩年的工程師，靠AI一天完成過去需一個月的USB模型開發。
美股雷達
《巴隆周刊》報導，美光科技(Micron Technology)(MU-US)股價周三(12日)與其他晶片股一同上漲，但漲幅落後兩大競爭對手——SK海力士(SK Hynix)(SKHY-US)及三星電子(Samsung Electronics)，原因可能與新加坡有關。
AI驅動的記憶體超級週期把三星電子與SK海力士的現金引擎推到前所未有的轉速，韓媒週三(12日)報導指出，兩家巨頭正在內部討論月底公佈「史上最大規模股東回報方案」，市場甚至估算兩家合計特別分紅、回購註銷等總額可能突破200兆韓元。三星今年Q2營收171.5兆韓元、營業利益89.5兆韓元，雙雙刷新單季歷史紀錄，營業利益率52.2%；DS半導體部門貢獻89.2兆營業利益，佔全集團近99.7%。
台股
台灣三星今 (11) 日在台舉辦新一代旗艦摺疊手機預購取機，包含 Galaxy Z Fold8 Ultra、Galaxy Z Fold8 與 Galaxy Z Flip8 等機種，台灣三星電子行動通訊事業部總經理陳啓蒙表示，全台各大通路早鳥預購反應極為熱烈，整體預購表現較上一代大幅躍升近 30%，不僅展現強勁的換機動能，更吸引大量競品用戶轉購，為行動通訊市場注入顯著活水。
輝達 (NVDA-US) 新平台傳出規格縮水，市場一度解讀為需求降溫訊號，但摩根大通 (JPM-US) 最新報告反駁此說法，認為這其實是供應吃緊下的權宜之計，記憶體大廠仍將迎來史上最長的一波上升循環。近期全球記憶體類股歷經明顯拉回，加上輝達下一代 AI 平台陸續傳出 HBM 高頻寬記憶體、SOCAMM 模組等規格下修的消息，讓不少投資人開始懷疑這波記憶體多頭是否已經見頂。
歐亞股
全球高頻寬記憶體（HBM）龍頭之爭升溫。SK 海力士 (000660KS) 正因獎金與薪酬方案陷入勞資僵局，HBM4 擴產恐面臨變數；三星電子 (005930KS) 則加速追趕，HBM4 良率已突破 80%「黃金良率」。瑞銀預估，三星 2027 年 HBM 位元出貨市占率可望升至 41%，微幅超越 SK 海力士的 39%，全球 HBM 市場龍頭寶座可能易主。
韓媒上週日 (9 日) 披露，南韓三星電子 HBM4 量產良率已在本月初突破 80%「黃金良率」門檻，較原定的年底目標提前約四個月達成。今年 2 月，三星 HBM4 啟動量產時良率尚不足 60%，僅用半年拉升逾 20 個百分點，缺陷率可控、具備規模獲利基礎，標誌著三星在 HBM 賽道正式吹響翻身號角。
隨著人工智慧（AI）伺服器需求爆發推升 DRAM 價格、全球記憶體市場陷入供應緊張，蘋果 (AAPL-US) 傳出正尋求三星電子 (KR005930) 、SK 海力士 (000660KS) 與美光科技 (MU-US) 之外的新供應商，並試用中國長鑫科技 (688825-CN) 的 DRAM，恐成全球 DRAM 市場不可忽視的新變數。
國際政經
最新數據顯示，今年上半年以美元計價的台灣、日本、南韓出口額數字顯示，南韓上半年出口額 4963 億美元、台灣 4166 億美元，雙雙首度超越日本的 3844 億美元。日本雖年增近一成，台韓卻都飆漲近五成，寫下東亞出口版圖的歷史性位移。綜合《CNBC》與《日本經濟新聞》等外媒報導，上述差距源頭在 AI 半導體「終端產品」的卡位。
AI 伺服器買盤瘋搶下，DRAM 與 NAND 快閃記憶體價格過去一年大幅飆漲，由三星、SK 海力士、美光壟斷的記憶體市場陷入嚴重缺貨，但隨著兩大韓廠最新季報揭露「漲價幅度不及預期」，市場開始擔心本輪超級週期是否已近獲利高點。數據顯示，SK 海力士今年第二季 DRAM 均價上季仍漲約 30%、NAND 漲 50%；三星 DRAM 漲幅超 40%、NAND 漲 60%，絕對數字驚人，卻雙雙落後華爾街預期。