艾司摩爾
歐亞股
荷蘭半導體設備巨擘艾司摩爾(ASML)最新公佈第三季獲利優於預期。執行長Christophe Fouquet表示，受人工智慧投資規模與持續時間驅動，客戶正持續上修中短期設備需求，部分客戶甚至表達希望預訂 2029 年乃至 2030 年的極紫外光(EUV)微影設備訂單。
美股雷達
全球半導體設備龍頭艾司摩爾(ASML-US) 指出，部分客戶已開始表達對2029年、甚至2030年下單採購關鍵半導體設備的興趣，顯示人工智慧（AI）投資熱潮帶動的晶片需求，正進一步延伸至未來數年。艾司摩爾第三季獲利優於市場預期，也為關注其長期成長動能的投資人帶來支撐。
美股雷達
博通(Broadcom)(AVGO-US)執行長陳福陽(Hock Tan)在新加坡一場會議上的發言，成為晶片股周一與周二(13日)下跌的原因之一。《MarketWatch》報導，雖然市場聚焦他將人工智慧(AI)投資人比喻為賭場賭徒的言論，但這番話是否代表他看淡AI前景，也引發不同解讀。
美股雷達
《巴隆周刊》報導，艾司摩爾(ASML Holding)(ASML-US)將於週三美股開盤前公布財報，為科技業財報季揭開序幕。隨著處理器需求正大幅成長，這家荷蘭半導體設備製造商可能調高設備售價，提振投資人信心。ASML是歐洲市值最大的企業，並且幾乎壟斷了微影設備市場。
美股雷達
艾司摩爾(ASML)(ASML-US)與其光學合作夥伴蔡司(Carl Zeiss)的工程師在一篇經過同行評審的論文中表示，ASML現有最先進晶片製造設備的後繼技術，可能在約10年內準備就緒。論文指出，這項名為「Hyper NA」的設備將能製作更微小的電路，同時重複利用兩家公司現有的大部分技術，但仍有一些挑戰需要克服。
美股雷達
艾司摩爾(ASML-US)與光學合作夥伴蔡司(Carl Zeiss)的工程師，在一篇同儕審查論文中指出，接替目前最先進曝光機的「Hyper NA」技術，可能約十年後準備就緒，可印製更微小的晶片電路，並沿用大量既有技術，但仍有挑戰待克服。據《路透》周四(8日)報導，艾司摩爾已開始研發Hyper NA，但尚未承諾投入生產，也未立即回應置評要求。
歐亞股
美銀(BAC-US)警告，艾司摩爾(ASML-US)有意切入混合鍵合市場，可能威脅荷蘭設備商貝思半導體(Besi，全名為BE Semiconductor Industries N.V.)(BESIY-US)的成長前景，相關風險尚未反映在股價中。
國際政經
外媒最新報導指出，中國大陸半導體製造企業在美國與荷蘭出口管制下，仍以個案審批、既有庫存與國產研發「兩條腿走路」推進光刻能力。綜合美國智庫報告、《南華早報》及《日經亞洲》相關報導，外界估算中國目前取得的浸沒式深紫外(DUV)光刻機合計約343台，其中約270台為艾司摩爾(ASML)Twinscan NXT:1980i，這批設備雖非極紫外(EUV)，但配合多重曝光已可支撐7奈米邏輯、先進記憶體與AI加速器量產，並為中國國產整機研發爭取緩衝期。
歐亞股
歐洲市值最高的公司在本土市場交出一張空白的成績單，艾司摩爾(ASML)負責全球公共事務的執行副總裁Frank Heemskerk周一(21日)晚間在阿姆斯特丹一場活動上直言：「我們在歐洲根本沒有銷售業務，這是因為歐洲缺乏投資，也沒有新的晶片工廠在建。
美股盤中
艾司摩爾(ASML-US)截至台北時間14日22:35股價下跌94.35美元，報1603.96美元，跌幅5.56%，成交量542,961（股），盤中最高價1610.41美元、最低價1579.03美元。美股指數盤中表現道瓊指數：-0.48%S&P 500指數：-0.78%NASDAQ指數：-0.97%費城半導體指數：-5.15%艾司摩爾(ASML-US)歷史漲跌幅 近 1 週：-0.97% 近 1 月：-8.1% 近 3 月：-8.87% 近 6 月：+26.2% 今年以來：+58.74%。
美股盤中
艾司摩爾(ASML-US)截至台北時間14日22:33股價下跌96.01美元，報1602.29美元，跌幅5.65%，成交量534,093（股），盤中最高價1610.41美元、最低價1579.03美元。美股指數盤中表現道瓊指數：-0.44%S&P 500指數：-0.78%NASDAQ指數：-0.99%費城半導體指數：-5.23%艾司摩爾(ASML-US)歷史漲跌幅 近 1 週：-0.97% 近 1 月：-8.1% 近 3 月：-8.87% 近 6 月：+26.2% 今年以來：+58.74%。
美股盤中
艾司摩爾(ASML-US)截至台北時間14日22:32股價下跌96美元，報1602.31美元，跌幅5.65%，成交量532,847（股），盤中最高價1610.41美元、最低價1579.03美元。美股指數盤中表現道瓊指數：-0.43%S&P 500指數：-0.77%NASDAQ指數：-1.01%費城半導體指數：-5.21%艾司摩爾(ASML-US)歷史漲跌幅 近 1 週：-0.97% 近 1 月：-8.1% 近 3 月：-8.87% 近 6 月：+26.2% 今年以來：+58.74%。
美股盤中
艾司摩爾(ASML-US)截至台北時間14日22:31股價下跌94.01美元，報1604.30美元，跌幅5.54%，成交量528,957（股），盤中最高價1610.41美元、最低價1579.03美元。美股指數盤中表現道瓊指數：-0.43%S&P 500指數：-0.78%NASDAQ指數：-1.04%費城半導體指數：-5.11%艾司摩爾(ASML-US)歷史漲跌幅 近 1 週：-0.97% 近 1 月：-8.1% 近 3 月：-8.87% 近 6 月：+26.2% 今年以來：+58.74%。
美股盤中
艾司摩爾(ASML-US)截至台北時間14日21:30股價下跌104.05美元，報1594.25美元，跌幅6.13%，成交量105,986（股），盤中最高價1595.62美元、最低價1593.01美元。美股指數盤中表現道瓊指數：-0.3%S&P 500指數：-0.76%NASDAQ指數：+0.96%費城半導體指數：+1.81%艾司摩爾(ASML-US)歷史漲跌幅 近 1 週：-0.97% 近 1 月：-8.1% 近 3 月：-8.87% 近 6 月：+26.2% 今年以來：+58.74%。
歐亞股
三星電子周二(8日)宣布，已加入由荷蘭半導體設備商艾司摩爾(ASML)牽頭的聯盟，共同開發下一代半導體製造技術，重點推動12吋光罩技術，取代沿用數十年的6吋格式。三星表示，雙方將基於多年合作基礎攜手推進先進技術研發，滿足先進製程對性能與效率的要求。
美股雷達
艾司摩爾(ASML-US)極紫外光(EUV)微影機光學元件獨家供應商、德國蔡司集團(Zeiss Group)表示，中國在開發最先進晶片製造設備方面，大約落後15年。蔡司集團半導體事業負責人Frank Rohmund接受彭博電視訪問時表示，北京要開發出EUV微影機，大約還需要15年，這是「合理的推測」，不過他也坦言，中國在這方面的實際進展難以量化。
美股雷達
多家外媒報導，瑞銀最新研究指出，中國微影製程技術仍明顯落後艾司摩爾 (ASML)，未來10年內不太可能推出足以取代極紫外光 (EUV) 微影設備的產品。不過，中國在浸潤式深紫外光 (DUV) 微影設備上的進展較快，最快2至5年便可能具備大規模生產能力。
美股雷達
3D NAND快閃記憶體持續向更高堆疊層數邁進，製程材料也迎來關鍵轉變。半導體產業研究機構SemiAnalysis 週日（23日）在X平台發布文章指出，當3D NAND堆疊層數突破約300層後，傳統以鎢（Tungsten，W）製作的字線（word line）逐漸面臨物理與製程限制，鉬（Molybdenum，Mo）可能成為高層數NAND不可避免的材料選擇。
美股盤中
艾司摩爾(ASML-US)截至台北時間18日22:14股價下跌94.21美元，報1788.90美元，跌幅5%，成交量309,513（股），盤中最高價1820.41美元、最低價1788.89美元。美股指數盤中表現道瓊指數：-0.03%S&P 500指數：-0.5%NASDAQ指數：-1.36%費城半導體指數：-5.35%艾司摩爾(ASML-US)歷史漲跌幅 近 1 週：+8.63% 近 1 月：+7.76% 近 3 月：+25.39% 近 6 月：+32.63% 今年以來：+76.02%。
美股雷達
特斯拉 (TSLA-US) 執行長馬斯克旗下傳出籌備中的晶圓廠計畫「TeraFab」，可能捨棄艾司摩爾 (ASML-US) 獨家壟斷的極紫外光（EUV）雷射誘發電漿（LPP）光源技術，改採自由電子雷射（FEL）路線產生曝光所需的短波長光源。若消息屬實，這將是半導體先進製程數十年來最核心的光源技術首度出現挑戰者，牽動的不只是艾司摩爾的市場地位，更可能改寫晶圓代工業長期倚賴單一供應商的產業結構。