HBF
記憶體大廠閃迪 (Sandisk) (SNDK-US) 在投資者日公布最新長期財務目標，預估2028至2030財年營收每年可望維持15%至19%的成長速度，並將調整後毛利率穩定在約80%。樂觀展望緩解市場對記憶體景氣反轉的擔憂，激勵閃迪週四 (13 日) 狂飆13.67%，收每股1,528.11美元，今年以來累計漲幅達455%。
歐亞股
隨著全球人工智慧 (AI) 基礎建設持續擴張，半導體記憶體產業正迎來結構性的轉型。亞洲股市周三 (5 日) 在經歷波動後強勢反彈，南韓 KOSPI 指數收盤漲幅達 3.76%，其中全球記憶體大廠 SK 海力士表現尤為顯著，股價大漲 5.77%。
美股雷達
三星電子在美國聖克拉拉舉行的 FMS 峰會上一口氣發布 zHBM、zNAND-O 兩款概念產品，以及業界首款堆疊超 400 層的 V10 BV-NAND，正面迎戰 SK 海力士與美光，試圖在 AI 時代重奪記憶體話語權。zHBM 最受矚目，徹底顛覆現行 2.5D 封裝架構，不再將 HBM 與 AI 晶片並排於矽中介層上，而是直接垂直堆疊在加速器上方。
台股新聞
SK 海力士今 (4) 日宣布，公司與 Sandisk 合作，共同發布下一代儲存技術高頻寬快閃記憶體 (HBF) 的首個標準規範。SK 海力士與 SanDisk 自去年 8 月啟動 HBF 標準化合作，並於今年 2 月結盟，歷經約 6 個月成就首次規範，一共定義 2 種容量配置，分別使用 8 層與 16 層 NAND 晶片堆疊，支援最高 512GB 容量，頻寬標準依三個等級 (等級 1 至 3) 設定，資料傳輸能力約為 0.4TB/s 至 3.0TB/s。
歐亞股
南韓記憶體巨頭 SK 海力士周二 (4 日) 宣布，與美國 NAND 大廠閃迪 (SanDisk) 聯合發布下一代記憶體技術「高頻寬快閃記憶體」(High Bandwidth Flash, HBF)首套標準規範，正式為 AI 與高效能運算建立全新的儲存層級。
美股雷達
摩根士丹利 (下稱大摩) 週四 (16 日) 發布重磅報告《Global Technology: Innovating the Next-Generation Memory》，直指 AI 發展的下一個關鍵約束已從「計算擴展」轉向「記憶體牆(Memory Wall)」。
國際政經
被韓媒譽為「HBM 之父」的韓國科學技術院 (KAIST) 教授金正浩 (Kim Jung-ho) 醉心表示，AI 的本質就是記憶體。他在接受《東亞日報》專訪時提出上述顛覆性觀點時指出，過去業界過度聚焦模型算法與 GPU 算力，但當大模型實際運行時，注意力機制、上下文緩存 (KV Cache) 與推論生成的每一個環節，都高度依賴記憶體系統的支撐。
歐亞股
韓國科學技術院（KAIST）電機工程系教授金正浩近日接受專訪，針對 HBM 技術發展、AI 算力格局與未來半導體架構提出系統性見解，其核心論點「AI 的本質是記憶體，而不是 GPU，」在科技與投資圈引發廣泛討論。金正浩早在 2010 年代初期便與 SK 海力士合作參與第一代 HBM 開發，此後主導了一系列底層架構研究，被業界尊稱為「HBM 之父」。
美股雷達
據悉，輝達 (NVDA-US) 與亞馬遜 (AMZN-US) 正積極推進新一代儲存架構研發，該架構將允許 GPU 直接操控 SSD 等儲存設備，繞過傳統 CPU 調度環節，大幅提升 AI 運算效能。輝達計劃率先在其 Vera Rubin 平台上導入「GPU 發起直接儲存訪問」（GIDS）技術，此舉也將加速高頻寬快閃記憶體（HBF）的產業普及。
台股新聞
SK 海力士今 (26) 日與晟碟 (SanDisk) 聯合舉辦 HBF 規格標準化聯盟啟動會，正式發佈面向 AI 推理時代的下一代記憶體解決方案 HBF (High Bandwidth Flash) 的全球標準化戰略。SK 海力士表示，公司將與 SanDisk 攜手，共同推動 HBF 成為產業通用標準，為整個 AI 生態系統發展奠定基礎。
美股雷達
美國記憶體大廠 Sandisk 與 SK 海力士周三 (25 日) 在前者總部聯合舉辦「HBF 規格標準化聯盟啟動會」，這標誌著兩大記憶體廠正式啟動高頻寬快閃記憶體(HBF) 的全球標準化進程。《韓聯社》報導，SK 海力士今 (26) 日表示，已與 Sandisk 攜手合作，開始將下一代儲存技術 HBF 標準化，以強化其在 AI 晶片市場的地位。