美國出口禁令

05-29

美禁令催化技術自主 大摩：中國HBM技術差距縮短至3-4年

摩根士丹利 (MS-US)5 月 26 日報告指出，中國在高頻寬記憶體 (HBM) 技術上正快速追趕全球領先者，目前僅落後 3-4 年。美國出口禁令促使中國技術自主化加速，結合 Hybrid Bonding 封裝技術優勢及本土 AI 需求激增，中國有望重塑全球記憶體市場格局。