3D NAND拉警報？廠商投資一窩蜂、明年產能恐爆發

MoneyDJ 新聞 2016-10-06  記者 陳苓 報導

廠商爭相投資，3D NAND Flash 前景不妙？據傳三星電子平澤廠 (Pyeongtaek) 將提前投產，SK 海力士 (SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron) 產能也將於明年下半全面開出，屆時 3D NAND 可能會從供不應求、淪為供給過剩。

BusinessKorea 6 日報導，NAND 需求爆發，據悉三星電子決定平澤廠完工時間提前三個月，改在明年三、四月開始生產第四代 64 層 3D NAND。三星平澤廠完工，加上原本的華城 (Hwaseong) 廠，屆時三星 3D NAND 產能將從當前水準提高兩倍、至 32 萬片。

SK 海力士也準備生產 3D NAND，仁川廠 M14 線無塵室正在裝設儀器，估計第二代 36 層 3D NAND 可在今年第二季出貨、第三季量產。第四季將加碼投資第三代 48 層 3D NAND，估計未來 3D NAND 將佔 SK 海力士產出的一半。

與此同時，陸廠武漢新芯也打算砸下 120 億美元打造新廠，該公司與美商 Spansion 共同研發 3D NAND。日廠東芝則與 Western Digital 攜手，準備量產 3D NAND。

韓媒 etnews 4 日報導，業界消息稱，NAND Flash 價格一路向上，三星眼看機不可失，決定平澤廠將提前三個月投產。目前平澤廠的建築工事進入尾聲，正修築工廠外牆，預料 12 月完工，緊接著要開始設備投資，購買無塵室設施和晶圓生產儀器等。

多名設備業人士表示，三星若想在 2017 年初裝設儀器，現在就得下單，據稱三星不久後就會開始發出訂單。外界預料，平澤廠將名為 18 代線，明年第二季季初或季中開始營運，負責生產第四代 64 層 3D NAND Flash。第一階段每月產量為 4~5 萬片 12 吋晶圓，約為 18 代線總產量的 1/4(總產量為 20 萬片)。估計第一階段投資金額為 27.2~31.7 億美元 (3 兆~ 3.5 兆韓圜)。

南韓媒體朝鮮日報日文版報導，三星 8 月 11 日宣布，第 4 代 V-NAND Flash(3D NAND) 產品將在 2016 年 Q4(10-12 月) 開賣，該款產品將採 64 層堆疊。三星指出，藉由採用 64 層堆疊技術，每片晶圓的儲存容量可較現行技術提高 30%、能有效改善成本競爭力。

三星為全球第一家量產 3D NAND 的廠商，於 2013 年研發出堆疊 24 層的 3D NAND 之後，就逐步將技術升級至 32 層、48 層，此次則進一步提升至 64 層。

東芝 7 月 27 日發布新聞稿宣布，已研發出堆疊 64 層的 3D NAND 製程技術，並自當日起領先全球同業開始進行樣品出貨，且預計將透過甫於 7 月完工的四日市工廠「新第 2 廠房」進行生產。

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