小摩:美370億美元半導體獎勵措施估下半年落地 IDM廠、台積電有望受惠
鉅亨網編譯張博翔 2021-03-16 07:46
美國政府即將為半導體產業推出製造和研究獎勵措施和補貼,摩根大通 (小摩) 預估計畫規模上看 370 億美元,預定下半年開始實施,屆時 IDM 廠、設備廠,以及在美設廠的台積電、恩智浦半導體皆有望受惠。
在全球晶片短缺的情況下,美國國會今年初在 2021 財政年度的《國防授權法案》中納入一系列針對半導體的計畫和獎勵措施,旨在加強美國半導體製造和研發 (R&D) 能力,該法案於今年 1 月通過立法,但尚未撥款。
小摩的晶片分析師 Harlan Sur 周一 (15 日) 表示,這些計畫資金可能會包含在美國總統拜登未來的基礎建設法案中,基建法案是繼 1.9 兆美元刺激政策後,拜登政府施政優先目標之一。Sur 預估,美國基礎設施法案將在今年上半年通過,下半年半導體的計劃將開始撥款。
Sur 預計整體半導體刺激和補貼規模可能在 350 億至 370 億美元之間,其中美國國內 IC 製造端大約為 180 億至 200 億美元,IC 設計端大約為 150 億至 170 億美元。
Sur 表示,依據《國防授權法案》的內容,預估未來分發資金和刺激措施時,美國的整合元件製造廠將會是優先獎勵業者。
根據 Sur,這些美國整合元件製造商 (IDM) 包含英特爾 (INTC-US)、美光 (MU-US)、德儀 (TXN-US)、亞德諾半導體 (ADI-US) 以及安森美半導體 (ON-US) 。
Sur 並表示,符合美國國防相關資格的公司也屬獎勵範圍,而在美國設廠的台積電 (2330-TW) (TSM-US) 與恩智浦半導體 (NXPI-US) 也有望雨露均霑,儘管受惠程度較小。
費城半導體指數 (SOX) 周一上漲 2.26%,以上周五納入標普 500 指數的恩智浦半導體漲勢最為亮眼,上漲 8.96%,上調至標普 100 指數的博通 (AVGO-US) 也有 4.34% 的漲幅。
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