〈觀察〉第三代半導體、先進製程雙軌並進 檢測分析迎高速成長期

隨著 5G、AI、電動車應用興起，半導體衍生出兩大趨勢，一是既有矽基技術走向先進製程，另一則是碳化矽 (SiC) 等新興材料崛起，隨著結構全面轉變，也帶動檢測分析需求進入高速成長期，閎康 (3587-TW)、汎銓 (6830-TE)、宜特 (3289-TW) 等業者均可望大啖相關商機。

業界分析，半導體製程從 5 奈米跨入 3 奈米，不僅線寬逐漸縮小外，主要技術也從現有的鰭式場效電晶體 (FinFET)，改為環繞式閘極結構 (GAA)，金屬閘極自先前的三面包覆，改由全面包覆，電晶體結構出現變化，材料分析需求也跟著增加。

不僅先進製程技術轉變，各家晶圓代工廠為延伸摩爾定律，也力推堆疊封裝，如 2.5D、3D 封裝等，透過邏輯晶片、記憶體晶片相互堆疊，滿足高速傳輸功效，各種異質整合過程中，也衍生出各材料分析的需求。

此外，近來電動車趨勢盛行，不僅新創車廠積極投入，各大傳統車廠也加入研發，期望能加快充電速度，掌握技術優勢，不過，由於第一代、第二代半導體受限材料特性，無法滿足現行需求，因此改採第三代半導體，如碳化矽 (SiC) 等。

不過，由於碳化矽 (SiC) 屬新興材料，相關業者進入初步設計階段時，便面臨挑戰，因此需藉由材料分析提供數據背景、完善整體設計，尤其近來採用第三代半導體的業者增加，材料分析訂單也等比成長。

閎康、汎銓今年已積極擴充研發、分析設備，加上需求強勁，效益已顯現在營收上，兩家 8 月營收分別達 3.03 億、1.3 億元，雙雙創下歷史新高，且為因應客戶需求，也擬定新一輪資本支出計畫。