中國新凱來傳聞將在本周展示DUV 5奈米突破性技術

據《TrendForce》報導指出，隨著中國尋求減少對西方極紫外光 (EUV) 微影系統等晶片製造機器的依賴，該國正積極將現有的深紫外光 (DUV) 技術推向極限。據媒體早前報導，與華為相關的新凱來 (SiCarrier) 可能透過其自對準四重圖案化 (SAQP) 技術，實現中國國內的 5 奈米晶片生產。

南華早報指出，SiCarrier 在 2023 年因一項使用 DUV 工具製造 5 奈米晶片的專利而登上新聞頭條，這項突破被認為與華為 Mate 60 Pro 中的 7 奈米晶片有關。報告補充說，該公司將在中國國際半導體展覽會 (SEMICON China) 上首次公開展示新產品。

根據該公司的微信公眾號，它本周將展示幾款關鍵的晶圓製造工具，每款工具都以一座名山命名。亮點包括峨眉山磊晶產品、武夷山蝕刻系統、長白山化學氣相沉積 (CVD) 設備、普陀山物理氣相沉積 (PVD) 設備以及阿里山原子層沉積 (ALD) 工具。

多重圖案化是解決方案嗎？

南華早報稱，SiCarrier 的首次亮相引起了中國晶片業內人士的關注，這標誌著它首次與國內主要廠商如北方華創 (Naura) 一同公開亮相。北方華創是中國最大的半導體設備公司，專注於蝕刻和薄膜沉積等領域。

SiCarrier 這些神秘產品背後的技術可能是其在 2023 年末獲得專利的四重圖案化技術，該技術旨在使用 DUV 工具製造 5 奈米晶片。

根據報導，這項技術可能透過多次蝕刻矽晶圓來提高電晶體密度和性能。此外，據稱透過利用 DUV 微影技術，它旨在無需 EUV 即可實現 5 奈米製程能力，從而可能降低生產成本。值得注意的是，彭博社指出，中國晶片設備製造商如北方華創和中微半導體設備 (Advanced Micro-Fabrication Equipment) 也在探索蝕刻系統，以配合 7 奈米及更先進製程的多重圖案化技術，因為 EUV 仍然遙不可及。

然而，另一份日媒報導似乎不太樂觀，認為 SiCarrier 聲稱已製造出 28 奈米或更舊製程節點的微影設備，該市場目前由 ASML、尼康和佳能領先。但消息人士告訴日經亞洲，其商業化能力仍然不確定。

EUV 即將進入量產？

與此同時，中國似乎在兩個方面都取得了進展，據報導，其本土 EUV 微影技術也正在取得進展。

根據 TechPowerUp 的報導，華為東莞工廠目前正在測試一套新的系統。此消息最初由著名的科技推特帳號 @Ma-WuKong 透露，表明這台使用雷射誘導電漿 (LDP) 技術的 EUV 機器預計將在 2025 年第三季度進行試生產，目標是在 2026 年實現大規模生產。

根據 TechPowerUp 的說法，中國正在測試的新系統採用 LDP 方法，透過在電極之間汽化錫並透過高壓放電將其轉化為電漿來產生 13.5 奈米的 EUV 輻射，電子和離子碰撞產生所需的波長。