衝刺1.4奈米？三星豪砸1.1兆韓元 購入2台High-NA EUV設備

韓國經濟日報報導，三星電子將在在 2026 上半年投資約 1.1 兆韓元，購買兩台 ASML 最新一代 High-NA EUV，為下一代半導體晶片量產邁出關鍵一步，也被視為三星正式啟動先進製程技術反攻。

業內人士透露，三星電子此前僅在京畿道園區部署一台 High-NA EUV 設備，且主要用於研發環節。此次引進的兩台設備則聚焦「產品量產」，是該公司首次將此類先進設備應用於量產領域。按照規劃，第一台將於今年底前交付，第二台將於明年上半年追加導入。

此次三星計劃引進的設備爲 Twin Scan EXE:5200B，在技術性能上，不僅進一步提升了對準精度，還大幅提高生產效率，被業界公認爲生產下一代半導體晶片與高性能 DRAM 的核心必備設備。

與此前的 NXE 系統相比，Twin Scan EXE:5200B 成像對比度提升 40%，分辨率可達 8 奈米，能讓晶片製造商通過單次曝光實現比 TWINSCAN NXE 系統精細 1.7 倍的電路刻蝕。這一技術突破可將晶體管密度提升至原來的 2.9 倍，在降低大規模生產工藝複雜性的同時，有效提高客戶晶圓廠的晶圓產量，爲半導體產業技術升級提供有力支撐。

值得注意的是，三星預計於 2025 年啟動 2 奈米製程量產，並在 2027 年導入 1.4 奈米節點。在此過程中，High-NA EUV 可望成為縮小線寬與提升良率的核心技術支撐，對其製程競爭力具有關鍵影響。

而台積電目前則尚未將 High-NA EUV 納入 1.4 奈米製程規劃。