花旗：AI算力與儲存需求爆表 半導體設備喜迎新一輪牛市

花旗集團 (Citi) 近日發布研報稱，在全球範圍 AI 算力基礎設施建設浪潮如火如荼及「儲存晶片超級周期」宏觀背景下，半導體設備廠商們——尤其是 ASML、科林研發 (LRCX-US) 及應用材料 (AMAT-US) 這三大半導體設備巨頭們，將是 AI ASIC 與 DRAM/NAND 記憶體晶片產能急劇擴張之勢的最大規模受益者。

花旗預測，全球半導體設備板塊將迎來 Phase 2 牛市上行周期，也就是說，繼 2024-25 年的超級牛市之後有望迎來新一輪牛市軌跡。

據「invest wallstreet」，知名半導體產業分析師 Atif Malik 領導的花旗團隊預測，隨著 AI 晶片與記憶體晶片需求持續激增，台積電 (TSM-US)、三星電子及英特爾(INTC-US) 這三家全球最大規模的晶片製造巨頭，以及儲存晶片製造商 SK 海力士在即將到來的財報披露中將對 2026 年以及之後半導體資本開支指引顯著上調，進而預判 2026 年全球晶圓廠半導體設備 (WFE) 支出更可能向其「最樂觀預測前景」靠攏。

股價方面，美股半導體設備板塊自開年以來無比強勁。ASML 美股 ADR 價格在 2026 年開年已創下歷史新高，1 月 2 日單日漲幅超過 8%，2026 年開年以來漲幅高達 16%，市值接近 5000 億美元。科林研發股價則自 2025 下半年以來可謂屢創歷史新高，2026 年開年以來漲幅高達 20%。應用材料股價在 2026 年開年同樣屢創新高，開年以來漲幅高達 15%。

花旗團隊指出，SK 海力士與三星電子的最大記憶體晶片競爭對手美光科技已在 2025 年 12 月的業績電話會議上將 2026 財年 (截至 2026 年 8 月) 資本開支從此前的 180 億美元上調至 200 億美元，意味著同比大幅增長 45%，其中晶片製造廠幾乎翻倍。美光也表示 2027 財年資本開支也將持續成長。身為三星電子與 SK 海力士在記憶體晶片市場最直接競爭的對手，美光的大幅擴產舉措可能促使這兩家位於南韓的記憶體晶片製造巨頭採取相應資本開支擴張行動以維持市場地位。

值得注意的是，市場對於台積電的晶片產能擴張強勁預期不僅聚焦於輝達 (NVDA-US)、AMD(AMD-US) 及博通 (AVGO-US) 這三大 AI 晶片領導者們帶來的堪稱天量級數據中心 AI 晶片訂單，以及蘋果每年都能夠帶來的龐大消費電子晶片訂單，在資料中心企業級高性能終端 SSD(高性能屬於 NANDeNV Gen5/Gen6)的 SSD 主控晶片可謂極度依賴台積電高端製程產能——這意味者台積電當前產能必然遠遠無法滿足 AI 算力與存儲帶來的「永無止境訂單」，大舉擴張產能可謂迫在眉睫。

Google 在 11 月下旬重磅推出 Gemini3 AI 應用生態之後，這款最前線 AI 應用軟體隨即風靡全球，推動 GoogleAI 算力需求瞬間激增。 Gemini3 系列產品一經發布即帶來無比龐大的 AI token 處理量，迫使 Google 大幅調低 Gemini 3 Pro 與 Nano Banana Pro 的免費訪問量，對 Pro 訂閱用戶也實施暫時限制，疊加南韓近期貿易出口數據顯示 SK 海力士與三星電子 HBM 存儲系統以及企業級 SSD 需求持續強勁，進一步驗證了華爾街近期貿易出口數據顯示 SK 海力士與三星電子 HBM 存儲系統以及企業級 SSD 需求持續強勁，進一步驗證了華爾街所高呼的 AI 熱潮。

隨著微軟、Google 及 Meta 等科技巨頭們主導的全球超大規模 AI 資料中心建設進程愈發火熱，全方位驅動晶片製造巨頭們 3nm 及以下先進製程 AI 晶片擴產與 CoWoS/3D 先進封裝產能、DRAM/NAND 存儲晶片產能擴展大舉加速，半導體設備板塊的長期導體邏輯可謂越來越堅挺。

在華爾街巨頭摩根士丹利、花旗、Loop Capital 及 Wedbush 看來，以 AI 算力硬體為核心的全球人工智慧基礎設施投資浪潮遠未完結，現在僅處於開端，在前所未有的「AI 推理端算力需求風暴」推動之下，持續至 2030 年的這一輪整體 AI 基礎設施投資浪潮規模有望高達 3 兆至 4 兆美元。

花旗報告顯示，2026 年的晶片股主線投資策略絕對不是「泛泛看多半導體」，而是明確落在股票市場半導體設備龍頭領域。花旗的半導體投資策略鎖定「晶片製造大廠們 capex 激增到 WFE 總市場規模擴大，再到半導體設備領導者們訂單 / 營收 / 利潤擴張」的這一價值傳遞鏈條，押注 2026 年半導體設備景氣度繼續上行。

花旗最新測算顯示的 2026 年全球 WFE 市場規模模型約為 1150 億美元 (意味著將同比 + 10%，遠高於過去十年平均增長水平)，並指出三晶片製造大廠(台積電、三星與英特爾) 合計約佔其中的 59%; 同時強調其觀察到的增長趨勢顯示 20266 億美元整體。

尤其是全球晶片代工之王台積電，花旗預計台積電 2026 年 capex 指引區間約 460–480 億美元，並判斷全年可能大幅上修 (花旗與機構投資者們的交流口徑「可到 500 億美元」)。台積電在去年 10 月的業績電話會議上已將 2025 年資本開支區間從此前的 380 億至 420 億美元區間下限上調至 400 億至 420 億美元。

在花旗看來，AI 基建狂潮所拉動的「算力—儲存—先進晶片製造」鏈條決定了半導體設備 capex 黏性比以往任何周期都強勁：基於 AI 訓練 / 推理的海量算力需求不僅推高先進製程邏輯晶片需求，也顯著抬高終端儲存晶片 (尤其 HBM / 企業級 SSD 相關) 的需求強度; 在晶片製造製程複雜度上升背景下，單位晶圓的設備「前沿先進工序數 / 步驟數」增加，設備端更容易體現為需求的持續性與訂單能見度提升。

花旗模型分割假設裡明確給出 NAND +30%、DRAM +12%、Foundry/Logic +10%(其模型口徑)，說明該機構認為 2026 年不是單一的 AI 算力板塊托舉，而是更均衡的先進晶片製程，這往往更利好覆蓋面廣量環、產品組合等完整的半導體設備 / 沉積量（例如沉積 / 測距 / 測

世界半導體貿易統計組織 (WSTS) 近日公佈的最新半導體產業展望數據顯示，全球晶片需求擴張態勢可望在 2026 年繼續強勢上演，且自 2022 年末以來需求持續疲軟的 MCU 晶片以及類比晶片也有望踏入強勁復甦曲線。

WSTS 預計繼 2024 年強勁反彈後，2025 年全球半導體市場將成長 22.5%，總價值將達到 7722 億美元，高於 WSTS 春季給出的展望; 2026 年半導體市場總價值則預計在 2025 年的強勁增長基礎之上大舉擴張至 9755 億美元，接近 SEMI 預測的 2030 年的強勁增長基礎之上大舉擴張至 9755 億美元，接近 SEMI 預測的 2030 年目標。

WSTS 表示，這種連續兩年的強勁增長趨勢將主要得益於 AI GPU 主導的邏輯晶片領域以及 HBM 存儲系統、DDR5 RDIMM 與企業級數據中心 SSD 所主導的存儲領域持續強勁的勢頭，預計這兩個領域都將實現無比強勁的兩位數增長，這得益於擴展推理系統與雲計算基礎設施等領域持續強勁需求。

花旗表示，「Phase 2 上行周期」意味著估值錨從「估值觸底修復」轉向「獲利持續上修」：當 WFE 總盤子從基準情景往牛市情境偏移時，半導體設備領域龍頭公司獲利彈性甚至有可能大於營收彈性 (規模效應 + 產能利用率提升 + 高單股系統比提高約積水)，因此以水價組合用圖線為基準線的圖加乘積圖。

ASML、科林研發以及應用材料，這三大半導體設備巨頭，可謂覆蓋了光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝設備，而這些半導體設備細分領域正是受益於 AI 基建狂潮與存儲超級週期的最佳半導體設備領域。

總部位於荷蘭的光刻機巨擘 ASML 所推出的 EUV 光刻機器，可以說是自 2023 年以來的史無前例全球 AI 熱潮之下，台積電、三星電子等最大規模晶片製造商們打造出為 ChatGPT、Claude 等全球最前沿 AI 應用提供最核心驅動力的 AI 晶片的必備半導體設備，同時也是在當前這輪可能持續到 2027 年「儲存超級週期」宏觀背景之下，SK 海力士與美光科技等儲存巨頭們打造 HBM 儲存系統、資料中心企業級 SSD/DDR 等核心儲存設備所必需具備的機器系統。

AI GPU/AI ASIC 加速器的性能躍遷高度依賴先進邏輯節點 (3nm 到 2nm，或者更先進的 1.8nm、1.6nm)，而這些節點的關鍵層必須使用 EUV 甚至 High-NA EUV 來實現更小線寬與更高擴良率; 阿斯麥的 EUV/High-NA EUV 設備明確面向 3nm 以及 subsub-2nm 同時，AI 訓練 / 推理也把「儲存側」同步點燃：與 AI GPU/AI ASIC 搭配的 HBM 儲存系統既要求 DRAM 製造節點繼續微縮，又要求刻蝕、薄膜沉積、CMP，以及最為關鍵的堆疊封裝與互連環節(TSV / 混合鍵結先進封裝等) 顯著增加製造步驟與設備密度。

應用材料在其最新的技術解讀中指出 HBM 製造流程相對傳統 DRAM 額外增加約 19 個材料工程步驟，並聲稱其最先進的半導體設備覆蓋其中約 75% 的步驟，同時也重磅發布面向先進封裝 / 存儲晶片堆疊的鍵結系統，因此 HBM 與先進封裝製造設備可謂是該公司中長期的強勁增長向量，GAA(環繞柵極)/ 背面供電 (BPD) 等新晶片製造節點設備則將是驅動該公司下一輪強勁增長的核心驅動力。相較於應用材料，泛林集團 (Lam Research) 的優勢則全面集中在先進 HBM 存儲所需的高深寬比 (HAR) 刻蝕 / 沉積與相關工藝能力，並且 3D NAND / 先進 DRAM 結構與互連也都高度依賴泛林獨家的 HAR 工藝。