韓媒：三星將擴大HBM4 DRAM產能 最高升幅約70%

韓媒週五 (5 日) 報導，三星電子 (Samsung Electronics) 正加速擴大下一代 DRAM 產能，計劃將用於高頻寬記憶體第四代 (HBM4) 的先進記憶體產能最高提升約 70%，以因應輝達 (NVDA-US) 與超微 (AMD) (AMD-US) 等 AI 晶片大廠需求快速升溫。

根據報導，三星規劃在其位於南韓平澤市 (Pyeongtaek) 的 P4 廠區新建一條大型先進 DRAM 產線，預計於明年第一季投產，目標是每月可生產最多 12 萬片 DRAM 晶圓，擴產規模接近兩成。

以三星 2026 年平均每月約 66 萬片晶圓的 DRAM 產能估算，這條新產線一旦量產，單一產線即可貢獻接近五分之一的整體產能。

若再加上現有約 6.5 萬片晶圓的 1c nm 月產能，市場推估未來 HBM4 相關產能將占三星 DRAM 總產能約四分之一，顯示三星正加速押注 AI 記憶體需求。

除 DRAM Die 之外，三星也同步強化 HBM4 供應鏈配套。在 HBM4 Base Die 方面，平澤 S5 的 4 奈米產線已全面投入營運，為後續 HBM4 量產提供關鍵支援。

隨著全球企業加速建置 AI 基礎設施與資料中心，高頻寬記憶體 (HBM) 作為 AI 加速器關鍵零組件的需求持續攀升，促使記憶體大廠紛紛擴大投資。

三星此舉是為了強化 HBM4 供應能力，並鞏固其在下一代高頻寬記憶體市場的競爭地位。