三星衝破900層NAND門檻 技術大反攻劍指SK海力士

三星電子在記憶體堆疊技術上再度寫下里程碑。據南韓業界消息，公司已成功打造出全球首個 900 層級 V-NAND（垂直型快閃記憶體）整合系統原型。這項突破不僅象徵三星正式跨入「千層 NAND 時代」門檻，也在競爭激烈的次世代記憶體戰局中，重新鞏固其技術領先地位。

隨著生成式 AI 伺服器、智慧型手機與資料中心固態硬碟（SSD）對大容量、高能效儲存元件的需求呈爆發式成長，NAND 快閃記憶體的堆疊層數已成為檢視元件效能的關鍵指標。

三星此次研發出的 900 層 V-NAND，並非單純依靠物理層數的遞增，而是導入革命性的「單元多重鍵合（CMB，Cell Multi Bonding）」技術，將兩片各 450 層的單元晶圓（Cell Wafer）完美接合為一體。

三星官方強調，目前已成功驗證該原型系統的單元正常運作特性，證明此項技術具備超越理論限制的實際應用可行性。

回顧製程發展，傳統 3D NAND 多採用一次性完成微孔鑽孔與堆疊的「單層堆疊」工藝。然而，隨著層數不斷往上攀升，晶圓變形翹曲（Warpage）與對準偏差（Misalignment）等物理極限逐漸成為良率提升的巨大瓶頸。

為此，三星開發出創新的上卡盤設計，順利克服阻礙 900 層堆疊的最大硬體障礙——晶圓翹曲，並透過獨家專利的「新型套刻校正（Overlay Correction）」技術精準解決晶圓鍵合過程中的微小錯位。

此外，得益於全新設計的位元線（BL）與字線（WL）結構，該款原型晶片在縮減晶片尺寸的同時，更顯著降低了功耗。

在當前的商用量產市場中，三星最新推出的第九代 V9 NAND（286 層）在層數上落後於競爭對手 SK 海力士（SK Hynix）已進入量產的 321 層 4D NAND。

此外，以長江存儲（YMTC）為首的中國記憶體廠正同步擴充產能並加速追趕，近期即將實現 300 層以上 NAND 的量產，恐對南韓大廠帶來中長期的價格競爭壓力。

面對市場挑戰，三星一方面積極推進跳過 300 層、直接導入晶圓對晶圓（W2W）鍵合與低溫蝕刻技術的第十代「V10（400 層以上）」V-NAND 量產投資；另一方面，則藉由在研發端突破 900 層技術瓶頸，築起中長期難以跨越的技術壁壘。

半導體業內人士分析，900 層 NAND 技術的誕生，背後代表的是堆疊工藝範式的顛覆性變革。

此舉除了向全球科技大廠與雲端客戶宣告三星在記憶體技術的龍頭地位未曾動搖外，更可望在中長期防堵對手與中國陣營在產能和價格上的攻勢，主導未來的 AI 高性能記憶體市場。