SK海力士送樣HBM4E給主要客戶AI記憶體競賽再升級

2026年06月18日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 南韓記憶體大廠SK海力士SK Hynix(000660-KS)週四表示，已向主要客戶提供新一代高頻寬記憶體（HBM）產品HBM4E樣品，進一步推進下一世代AI記憶體布局。

公司指出，12層堆疊HBM4E最高傳輸速度可達每針腳16 gigabits per second，電源效率較前一代產品提升超過20%。

HBM是AI晶片的重要元件，廣泛應用於大型語言模型訓練與推論所需的高效能運算系統，包括輝達Nvidia(NVDA-US)的AI處理器。

目前SK海力士為輝達主要HBM供應商，三星電子Samsung Electronics(005930-KS)與美光Micron Technology(MU-US)則持續加大投入，爭取AI記憶體市場商機。

根據Visible Alpha統計，2026年第一季全球HBM市占率約55.5%，明顯高於三星的23.3%及美光的21.2%。市場普遍預期，Nvidia未來將以Vera CPU、Vera Rubin GPU及BlueField-4 DPU為核心建構新一代AI伺服器架構，其中CPU與GPU配置比例將進一步提升，帶動HBM與LPDDR需求同步成長。

在設備端，隨著Nvidia下一代Vera Rubin平台帶動HBM容量與頻寬需求提升，記憶體廠商必須導入更高層數堆疊技術，從目前主流的12層逐步邁向16層甚至20層架構。這將提高晶圓接合、封裝製程、檢測量測（Inspection & Metrology）及最終測試的技術門檻，也帶動相關設備需求增加。尤其在HBM4E與HBM5時代，良率控制將成為關鍵競爭力，具備高精度檢測、先進封裝測試與燒機測試（Burn-in）能力的設備廠商，有望持續受惠於AI記憶體升級趨勢。

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