長鑫LPDDR6開啟風險試產 據稱可望數周內大規模量產

根據最新產業動態，記憶體大廠長鑫存儲 (CXMT)(688825-CN) 旗下的 LPDDR6 記憶體項目已正式進入風險試產階段。此一進展意味著長鑫在晶片製造工藝與技術演進上，正努力縮小與三星、SK 海力士及美光 (MU-US) 等國際記憶體龍頭的差距。

在產品規格方面，長鑫首批 LPDDR6 晶片的傳輸速率達到 12.8Gbps，優於 JEDEC 標準定義的 10.7Gbps 基準速率。

根據陸媒「快科技」的分析，相較於目前在極限狀態下才能達到 10.7Gbps 的 LPDDR5X，新一代 LPDDR6 在常規狀態下的頻寬效能即提升了約 20%。該晶片單顆容量為 16Gb(相當於 2GB)，採用 1295 針 BGA 球柵陣列的 PoP(堆疊封裝) 技術，能有效優化智慧型手機等行動裝置的內部空間配置。

報導稱，目前長鑫正積極向主流手機廠商與運算平台提供樣品進行驗證。若原型測試符合預期，該產品有望於年內邁入大規模量產階段。報導指出，憑藉其產能建設的高效率，風險試產後的量產窗口期可能縮短至數周。

針對競爭態勢，雖然 SK 海力士等對手已投入研發 14.4Gbps 的更高規格產品，但「快科技」認為，長鑫的 12.8Gbps 版本更貼合現階段市場的實際量產需求，屬於較為務實的發展策略。此外，隨者端側 AI 大模型的普及，LPDDR6 的高頻寬能力將有助於緩解本地 AI 推理的性能瓶頸，對供應鏈安全具備現實意義。