AI封裝再升級 三星秀150mm超大玻璃基板、最高堆疊30層

三星電子(005930KS) 搶攻 AI 先進封裝，於 KPCA Show 2026 展出面向 AI 晶片封裝的玻璃芯封裝基板（Glass-Core Package Substrate），基板尺寸可達約 150mm × 150mm，最高支援約 30 層堆疊，並揭露完整 TGV 製程技術，展現玻璃基板朝工程驗證與量產推進的布局。

三星此次現場展示從玻璃芯裸板到玻璃基板成品的完整樣品。玻璃芯裸板已完成 TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）加工，可看到均勻分布的微孔陣列；完成品則進一步經過線路層壓合、金屬化及 RDL（Re-distribution Layer，再佈線層）等製程，已具備多晶片及被動元件貼裝所需的開窗與焊盤。

三星鎖定 AI 加速器與伺服器等級晶片對大尺寸、高密度 I/O 的需求。相較傳統有機基板，玻璃材料具備更高的平整度，可進一步縮小線寬／線距（L/S）、TGV 間距及通孔直徑，提升訊號線佈線密度。

三星此次公布的核心規格顯示，玻璃芯厚度介於 400 至 1000 微米，TGV 通孔直徑約為 50 至 150 微米，並採用全銅填充（Cu Full Fill）方式進行金屬化。

在層數方面，三星比較 10 層有機基板與 6 層玻璃基板後指出，在維持相同或更佳傳輸特性的情況下，玻璃基板可將層數減少 40%。

除了佈線能力，玻璃基板在翹曲、功耗與散熱表現也有所改善。三星資料顯示，玻璃基板在常溫下的翹曲度改善約 69%，高溫條件下改善幅度最高達 95 個百分點；耗電量降低 42%，電源效率提升 58 個百分點，散熱速度則提升至約 2.7 倍。

三星也揭露玻璃芯基板的四大關鍵製程。首先透過雷射改質搭配化學濕式蝕刻，在玻璃內形成高長徑比、孔壁平滑的微細 TGV；接著利用金屬種子層沉積與全銅填孔，在通孔內形成低電阻且具機械可靠性的銅柱。

完成全銅填孔後，再導入化學機械研磨（CMP），移除表面多餘銅層，提高玻璃表面與銅通孔端面的平整度，為後續亞微米級 RDL 線路圖形化奠定基礎。

三星也採用雷射與蝕刻技術進行貫穿及盲腔加工，可在玻璃芯內製作嵌入式腔體，供電容、電感等被動元件嵌入，以縮短供電路徑。

從此次展示來看，三星已建立從雷射改質蝕刻、全銅填孔、CMP 到 Cavity 腔體加工的完整 TGV 製程框架，並展示最高約 30 層的佈線承載能力。

三星在 KPCA Show 2026 不僅展示玻璃芯裸板及完成品，也進一步公開大尺寸玻璃基板核心規格與完整 TGV 工業化製程路徑。

從 150mm × 150mm 基板、最高約 30 層堆疊，到微細 TGV 與全銅填充製程，顯示三星玻璃芯基板布局已進入工程驗證與量產攻堅階段，持續朝 AI 晶片先進封裝應用推進。