長鑫科技第五代記憶體平台進入量產！製程縮至11.95奈米、推兩款LPDDR5X晶片

中國主要動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商長鑫科技(688825-CN) 週日（20日）宣布，其第五代技術平台已進入量產階段。該公司宣稱，這項突破有望協助中國在全球記憶體晶片市場，與三星電子(005930KS) 、SK海力士(000660KS) 及美光科技(MU-US) 競爭。

根據《路透》報導，長鑫科技表示，新技術平台旨在以更低成本及更低功耗，生產效能更強大的記憶體晶片。DRAM是智慧型手機、電腦及其他裝置執行應用程式與軟體時所使用的短期工作記憶體。

長鑫今年已在上海證券交易所科創板掛牌上市，並指出新平台將為電子產品製造商提供更多智慧型手機及其他裝置所需晶片的供應來源。

長鑫表示，新平台能讓負責儲存資料的微小結構排列得更加緊密，使每顆晶片容納更多記憶體，並提高每片矽晶圓可生產的獨立晶片數量。

這家總部位於合肥的記憶體晶片製造商指出，已將晶片資料儲存區的關鍵結構間距縮小至11.95奈米，約為120億分之1公尺。

長鑫透過「四重圖案化」（quadruple patterning）技術達成這項成果。該製程會重複執行多個製造步驟，以形成更精細的電路圖案。

長鑫副總裁兼行銷中心負責人羅曉東在合肥舉行的2026年世界製造業大會上表示：「我們目前的製程能力，已與業界最先進的量產製程節點相當。」

長鑫科技推出兩款新型LPDDR5X晶片

長鑫同時發布兩款採用新平台製造的24Gb LPDDR5X產品。LPDDR5X屬於低功耗DRAM，主要應用於智慧型手機及其他可攜式電子裝置。

長鑫表示，這兩款產品的單顆容量較前一代同類產品增加50%，目前已進入量產，並提供兩種封裝形式，以因應不同智慧型手機及可攜式裝置的設計需求。

在晶圓生產效率方面，長鑫指出，以8Gb晶片作為基準，新平台每片晶圓可產出的晶粒總數，至少較第四代平台增加50%。

不過，公司強調，這項數據反映的是晶圓在扣除瑕疵品前的潛在晶粒產出數量，並不代表最終通過測試的晶片比例。

長鑫表示，新平台的開發結合電腦模擬技術，以及與中國晶片設備製造商在關鍵製程上的合作。

此次技術進展正值中國政府尋求降低對外國半導體技術依賴之際。自2022年起，美國出口管制已限制中國取得部分先進晶片製造設備及相關軟體。