《路透》：美對陸半導體限制 SK海力士紐約州晶片廠卡關

SK海力士赴美投資卡關 大連廠設備許可成紐約建廠關鍵

《路透》週二 (3 日) 引述知情人士報導，SK 海力士旗下 Solidigm 擬斥資約 450 億美元，在紐約州興建兩座 NAND 快閃記憶體廠，但計畫能否推進，取決於美方是否批准中國大連廠所需的設備出口許可。SK 海力士原計畫提高大連廠產量，以增加營收，支援美國新廠投資，但因美方限制中國半導體產能擴張，相關設備出口許可遲未獲准，使這項投資安排受阻。

這場協商的核心，在於 SK 海力士將中國廠區的生產與獲利能力，視為支撐美國投資的重要條件；美國商務部卻不願放寬限制，讓更多美製設備用於中國境內晶片廠的技術升級或產能擴張。

目前美方尚未正式駁回申請，談判仍在進行。

兩名知情人士透露，Solidigm 規劃在紐約州馬西鎮 (Marcy) 投資約 450 億美元，興建兩座 NAND 工廠，長期總投資額可能增至約 1,000 億美元。

NAND 是斷電後仍可保存資料的記憶體，廣泛用於固態硬碟及資料中心儲存設備。不過，這項投資尚未正式定案。

知情人士表示，為了支應美國建廠並維持市場競爭力，SK 海力士希望在大連廠導入美製設備，提高產量並發展更先進的 NAND 製造技術，因此向美國商務部申請出口許可。

爭議焦點之一，是在大連廠既有無塵室內增設設備，是否構成產能擴張。

SK 海力士主張，相關無塵室早在 2023 年就已建成，因此填補既有空間不應被視為擴產；但美方仍堅持，不允許新增美製設備用於升級技術或擴大產能。

據一名知情人士透露，Solidigm 高層自 8 月下旬以來，已與美國商務部官員會面近 10 次，但在上週的會議中，商務部次長凱斯勒 (Jeffrey Kessler) 仍維持上述立場。商務部尚未正式駁回這項設備出口申請。

除這項涉及大連廠新增設備的申請外，雙方也正在協商另一項 2027 年出口許可，供廠區維持營運使用。

兩項許可的用途不同，前者涉及新增生產設備，後者則關係到既有工廠的持續運作。

目前的僵局，反映川普政府吸引製造業投資與維持對中科技管制之間的政策取捨。

若批准大連廠相關申請，可能有助於促成紐約州的大型投資，卻也涉及美方原本不願允許的中國境內產能與技術發展。

美中經濟暨安全檢討委員會委員米勒 (Leland Miller) 表示，整體安排最終仍須取得白宮同意，才能向前推進。白宮與美國商務部均未立即回應置評要求。

知情人士指出，8 月下旬，Solidigm 共同執行長 Richard Chin 等高層，曾與商務部長盧特尼克 (Howard Lutnick) 及凱斯勒會面。

美方官員當時對潛在投資與美國 NAND 工廠展現興趣，也有意尋求解決方案。此後，Solidigm 配合商務部討論，多次調整許可申請內容，但仍未取得批准。

紐約州地方官員則期待協商盡快取得進展。

預定廠址所在的奧奈達郡郡長皮森特 (Anthony Picente) 表示，希望未來幾週內能有答案，並指出一項聯邦投資抵減優惠將於年底到期。

除了設備許可，Solidigm 的籌資安排也出現變化。

公司先前曾評估透過首次公開發行 (IPO)，支應美國生產設施投資並因應記憶體需求成長，但 SK 海力士在 10 月 23 日表示，考量近期市場情況與股價走勢，已停止檢視相關 IPO 選項。

公司強調，擴充 Solidigm 產能及強化競爭力，仍是重要優先事項。

對於紐約建廠構想，Solidigm 尚未作出承諾。

公司表示，目前正評估在全球潛在地點興建 NAND 記憶體廠的選項，尚未就任何具體方案作出決定。

SK 海力士則未立即於非營業時間回應置評要求。

大連廠的設備限制，源於美國近年收緊對中國半導體產業的出口管制。

SK 海力士於 2020 年同意以 90 億美元收購英特爾 (INTC-US) 的 NAND 業務，包括大連廠，並在美國實施廣泛設備出口管制前不久，接手該廠及固態硬碟業務。

美方最初給予中國境內外資晶片廠相關豁免，但商務部於 2025 年撤銷原有授權，改採年度出口許可，讓供應商在數量限制下提供特定設備與技術。

商務部當時已明確表示，無意核准用於技術升級或產能擴張的許可，而這項政策界線，如今成為 SK 海力士推進紐約投資必須跨越的障礙。