HBM
據韓媒《經濟日報》報導，業界內部人士透露，三星電子已成功從輝達 (NVDA-US) 獲得 2026 年第二代 SOCAMM 晶片的重大訂單。輝達計畫向全球 DRAM 產業採購總計約 2000 億 GB 的 SOCAMM 2 晶片。在這筆大規模交易中，三星電子獲得了約 1000 億 GB 的供貨訂單，這意味著其供應量占據了輝達第二代 SOCAMM 記憶體的一半。
南韓媒體近日報導指出，三星電子正全力投入矽光子技術，試圖以此顛覆「AI 晶片代工」格局，向台積電發起挑戰，矽光子被視為未來 AI 半導體市場的顛覆性技術。它利用光的強度和波長傳輸訊息，具速度快、發熱量低、能耗低等顯著優點。不同於傳統上將資料資訊儲存在銅線上的半導體，矽光子技術將資訊封裝在光中，透過光纖 (波導) 傳輸，幾乎沒有電阻，不僅能實現更快的傳輸速度，還能大幅降低發熱量和功耗。
南韓媒體《Sedaily》周一 (1 日) 援引消息人士報導，隨著 DRAM 價格飆升，三星半導體拒絕與 Galaxy 手機部門簽訂長期合約。三星電子半導體 (DS) 部門拒絕行動體驗 (MX) 事業部的記憶體半導體長期供應請求，正調整生產線，重點生產 AI 加速器使用的高頻寬記憶體 (HBM) 和行動用低功耗 DRAM(LPDDR)等高利潤產品來將收益最大化。
谷歌 (GOOGL-US) 第七代 TPU 的崛起正推動 HBM(高頻寬記憶體) 市場需求持續成長，《朝鮮日報》等韓媒最新報導指出，三星電子與 SK 海力士已成為谷歌 TPU 供應鏈的關鍵角色，其中 SK 海力士有望成為谷歌第七代 TPU 中 HBM3E 8 層晶片的首選供應商，並將獨家為谷歌改進型產品 TPU 7e 供應能效更高的 HBM3E 12 層晶片。
國際政經
2025年11月29日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 美光科技(MU-US)計畫投資1.5兆日圓（約96億美元）在日本廣島興建先進高頻寬記憶體（HBM）晶片新廠，主要目標是因應人工智慧及資料中心快速成長所帶動的HBM晶片需求。預計明年5月在現有廠房基地開始動工，並力拼2028年開始出貨。
美股雷達
知情人士指出，美國半導體製造公司美光科技 (MU-US) 將投資 1.5 兆日元（約 96 億美元）在日本西部的廣島興建一座新工廠，用於生產先進的高頻寬記憶體（HBM）晶片。《路透》引述《日經》週六（28 日）報導指出，美光計劃於明年 5 月在現有基地動工，並在 2028 年前後開始出貨，日本經濟產業省將為該項目提供最高 5000 億日元的補助。
科技
研調機構 TrendForce 集邦諮詢周四 (27 日) 在深圳主辦「MTS 2026 儲存產業趨勢研討會」，該機構半導體研究處資深研究副總吳雅婷在會上深入分析 2026 年 DRAM 記憶體產業發展趨勢，為業界提供了重要參考。分析指出，2026 年，DRAM 供應將成長 20%，高頻寬記憶體 (HBM) 在總供應當中佔比為 9.1%。
美股雷達
戴爾、惠普等美國消費性電子巨頭本周紛紛發出警告，隨著 AI 基礎設施建設需求爆炸性成長，明年記憶體晶片供應恐面臨嚴重短缺的情形。此前，小米等下游廠商均已對潛在的晶片漲價發出警報，聯想等企業也開始囤積記憶體晶片以應對成本上升，而 Counterpoint Research 本月初也預測，受關鍵晶片短缺影響，明年第二季前的記憶體價格料將比現在價格再上漲約 50%。
台股新聞
研調機構 TrendForce 最新調查，2025 年第三季由於一般型 DRAM(conventional DRAM) 合約價上漲、出貨量季增，且 HBM 出貨規模擴張，推升 DRAM 產業營收較前一季成長 30.9%，達 414 億美元。其中，市占率依序為 SK 海力士、三星與美光 (MU-US)，其中，美光市佔率增加 3.7 個百分點。
美股雷達
隨著 AI 算力需求的爆發式增長，加上儲存產業「超級週期」的全面開啟，記憶體晶片價格持續飆升，正以前所未有的速度影響全球電子產業鏈，從 GPU、SoC 到被動元件無一倖免。一名記憶體晶片原廠員工向媒體透露，目前產品供不應求，「就算手機廠不下單，我們也能將產能轉向伺服器客戶，他們同樣缺貨，而且售價更高。
台股新聞
研調機構 Counterpoint Research 最新報告指出，輝達 (NVDA-US) 有意將伺服器的 DDR 轉向 LPDDR，意味著輝達將成為一家大型智慧型手機製造商級別的客戶，這對供應鏈來說將是一次巨大的轉變，供應鏈恐難以承受如此巨大的需求，因此預計 2026 年底 DDR5 64GB RDIMM 的 DRAM 模組價格將較今年初上漲 2 倍。
美股雷達
根據市調機構 Counterpoint Research 周三 (19 日) 發布的報告指出，輝達 (NVDA-US) 近期決定將人工智慧 (AI) 伺服器改採手機與平板常用的 LPDDR 低功耗記憶體後，恐在供應鏈掀起重大衝擊，並可能使伺服器記憶體價格在 2026 年底前翻倍。
美股雷達
據《CNBC》周一 (17 日) 報導，晶片製造商和分析師警告，記憶體短缺可能在明年衝擊消費電子和汽車產業。業者們優先供應 AI 伺服器所需的高階記憶體，導致消費性電子用的產能遭排擠，部分晶片價格已較 9 月暴漲 60%。中國最大晶圓代工廠中芯國際 (00981-HK) 執行長趙海軍上周五在法說會上透露，客戶因擔心記憶體供應不足，連帶暫緩其他類型晶片的訂單。
歐亞股
南韓半導體巨頭 SK 集團週日 (16 日) 宣布，計畫在 2028 年前於南韓境內投資 128 兆韓元 (約 883 億美元)，重點放在製造晶片，以滿足人工智慧（AI）領域日益成長的需求。同時，該公司將在龍仁晶片集群建設 4 家大型半導體製造廠，投資金額可能會增加到 600 兆韓元。
台股新聞
晶背供電（BSPDN）與再生晶圓正推動摩爾定律邁向新里程碑。當 2 奈米製程進入量產前夕，這兩項技術成為晶片效能提升與製程微縮的關鍵支柱，也牽動全球晶圓廠與材料供應鏈的重整。這場技術革命，正為半導體產業開啟新一輪結構性升級與策略佈局契機。〈全球電力設備升級潮：AI 與能源的雙重壓力〉隨著晶片尺寸逼近物理極限，傳統電源設計已難以支撐高效能運算的功耗需求，晶背供電透過將電源網路轉移至晶圓背面，可有效降低電阻與功率損耗，使電流可短距離直達電晶體，釋放正面金屬層空間。
美股雷達
晶片設備製造商應用材料 (Applied Materials)(AMAT-US) 周四 (13 日) 公布的上季營收、獲利優於市場預期，本季財測也跑贏分析師預測，但盤股價依然走跌，可能反映投資人希望在近期股價拉漲一波之後，看到更強勁的表現。Q1 財測關鍵數字 vs 分析師預測營收：68.5 億美元 vs 67.6 億美元調整後 EPS：2.18 美元 vs 2.13 美元在人工智慧 (AI) 熱潮下，對先進記憶體晶片的需求與日俱增，這不但刺激生產設備的投資，也帶動應材工具的訂單。
摩根士丹利 (下稱大摩)(MS-US) 最新表示，一場由 AI 驅動的記憶體「超級週期」已正式降臨，其強度、邏輯與持續性均遠超過以往任何一輪行情。報告指出，本輪週期核心變數在於需求端的徹底重構，不再是傳統價格敏感型客戶主導，而是 AI 資料中心與雲端服務商為建構算力基礎設施展開的「軍備競賽」。
全球記憶體晶片市場正以超預期速度從低谷中強勢復甦，三星、SK 海力士、西部數據 (WD)、美光等巨頭最新一季財報集體報喜，不僅獲利利潤雙位數增長，更釋放出記憶體進入新一輪「超級週期」的強烈信號。這場由 AI 需求驅動的產業變革，正重塑全球記憶體產業競爭格局與成長邏輯。
科技
被譽為「高頻寬記憶體 (HBM) 之父」的南韓科學技術院教授金正浩最新表示，AI 時代的權力平衡正從 GPU 轉向記憶體，他的判斷正隨著高頻寬快閃記憶體 (HBF) 的技術突破，加速照進了現實。金正浩近日在 YouTube 節目中拋出上述震驚業界的觀點，HBF 是結合 3D NAND Flash 高密度與 HBM 特性的創新儲存技術，其核心架構類似 HBM 的 8-16 層垂直堆疊設計，但以 NAND Flash 替代 DRAM，透過矽通孔 (TSV) 與微凸點技術連接各層，將邏輯晶片與記憶體陣列鍵合，支持並行訪問多個 NAND 子陣列，大幅提升帶寬與吞吐量。
中國深圳華強北電子市場近日掀起罕見價格風暴，固態硬碟 (SSD)、DDR4 等記憶體產品在 3 個月內價格普遍翻漲一倍，漲幅超越水貝黃金市場，被部分消費者及商家稱為「年度最佳理財產品」。華強北商家周日 (9 日) 熱度堪比黃金賣場，商家在受訪時感慨「一天一價、有價無貨」，幾乎所有記憶體產品都在瘋漲。