HBM
在中國深圳華強北電子市場裡，記憶體晶片現貨價格牌每日刷新，這場由 AI 算力需求引爆的記憶體風暴，正沿著產業鏈掀起驚濤駭浪。當全球記憶體巨頭將產能傾斜至高利潤的 AI 專用晶片，消費性電子領域正經歷一場前所未有的成本大考。近日，戴爾與聯想兩大 PC 巨頭相繼向企業客戶發出漲價通知，宣告 2026 年新品價格最高將上調 20%。
歐亞股
外媒最新報導指出，SK 海力士正考慮在紐約上市的可能性，此舉被認為可能有助於縮小這家南韓晶片製造商與美光科技 (MU-US)等美國同業之間的估值差距。該公司股票今 (10) 日在韓股早盤交易中一度上漲 4.8%。今年以來，該公司股價在高頻寬內存強勁需求推動下已飆升約 240%。
全球半導體市場在 12 月初陷入前所未有的動盪，消費級 CPU 與 GPU 價格持續攀升，裝置成本陡增，加上美國突然宣布允許輝達 (NVDA-US) 賣 H200 給中國，這場由產能爭奪、地緣政策與技術迭代交織的產業變局，正深刻重塑全球晶片供應鏈格局。
全球 AI 軍備競賽引爆記憶體危機，此前戴爾科技 (DELL-US) 在最新財報中預警，AI 伺服器熱潮正遭遇記憶體瓶頸，供應短缺已推高成本並拖累交付進度。改造資料中心以適配 AI 伺服器的熱潮暴露出一系列供應瓶頸，其中包括由三星、SK 海力士和美光科技 (MU-US) 主導的記憶體市場的短缺。
美光科技 (MU-US) 財報前，瑞銀 (UBS) 發表了樂觀預測及評估，其核心觀點是：記憶體產業正迎來結構性轉變，且傳統 DDR 記憶體將因 HBM 產能擠壓，而成為新的主要獲利引擎。瑞銀重申了對美光科技的「買入」(Buy) 評級，並將目標價維持在 275.00 美元。
全球記憶體晶片巨頭美光科技 (MU-US)上周三 (3 日) 突然宣布一項令業界震驚的策略調整，徹底退出消費記憶體業務。根據官方聲明，旗下知名記憶體及固態硬碟品牌 Crucial(英睿達)產品線將於明年 2 月前全面撤出市場通路。這一決定離消費級儲存產品價格全線暴漲的周期僅數月之隔，且未預留充足清庫時間，被業內視為「緊急避險式撤退」。
中國在記憶體領域正展現出強勁的發展勢頭，引發全球矚目，長江存儲科技作為業內新興力量，取得了令人矚目的成就，其新型儲存半導體堆疊層數約達 270 層，接近三星電子水準，這項技術突破讓競爭對手驚嘆「沒想到技術水平提高到這種程度」。在中美對立的大背景下，長江存儲借助中國政府鼓勵使用國產半導體的優惠政策，迅速提昇技術實力，NAND 銷售份額首次超過全球 10%。
歐亞股
據韓媒《經濟日報》報導，業界內部人士透露，三星電子已成功從輝達 (NVDA-US) 獲得 2026 年第二代 SOCAMM 晶片的重大訂單。輝達計畫向全球 DRAM 產業採購總計約 2000 億 GB 的 SOCAMM 2 晶片。在這筆大規模交易中，三星電子獲得了約 1000 億 GB 的供貨訂單，這意味著其供應量占據了輝達第二代 SOCAMM 記憶體的一半。
台股新聞
南韓媒體近日報導指出，三星電子正全力投入矽光子技術，試圖以此顛覆「AI 晶片代工」格局，向台積電發起挑戰，矽光子被視為未來 AI 半導體市場的顛覆性技術。它利用光的強度和波長傳輸訊息，具速度快、發熱量低、能耗低等顯著優點。不同於傳統上將資料資訊儲存在銅線上的半導體，矽光子技術將資訊封裝在光中，透過光纖 (波導) 傳輸，幾乎沒有電阻，不僅能實現更快的傳輸速度，還能大幅降低發熱量和功耗。
歐亞股
南韓媒體《Sedaily》周一 (1 日) 援引消息人士報導，隨著 DRAM 價格飆升，三星半導體拒絕與 Galaxy 手機部門簽訂長期合約。三星電子半導體 (DS) 部門拒絕行動體驗 (MX) 事業部的記憶體半導體長期供應請求，正調整生產線，重點生產 AI 加速器使用的高頻寬記憶體 (HBM) 和行動用低功耗 DRAM(LPDDR)等高利潤產品來將收益最大化。
谷歌 (GOOGL-US) 第七代 TPU 的崛起正推動 HBM(高頻寬記憶體) 市場需求持續成長，《朝鮮日報》等韓媒最新報導指出，三星電子與 SK 海力士已成為谷歌 TPU 供應鏈的關鍵角色，其中 SK 海力士有望成為谷歌第七代 TPU 中 HBM3E 8 層晶片的首選供應商，並將獨家為谷歌改進型產品 TPU 7e 供應能效更高的 HBM3E 12 層晶片。
國際政經
2025年11月29日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 美光科技(MU-US)計畫投資1.5兆日圓（約96億美元）在日本廣島興建先進高頻寬記憶體（HBM）晶片新廠，主要目標是因應人工智慧及資料中心快速成長所帶動的HBM晶片需求。預計明年5月在現有廠房基地開始動工，並力拼2028年開始出貨。
美股雷達
知情人士指出，美國半導體製造公司美光科技 (MU-US) 將投資 1.5 兆日元（約 96 億美元）在日本西部的廣島興建一座新工廠，用於生產先進的高頻寬記憶體（HBM）晶片。《路透》引述《日經》週六（28 日）報導指出，美光計劃於明年 5 月在現有基地動工，並在 2028 年前後開始出貨，日本經濟產業省將為該項目提供最高 5000 億日元的補助。
科技
研調機構 TrendForce 集邦諮詢周四 (27 日) 在深圳主辦「MTS 2026 儲存產業趨勢研討會」，該機構半導體研究處資深研究副總吳雅婷在會上深入分析 2026 年 DRAM 記憶體產業發展趨勢，為業界提供了重要參考。分析指出，2026 年，DRAM 供應將成長 20%，高頻寬記憶體 (HBM) 在總供應當中佔比為 9.1%。
美股雷達
戴爾、惠普等美國消費性電子巨頭本周紛紛發出警告，隨著 AI 基礎設施建設需求爆炸性成長，明年記憶體晶片供應恐面臨嚴重短缺的情形。此前，小米等下游廠商均已對潛在的晶片漲價發出警報，聯想等企業也開始囤積記憶體晶片以應對成本上升，而 Counterpoint Research 本月初也預測，受關鍵晶片短缺影響，明年第二季前的記憶體價格料將比現在價格再上漲約 50%。
台股新聞
研調機構 TrendForce 最新調查，2025 年第三季由於一般型 DRAM(conventional DRAM) 合約價上漲、出貨量季增，且 HBM 出貨規模擴張，推升 DRAM 產業營收較前一季成長 30.9%，達 414 億美元。其中，市占率依序為 SK 海力士、三星與美光 (MU-US)，其中，美光市佔率增加 3.7 個百分點。
美股雷達
隨著 AI 算力需求的爆發式增長，加上儲存產業「超級週期」的全面開啟，記憶體晶片價格持續飆升，正以前所未有的速度影響全球電子產業鏈，從 GPU、SoC 到被動元件無一倖免。一名記憶體晶片原廠員工向媒體透露，目前產品供不應求，「就算手機廠不下單，我們也能將產能轉向伺服器客戶，他們同樣缺貨，而且售價更高。
台股新聞
研調機構 Counterpoint Research 最新報告指出，輝達 (NVDA-US) 有意將伺服器的 DDR 轉向 LPDDR，意味著輝達將成為一家大型智慧型手機製造商級別的客戶，這對供應鏈來說將是一次巨大的轉變，供應鏈恐難以承受如此巨大的需求，因此預計 2026 年底 DDR5 64GB RDIMM 的 DRAM 模組價格將較今年初上漲 2 倍。
美股雷達
根據市調機構 Counterpoint Research 周三 (19 日) 發布的報告指出，輝達 (NVDA-US) 近期決定將人工智慧 (AI) 伺服器改採手機與平板常用的 LPDDR 低功耗記憶體後，恐在供應鏈掀起重大衝擊，並可能使伺服器記憶體價格在 2026 年底前翻倍。
美股雷達
據《CNBC》周一 (17 日) 報導，晶片製造商和分析師警告，記憶體短缺可能在明年衝擊消費電子和汽車產業。業者們優先供應 AI 伺服器所需的高階記憶體，導致消費性電子用的產能遭排擠，部分晶片價格已較 9 月暴漲 60%。中國最大晶圓代工廠中芯國際 (00981-HK) 執行長趙海軍上周五在法說會上透露，客戶因擔心記憶體供應不足，連帶暫緩其他類型晶片的訂單。