HBM
A股
《路透》周二 (21 日) 援引知情人士消息報導，中國記憶體晶片製造商長鑫存儲技術有限公司 (ChangXin Memory Technologies，簡稱 CXMT) 計劃最早於明年第一季在上海證券交易所上市，估值最高可達人民幣 3,000 億元(約合 421 億美元)。
科技
全球晶片製造商競逐 AI 晶片熱潮的同時，正意外攪動傳統半導體市場格局。隨著輝達等企業對高頻寬記憶體 (HBM) 晶片需求激增，三星電子、SK 海力士等記憶體巨頭將產能向高階 AI 晶片傾斜，加上中國長鑫儲存等對手在低階市場的擠壓，智慧手機、PC 及伺服器所需的傳統記憶體晶片供應迅速趨緊，引發價格飆升與搶購潮，更讓超週期晶片商意外收穫。
科技
南韓股市近期強勢攀漲，南韓綜合指數 (KOSPI) 指數周三 (15 日) 收漲 2.68% 至 3657.28 點，續創歷史新高。今年以來，韓股累計上漲 52%，在亞洲主要市場中表現亮眼。科技類股成為韓股本輪上漲的核心動力。摩根士丹利 (下稱大摩) 分析指出，AI 應用正從高階晶片轉向通用記憶體晶片、AI 晶片基板等周邊技術領域擴散，三星電子、SK 海力士等龍頭企業將直接受益。
歐亞股
三星電子周二 (14 日) 公布初步財報，第 3 季獲利創下逾三年來最佳，反映記憶體需求暢旺，以及全球人工智慧 (AI) 加速發展。根據初步財報，這家南韓最大企業第 3 季的營業利益為 12.1 兆韓元，優於分析師所估的 9.7 兆韓元，營收也攀升至 86 兆韓元。
歐亞股
全球最大記憶體晶片商三星電子預計週二（14 日）公佈 2025 年第三季初步財報。市場分析師普遍預期，受惠伺服器需求回升及記憶體晶片價格上漲，三星第 3 季獲利有望創下自 2022 年以來的同期新高。根據 LSEG SmartEstimate 對 31 位分析師的預測，在 7 月至 9 月期間，三星電子營業利益有望達到約 10.1 兆韓元（約 71.1 億美元），較去年同期成長 10%。
美股雷達
隨著人工智慧（AI）應用快速普及，全球投資者的目光往往集中在計算晶片巨頭如輝達 (NVDA-US) 身上。然而，專家指出，真正的長期投資機會其實藏在 AI 記憶體硬碟和儲存系統市場，且其中有幾家公司值得關注。隨著 OpenAI 生態系統的擴張，海量數據的儲存需求正悄然改寫整個產業格局。
美股雷達
隨著 DRAM 超級週期正式來臨，多份產業報告指出記憶體與快閃記憶體的長期供應將持續緊張。自第二季度以來，DDR4 記憶體價格一路攀升，帶動 DDR5 也跟著回升，讓近期有裝機需求的消費者因此面臨更高成本壓力。今年 9 月，記憶體與快閃記憶體巨頭美光科技 (MU-US) 和 SanDisk (SNDK-US) 相繼發布漲價通知。
美股雷達
隨著人工智慧（AI）浪潮席捲全球，半導體市場正迎來新一輪的「超級週期」。根市場研究公司 TrendForce 最新數據顯示，通用型 DRAM（動態隨機存取記憶體）現貨價格已創下年度新高，主流 DDR5 記憶體價格相較年初更上漲超過 4 成，逼近 2018 年半導體熱潮的高峰水準。
歐亞股
OpenAI 執行長奧特曼 (Sam Altman) 快閃南韓後宣布，已與三星、SK 海力士簽署合作意向書採購 DRAM 晶片，以滿足「星際之門」(Stargate)需求，代表南韓半導體雙雄正式加入受各方矚目的人工智慧 (AI) 基礎建設計畫，兩家公司周四 (2 日) 早盤股價雙雙飆漲。
歐亞股
最新數據顯示，記憶體晶片市場正迎來貨品交易與股市交易的雙重上行週期，中國記憶體指數截至周二 (9 月 30 日) 大漲 5.46%，多檔個股漲停，反映出產業回溫與漲價潮的強勁動能。《21 世紀經濟報道》報導，本輪行情本質是記憶體產業步入新一輪上行週期的體現。
科技
SK 海力士大舉引進極紫外光（EUV）曝光設備，計畫在 2027 年前再添購約 20 台，使現有規模擴大一倍，以強化次世代 DRAM 與高頻寬記憶體（HBM）的製造能力。綜合韓媒報導，SK 海力士目前已有 20 台 EUV 設備，包括用於研發的機台。
美股雷達
美光 (MU-US) 周三 (24 日) 收黑 2.8%，即使財報與財測雙雙優於市場預期，投資人仍不買單。MarketWatch 報導，分析師指出幾個可能癥結，包括未來需求減弱的可能性，以及股價在財報前的大漲讓投資人卻步。高檔壓力浮現美光股價在財報公布前一個月已經大漲 41%，代表市場寄予厚望。
台股新聞
TrendForce 最新調查，由於三大 DRAM 原廠優先將產能給高階伺服器 DRAM 和 HBM，排擠 PC、手機和消費型電子應用的產能，受各終端產品需求分化影響，第四季舊製程 DRAM 價格漲幅依舊可觀，新世代產品漲勢相對溫和，預估整體一般型 DRAM 價格將季增 8-13%，若加計 HBM，漲幅將擴大至 13-18%。
美股雷達
美國最大電腦晶片製造商美光 (Micron)(MU-US)，周二 (23 日) 盤後公布的上季 (會計年度第 4 季) 財報優於分析師所料，對本季 (第 1 季) 的財測也打敗市場預期，看好隨著人工智慧 (AI) 軍備競賽白熱化，對硬體設備的需求將刺激自家的先進記憶體晶片銷售。
美股雷達
美光科技 (MU-US) 將於周二 (23 日) 美股盤後公布 2025 會計年度第四季 (截至 8/31) 財報，投資人高度關注其對高頻寬記憶體 (HBM) 與人工智慧 (AI) 相關需求的展望。在 9 月股價已飆漲近 40% 的背景下，市場押注美光財測若優於共識，將是支撐其股價續強的關鍵。
歐亞股
三星電子的 12 層第五代高頻寬記憶體（HBM3E）產品，上周傳出已通過輝達 (NVDA-US) 品質測試，即將開始供貨，激勵三星股價周一 (22 日) 早盤狂飆 5.3%，達到一年多以來新高。三星電子周一在韓國股市一度大漲 5.3%，達到 2024 年 8 月以來的最高水準。
歐亞股
南韓 SK 海力士今 (11) 日宣布，已正式向客戶供應全球率先實現量產的行動端 NAND 快閃記憶體解決方案產品 ZUFS 4.1。該產品已搭載於全球手機製造商的最新智慧手機，再次凸顯 SK 海力士在全球市場的技術優勢，能為智慧手機提供更強大的端側 AI 功能支持，為用戶帶來全新體驗。
科技
華爾街投資機構花旗集團 (C-US)周二 (9 日) 出具研究報告指出，受 AI 領域對儲存需求激增驅動，2026 年全球關鍵科技商品 DRAM 與 NAND 快閃記憶體恐面臨供不應求局面。花旗分析師指出，隨著 AI 應用從「訓練」向「推理」及邊緣設備延伸，一般伺服器記憶體、行動端 DRAM 及高頻寬 / 高密度 NAND 快閃記憶體 (如企業級 QLC 固態硬碟) 需求將大幅成長，DRAM 供需比料將下滑至 - 1.8%，NAND 快閃記憶體供需比更低至 - 4%，整體記憶體市場供需關係趨緊並推升。
美股雷達
近期韓國半導體巨頭三星與美國科技大廠輝達 (NVDA-US) 在高頻寬記憶體（HBM）領域的合作傳聞再度升溫。有報導稱，三星已正式開始向輝達供應 12-Hi HBM3E 記憶體堆疊，使三星在高階 HBM 記憶體市場上取得重要突破。根據科技外媒報導，過去一年，三星在 HBM 技術的發展歷程多次調整。
美國記憶體晶片大廠美光科技 (MU-US)周一 (11 日) 在中國啟動裁員，主要涉及國內嵌入式團隊研發、測試以及 FAE/AE 等支持部門，上海、深圳等多地員工受影響，目前裁員規模尚未確定。針對中國區業務人員調整，美光今 (12) 日回應稱鑒於移動 NAND 產品在市場持續疲軟的財務表現，以及相較於其他 NAND 機會增長放緩，將在全球停止未來移動 NAND 產品的開發，包括終止 UFS5 的開發。