HBM
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日本快閃記憶體製造商鎧俠 Kioxia 週四 (12 日) 公布亮眼財報與強勁展望後，週五 (13 日) 在東京證券交易所延續漲勢，該股早盤噴漲超 12%。南韓記憶體族群同樣受惠，三星電子與 SK 海力士週五在韓國證券交易所同步開盤走揚。鎧俠週四指出，截至 2025 年 12 月 31 日止的 2025 財年第三季，公司營收年增 21.2%，達 5,436 億日元，主要受平均銷售價格 (ASP) 上升、位元出貨量增加，以及匯率因素推升。
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美光股價週四 (12 日) 續升向上，主因市場再度出現記憶體價格大幅上漲的最新訊號。聯想集團 (0992-HK) 表示，上季記憶體價格暴漲 40% 至 50%，本季合約價甚至可能翻倍，並預期全球供應吃緊，記憶體荒將延續全年，帶動投資人對記憶體產業景氣的樂觀情緒升溫。
DDR4 記憶體價格近期出現罕見急跌。2 月 12 日市場消息指出，DDR4 單日跌幅一度逼近 20%。本月以來 DDR4 價格持續劇烈震盪下行，其中 8GB 規格報價由 260 至 270 元人民幣大幅下滑至 180 至 190 元區間，單日跌幅逼近 20%；16GB 產品同樣走弱，價格由 800 元降至 650 元，市場短期波動明顯加劇。
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美光 (MU-US) 周三 (12 日) 收盤大漲近 10%，高層表示近期疑慮，表示 HBM4 晶片已經進入高量產階段，而且已向客戶出貨，比去年 12 月所估的時間表提早了一季。美光財務長 Mark Murphy 表示，有關高頻寬記憶體 (HBM) 的報導不正確，他說：「我們已經進入 HBM4 的高產量生產階段，也已開始向客戶出貨 HBM4，並看到本季 (第 1 季) 出貨量順利拉升。
三星電子高層周三 (11 日) 表示，在人工智慧 (AI) 的強大需求帶動下，記憶體晶片的強勁需求將一路從今年持續到明年，並透露，客戶對三星新一代高頻寬記憶體晶片 HBM4 都給予「非常滿意」的回應。三星晶片部門技術長 Song Jai-hyuk 在首爾舉行的 Semicon 國際半導體展中發表上述言論，並表示，憑著新的 HBM4 技術，三星重返記憶體產業的巔峰。
隨著 HBM4 正式進入驗證與量產階段，高頻寬記憶體（HBM）市場的動能正在轉向，業界焦點也逐漸回到韓國記憶體大廠身上。市場普遍認為，在新一代 HBM4 世代中，三星電子與 SK 海力士的能見度將明顯提升，反觀美光科技 (MU-US) 恐面臨市占下滑的壓力。
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加拿大皇家銀行資本市場（RBC Capital Markets）分析師近日發布最新研究指出，表面上看來，美國科技巨頭在人工智慧（AI）基礎建設上的投資正持續高速擴張，但實際上，這波資本支出成長有相當一部分，來自記憶體價格的「失控上漲」。根據《Business Insider》報導，RBC 預估，亞馬遜 (AMZN-US) 、Google(GOOGL-US) 、Meta(META-US) 與微軟 (MSFT-US) 今年在資料中心、晶片、網路設備及相關硬體上的支出，合計將接近 6,000 億美元，以因應快速升溫的 AI 需求。
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《Marketwatch 報導，因市場擔憂競爭升溫，記憶體晶片大廠美光近期股價走弱，不過德銀 (Deutsche Bank) 仍看好 AI 帶動的記憶體榮景將推升公司獲利能力，並將目標價上調至 500 美元，代表相較週二收盤價仍有約 33% 上行空間。
最新數據顯示，曾領漲記憶體市場的 DDR4 記憶體近來突現斷崖式下跌，8GB 規格 DDR4 本月報價從 260-270 元 (人民幣，下同) 急跌至 180-190 元，單日跌幅近 20%，16GB 同步從 800 元回落至 650 元。《銳芯網》報導，這場劇烈震盪終結 DDR4 長達一年的暴漲神話，去年 DRAM 整體漲幅達 386%，其中 16GB DDR4 曾在三個月內價格成長一倍。
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過去幾個月記憶體晶片價格持續猛烈上漲，導致股市中贏家與輸家之間的差距急速拉大，而投資人普遍看不到這股趨勢有任何結束的跡象。根據《彭博》報導，從遊戲機製造商任天堂（Nintendo），到大型 PC 品牌以及蘋果 (AAPL-US) 供應鏈企業，股價都因獲利能力承壓而下挫；相較之下，記憶體晶片製造商的股價則飆升至前所未見的高點。
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市場研究公司 Counterpoint 周一 (9 日) 表示，截至 2026 年第一季，記憶體價格較去年第四季上漲 80% 至 90%，迎來前所未有的創紀錄漲幅。高盛日前也發布研究報告指出，2026-2027 年全球記憶體市場將經歷史上最嚴重的供應短缺之一，DRAM、NAND 快閃記憶體和高頻寬記憶體 (HBM) 三大品項的供需缺口均大幅擴大，其中 DRAM 供應在今年將現 15 年來最嚴重缺口，NAND 市場亦將迎來史上最大短缺之一。
國際政經
在人工智慧（AI）需求強勁帶動下，全球半導體產業迎來歷史性成長。根據美國半導體產業協會（SIA）引述世界半導體貿易統計（WSTS）公布的最新數據，2025 年全球半導體年營收達到 7,917 億美元，年增 25.6%，並預估 2026 年全球銷售額可望突破 1 兆美元大關。
科技
南韓科學技術院教授金正浩最新表示，AI 向語音互動轉型將引爆資料儲存需求，現有高頻寬記憶體恐將無法滿足，產業將加速轉向新型記憶體架構 HBF(高頻寬快閃記憶體)。擁有「HBM 之父」稱號的金正皓近日在技術簡報會上發出預警，AI 從文字思考向語音推理進化時，數據處理量將激增。
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《Investing》報導，標普全球評級 (S&P Global Ratings) 週四 (5 日) 將 SK 海力士信用評級上調至「BBB+」，並給予「正向」展望，主因是看好公司未來一到兩年營運表現可望持續走強，受惠於高頻寬記憶體(HBM) 晶片需求快速成長，以及記憶體供應偏緊帶動價格維持高檔。
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韓媒週五 (5 日) 報導，三星電子 (Samsung Electronics) 正加速擴大下一代 DRAM 產能，計劃將用於高頻寬記憶體第四代 (HBM4) 的先進記憶體產能最高提升約 70%，以因應輝達 (NVDA-US) 與超微 (AMD) (AMD-US) 等 AI 晶片大廠需求快速升溫。
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隨著人工智慧 (AI) 資料中心快速擴張，記憶體資源被大量吸納，消費性電子可用的記憶體供應持續吃緊，對智慧型手機產業形成明顯壓力。高度依賴手機市場的晶片設計商首當其衝，其中高通高層對記憶體短缺的示警，引發投資人對短期營運前景的重新評估，股價應聲重挫。
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《路透》周四 (29 日) 報導，人工智慧 (AI) 基礎建設熱潮持續推升高階記憶體需求，三星電子與 SK 海力士警告，為因應 AI 伺服器用晶片的強勁需求，記憶體產能正加速向高頻寬記憶體 (HBM) 傾斜，恐導致個人電腦 (PC) 與智慧型手機所使用的傳統 DRAM 供應進一步吃緊，相關品牌與供應鏈正面臨成本與出貨雙重壓力。
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三星電子周四 (28 日) 公布財報，第 4 季獲利成長超過兩倍，創下歷史新高且打敗分析師預期，顯示記憶體晶片短缺和人工智慧 (AI) 的強勁需求，正帶來利多，三星股價周四盤初一度上漲 2.58%，一度轉跌，截稿前又翻紅小漲。Q4 財報關鍵數字 vs 分析師預期營收：93.8 兆韓元 (655.8 億美元) vs 93.318 兆韓元營業利益：20.1 兆韓元 vs 20.018 兆韓元三星上季營收年增 24%，創歷史新高，營業利益年增超過兩倍。
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全球記憶體晶片巨頭 SK 海力士周三 (28 日) 公布其 2025 會計年度財務報告，受惠於 AI 記憶體競爭力與高附加價值產品的強勁需求，該公司營收與利潤均創下歷史新高。根據財報顯示，SK 海力士 2025 年全年營收達 97.1467 兆韓元，營業利潤為 47.2063 兆韓元 (營業利益率達 49%)，淨利潤則為 42.9479 兆韓元。
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摩根士丹利 (MS-US) 最新報告預言，2026 年半導體營收將首度破「兆美元」，AI 板塊獲利成長衝刺 120%，但隨著記憶體報價噴漲，下半年恐發生「需求破壞」，因此投資策略需從「純 AI」轉向「槓鈴式配置」。摩根士丹利在《全球科技業 2026 年展望》報告中指出，人工智慧（AI） 浪潮推動全球半導體產業於 2026 年首度突破 1 兆美元營收關卡，但記憶體成為關鍵瓶頸，成本上升恐在下半年引發需求破壞，同時重塑科技投資與全球供應鏈格局。