HBM
台股新聞
研調機構 Counterpoint Research 最新報告指出，輝達 (NVDA-US) 有意將伺服器的 DDR 轉向 LPDDR，意味著輝達將成為一家大型智慧型手機製造商級別的客戶，這對供應鏈來說將是一次巨大的轉變，供應鏈恐難以承受如此巨大的需求，因此預計 2026 年底 DDR5 64GB RDIMM 的 DRAM 模組價格將較今年初上漲 2 倍。
根據市調機構 Counterpoint Research 周三 (19 日) 發布的報告指出，輝達 (NVDA-US) 近期決定將人工智慧 (AI) 伺服器改採手機與平板常用的 LPDDR 低功耗記憶體後，恐在供應鏈掀起重大衝擊，並可能使伺服器記憶體價格在 2026 年底前翻倍。
美股雷達
據《CNBC》周一 (17 日) 報導，晶片製造商和分析師警告，記憶體短缺可能在明年衝擊消費電子和汽車產業。業者們優先供應 AI 伺服器所需的高階記憶體，導致消費性電子用的產能遭排擠，部分晶片價格已較 9 月暴漲 60%。中國最大晶圓代工廠中芯國際 (00981-HK) 執行長趙海軍上周五在法說會上透露，客戶因擔心記憶體供應不足，連帶暫緩其他類型晶片的訂單。
歐亞股
南韓半導體巨頭 SK 集團週日 (16 日) 宣布，計畫在 2028 年前於南韓境內投資 128 兆韓元 (約 883 億美元)，重點放在製造晶片，以滿足人工智慧（AI）領域日益成長的需求。同時，該公司將在龍仁晶片集群建設 4 家大型半導體製造廠，投資金額可能會增加到 600 兆韓元。
晶背供電（BSPDN）與再生晶圓正推動摩爾定律邁向新里程碑。當 2 奈米製程進入量產前夕，這兩項技術成為晶片效能提升與製程微縮的關鍵支柱，也牽動全球晶圓廠與材料供應鏈的重整。這場技術革命，正為半導體產業開啟新一輪結構性升級與策略佈局契機。〈全球電力設備升級潮：AI 與能源的雙重壓力〉隨著晶片尺寸逼近物理極限，傳統電源設計已難以支撐高效能運算的功耗需求，晶背供電透過將電源網路轉移至晶圓背面，可有效降低電阻與功率損耗，使電流可短距離直達電晶體，釋放正面金屬層空間。
晶片設備製造商應用材料 (Applied Materials)(AMAT-US) 周四 (13 日) 公布的上季營收、獲利優於市場預期，本季財測也跑贏分析師預測，但盤股價依然走跌，可能反映投資人希望在近期股價拉漲一波之後，看到更強勁的表現。Q1 財測關鍵數字 vs 分析師預測營收：68.5 億美元 vs 67.6 億美元調整後 EPS：2.18 美元 vs 2.13 美元在人工智慧 (AI) 熱潮下，對先進記憶體晶片的需求與日俱增，這不但刺激生產設備的投資，也帶動應材工具的訂單。
摩根士丹利 (下稱大摩)(MS-US) 最新表示，一場由 AI 驅動的記憶體「超級週期」已正式降臨，其強度、邏輯與持續性均遠超過以往任何一輪行情。報告指出，本輪週期核心變數在於需求端的徹底重構，不再是傳統價格敏感型客戶主導，而是 AI 資料中心與雲端服務商為建構算力基礎設施展開的「軍備競賽」。
全球記憶體晶片市場正以超預期速度從低谷中強勢復甦，三星、SK 海力士、西部數據 (WD)、美光等巨頭最新一季財報集體報喜，不僅獲利利潤雙位數增長，更釋放出記憶體進入新一輪「超級週期」的強烈信號。這場由 AI 需求驅動的產業變革，正重塑全球記憶體產業競爭格局與成長邏輯。
科技
被譽為「高頻寬記憶體 (HBM) 之父」的南韓科學技術院教授金正浩最新表示，AI 時代的權力平衡正從 GPU 轉向記憶體，他的判斷正隨著高頻寬快閃記憶體 (HBF) 的技術突破，加速照進了現實。金正浩近日在 YouTube 節目中拋出上述震驚業界的觀點，HBF 是結合 3D NAND Flash 高密度與 HBM 特性的創新儲存技術，其核心架構類似 HBM 的 8-16 層垂直堆疊設計，但以 NAND Flash 替代 DRAM，透過矽通孔 (TSV) 與微凸點技術連接各層，將邏輯晶片與記憶體陣列鍵合，支持並行訪問多個 NAND 子陣列，大幅提升帶寬與吞吐量。
中國深圳華強北電子市場近日掀起罕見價格風暴，固態硬碟 (SSD)、DDR4 等記憶體產品在 3 個月內價格普遍翻漲一倍，漲幅超越水貝黃金市場，被部分消費者及商家稱為「年度最佳理財產品」。華強北商家周日 (9 日) 熱度堪比黃金賣場，商家在受訪時感慨「一天一價、有價無貨」，幾乎所有記憶體產品都在瘋漲。
根據南韓媒體報道，美光科技 (MU-US) 的 HBM4 產品，難以滿足輝達 (NVDA-US) 嚴苛的性能和能源效率要求，可能迫使該公司重新設計 HBM4 晶片架構。如果消息屬實，這將導致美光的量產計畫延遲長達 9 個月，HBM4 的上市時間推遲到 2026 年，並使其無法按時完成輝達的訂單。
歐亞股
人工智慧 (AI) 帶來對記憶體的狂熱需求，SK 海力士股價今年來狂飆 240%，引發南韓證券交易所 (Korea Exchange, KRX) 罕見發布「投資警示」(investment caution)，反映市場對漲勢過熱的擔憂。韓交所周一 (3 日) 晚間發布投資警示，該警示為期一天，理由是股價異常大幅上漲。
歐亞股
摩根士丹利研報指出，受人工智慧（AI）需求驅動，記憶體晶片行業供需失衡加劇，預計將開啟持續數年的「超級週期」，到 2027 年全球儲存市場規模有望突破 3,000 億美元，標誌著新一輪產業週期的起點。記憶體晶片歷經近 13 年的週期性波動，每 3 至 4 年呈現一輪週期，目前正處於第四輪。
國際政經
AI 晶片巨頭輝達 (NVDA-US) 執行長黃仁勳的韓國行因一場接地氣的炸雞店聚餐引發全球關注，他周四 (30 日) 晚間跟三星電子會長李在鎔、現代汽車會長鄭義宣現身首爾「Kkanbu Chicken」炸雞店，三人圍坐共享炸雞與啤酒，窗外聚集大批記者與粉絲，店內顧客也紛紛手機記錄這一幕。
歐亞股
SK 海力士公司第三季獲利大增 62%，並表示客戶已經鎖定了他們明年系列記憶體晶片的供貨，顯示全球 AI 基礎設施的建設正在加劇整個產業的需求。由於 HBM 領域的強勁表現，SK 海力士第三季獲利首度突破 10 兆韓元，達到創新高的 11.4 兆韓元（約 80 億美元），略高於分析師平均預期；同期銷售額攀升至 24.45 兆韓元。
美股雷達
全球避險基金近期對 AI 相關技術硬體的買盤持續升溫。高盛集團 (GS-US) 最新報告顯示，全球避險基金本月對 AI 技術硬體的投資部位創下 2016 年來新高，主要資金流向半導體及晶片類股，同時受益於 AI 浪潮的記憶替晶片「超級週期」正加速擴散，三星、SK 海力士等大廠已將 DRAM 和 NAND 閃存價格上調最高達 30%。
台股新聞
AI 運算時代全面爆發，資料中心與伺服器需求如野火蔓延，從高頻寬記憶體（HBM）到傳統 DRAM、NAND Flash，全線價格進入十年難得一見的超級循環。〈AI 運算需求爆發，HBM 成為新戰場〉AI 模型日益龐大，對記憶體效能的需求是傳統伺服器的五至六倍，高頻寬記憶體 HBM 因此成為市場焦點，HBM 將多顆 DRAM 垂直堆疊，不僅傳輸速度快、容量大，更是 AI 伺服器不可或缺的元件。
台股新聞
隨著 AI 推動記憶體原廠將資源轉向高毛利的 HBM、DDR5、QLC NAND 領域，壓縮 DDR4、SLC NAND 等產能，造成記憶體結構性缺貨，帶動全球記憶體市場進入大好榮景，先前繼 SanDisk、美光 (MU-US) 陸續宣布調漲報價後，三星、SK 海力士也跟漲，掀開大漲價時代，業界普遍預估，記憶體至少會漲至明年上半年，將讓記憶體供應鏈獲利大進補。
科技
韓國經濟日報報導，包括三星電子和 SK 海力士在內的主要記憶體供應商，已通知客戶將於今年第四季度持續調漲報價。受 AI 驅動需求激增影響，DRAM 和 NAND 快閃記憶體等儲存產品價格漲幅預計將高達 30%，整體漲勢超乎市場預期。受惠於全球人工智慧（AI）算力需求的爆發性成長，記憶體晶片產業正加速邁入一輪前所未有的「超級週期」，且預計將比以往更加持久。
A股
《路透》周二 (21 日) 援引知情人士消息報導，中國記憶體晶片製造商長鑫存儲技術有限公司 (ChangXin Memory Technologies，簡稱 CXMT) 計劃最早於明年第一季在上海證券交易所上市，估值最高可達人民幣 3,000 億元(約合 421 億美元)。