NAND
最新市場消息指出，川普政府可能考慮允許蘋果(AAPL-US) 向中國長鑫科技(688825-CN) 及長江存儲採購記憶體與儲存晶片，相關決定甚至可能在美國總統川普與中國國家主席習近平9月會面後正式對外傳達。根據《Wccftech》報導，在習近平正式訪美前夕，蘋果分別向中國長鑫科技及長江存儲採購DRAM與NAND模組的計畫，已成為美中地緣政治角力的敏感焦點。
美股雷達
3D NAND快閃記憶體持續向更高堆疊層數邁進，製程材料也迎來關鍵轉變。半導體產業研究機構SemiAnalysis 週日（23日）在X平台發布文章指出，當3D NAND堆疊層數突破約300層後，傳統以鎢（Tungsten，W）製作的字線（word line）逐漸面臨物理與製程限制，鉬（Molybdenum，Mo）可能成為高層數NAND不可避免的材料選擇。
美股雷達
隨著記憶體晶片成本飆升，輝達(NVDA-US) 部分大型客戶已獲告知，稱搭載輝達人工智慧（AI）晶片的伺服器價格在許多情況下將上漲超過15%。根據《彭博》報導，知情人士透露，這波漲價預計適用於明年初出貨的系統，包括搭載輝達最新Vera Rubin，以及Grace Blackwell晶片的伺服器。
A股
綜合外媒周五(21日)報導，中國NAND快閃記憶體大廠長江存儲(YMTC)的母公司長江存儲控股股份有限公司(CCSH Corporation,CCSH)，計劃透過上海科創板首次公開募股(IPO)籌資人民幣330億元(約49億美元)，上市申請已獲上海證券交易所受理。
美股雷達
《巴隆周刊》報導，美光科技(Micron Technology)(MU-US)周三(19日)連續第二個交易日下跌，此前股價才在周一短暫重新站上1,000美元。這家記憶體晶片製造商股價周三收盤下跌0.4%，至937.11美元。此前周二股價已下跌7%，當時晶片股受到市場擔憂債券殖利率上升將壓縮AI硬體支出的影響而大幅走弱。
美股雷達
人工智慧（AI）基礎建設持續擴張，正在將記憶體產業推向新一輪供需緊張週期。2026年FMS大會釋出的數據顯示，DRAM、企業級SSD、HDD等多種記憶體產品價格同步走高，而供應端受限於擴產週期與過去產能過剩的經驗，短期內難以快速跟上需求。從目前產業訊號來看，這波記憶體價格上漲可能不只是傳統景氣循環的短期反彈，AI對資料處理、記憶體與傳輸需求的快速增加，正逐漸改變記憶體市場原有的供需結構。
國際政經
不用盯盤也能感受到這波記憶體漲價潮，因PC、筆電、SSD標價集體跳漲，早已把成本轉嫁到消費端。最新數據顯示，DDR5 均價較一年前暴衝400%–500%，容量越大漲越兇，128GB DDR5套件現價已是歷史低點的十倍。美國科技媒體《Tom's Hardware》報導， 為壓低裝機預算，部分用戶回頭抱LGA1700、AM4等支援DDR4的舊平台，盼DDR4 價格撐住，但DDR4也難獨善其身，均價較一年前漲約150%–200%，NAND顆粒同步翻倍，SSD價格同樣以倍數上揚，整機裝機成本遠高於去年同期。
歐亞股
南韓記憶體雙雄三星電子與SK海力士近期遭多家本土券商下修目標價，市場對「記憶體晶片週期是否已過頂」判斷出現明顯分歧。未來證券以「週期頂峰可能早於預期」為由，將三星股價目標價從39萬韓元砍至35萬，未來資產證券亦從55萬降至37萬，信韓投資從59萬降至45萬，三星證券從50萬降至40萬，唯獨KB證券堅持「供給短缺至少再持續3年」，維持60萬韓元目標價不動。
美股雷達
《MarketWatch》報導，SanDisk(SNDK-US)股價延續近期低點以來的強勁反彈，短短兩周多累計漲幅已超過60%。SanDisk周五(14日)收盤大漲7.4%，前一交易日則飆升13.7%。這波漲勢反映華爾街對SanDisk最新財務目標及技術發展藍圖的樂觀態度。
國際政經
最新數據顯示，隨著AI普及推高記憶體晶片需求，中國長江存儲(YMTC)在NAND快閃記憶體領域中躋身全球第三，且在規模更大的DRAM記憶體晶片市場位列全球第四。根據市場研究機構Counterpoint週三(12日)公布的最新數據，YMTC正快速搶佔NAND這一核心晶片領域的市場份額。
台股新聞
群聯(8299-TW)今(13)日召開法說會，並公布第二季財報，受惠NAND價格持續飆漲，單季毛利率衝上65%，續創歷史新高，單季稅後純益達262.17億元，季增72.78%，年增3,419%，每股稅後純益118.57元，雙雙締造新猷，累計上半年大賺187.43元。
美股雷達
谷歌周三(12日)在「Made by Google」發表會推出Pixel 11、Pixel 11 Pro、Pixel 11 Pro XL與Pixel 11 Pro Fold四款新機，下周四(20日)正式開賣，分別要價899、1099、1299、1899美元，較上代Pixel 10全系列調漲100美元，漲價主因AI資料中心擠佔DRAM/NAND產能、RAM與快閃記憶體成本飆漲，谷歌設備主管Rick Osterloh更直言，RAM和快閃記憶體短缺正推高整個消費電子業成本。
歐亞股
SK 海力士計劃重啟中國大連第二工廠建設，將當地 NAND 快閃記憶體產能擴大約 50%，這是 SK 海力士在人工智慧（AI）資料中心需求驅動下加速布局企業級記憶體市場的舉措。半導體行業消息人士 11 日（周二）透露，SK 海力士旗下 NAND 子公司 Solidigm 上半年已重新啟動大連第二工廠的投資與建設工作。
輝達 (NVDA-US) 新平台傳出規格縮水，市場一度解讀為需求降溫訊號，但摩根大通 (JPM-US) 最新報告反駁此說法，認為這其實是供應吃緊下的權宜之計，記憶體大廠仍將迎來史上最長的一波上升循環。近期全球記憶體類股歷經明顯拉回，加上輝達下一代 AI 平台陸續傳出 HBM 高頻寬記憶體、SOCAMM 模組等規格下修的消息，讓不少投資人開始懷疑這波記憶體多頭是否已經見頂。
AI 伺服器買盤瘋搶下，DRAM 與 NAND 快閃記憶體價格過去一年大幅飆漲，由三星、SK 海力士、美光壟斷的記憶體市場陷入嚴重缺貨，但隨著兩大韓廠最新季報揭露「漲價幅度不及預期」，市場開始擔心本輪超級週期是否已近獲利高點。數據顯示，SK 海力士今年第二季 DRAM 均價上季仍漲約 30%、NAND 漲 50%；三星 DRAM 漲幅超 40%、NAND 漲 60%，絕對數字驚人，卻雙雙落後華爾街預期。
美國股市上週五（7 日）出現一場罕見的類股對決。記憶體概念股全面走軟，光通訊供應鏈卻反向噴出，兩大陣營的表現差異之大，也讓一場「賣記憶體、買光通訊」的交易策略在週末投資圈掀起激辯。導火線是花旗證券分析師 Atif Malik 發布的最新報告。
SK 海力士 (SK Hynix)(SKHY-US) 周五 (7 日) 宣布，計劃在南韓投資 5.4 兆韓元 (約 380 億美元) 擴建晶片製造設施。SK 海力士在聲明中表示，將在龍仁 (Yongin) 興建新的 DRAM 製造廠，並在清州 (Cheongju) 興建 NAND 晶圓廠，其中約三分之二的投資預算將用於龍仁廠。
台股新聞
華邦電 (2344-TW) 今 (6) 日召開法說會，受惠記憶體價格大幅上漲、產品組合改善，以及產能利用率維持滿載，第二季營收、毛利率與獲利同步跳升，單季歸屬於母公司業主淨利 243.17 億元，季增 140.4%，較去年同期轉盈，創下歷史新高，每股純益達 5.4 元，累計上半年每股純益達 7.65 元。
台股新聞
記憶體模組大廠威剛 (3260-TW) 今 (6) 日召開法說會並公布 7 月營收，單月合併營收衝上 183.8 億元，月增 25.4%、年增 331.3%，連續第 5 個月改寫歷史新高。公司表示，隨 DRAM 及 NAND Flash 價格持續上漲、通路庫存回到健康水位，加上客戶拉貨力道升溫，第三季營收可望優於第二季，營運持續攀高。
美股雷達
半導體產業正步入一個非凡的成長階段，其主要驅動力是 AI 基礎設施，以及先進邏輯與記憶體元件供應的嚴重瓶頸。根據《麥克林報告》（McClean Report）2026 年 6 月更新版，全球半導體市場預計將在 2026 年成長 98.3%，達到約 1.7 兆美元，並在 2027 年進一步擴張至超過 2.2 兆美元。