〈旺宏法說〉19奈米SLC NAND本季可望出貨 挹注營運動能

記憶體大廠旺宏 (2337-TW) 今 (25) 日舉行線上法說，總經理盧志遠表示，19 奈米 SLC NAND Flash 目前已送樣至客戶端認證，進展順利，本季可望開始量產，並逐步貢獻營收；目前也專注於 192 層 3D NAND Flash 研發，預計 2021 年量產。

製程技術方面，旺宏計畫將 NAND Flash 的 12 吋製程技術，由 36 奈米全面提升至 19 奈米，19 奈米 SLC NAND Flash 目前已至客戶端送樣認證，進展順利，預計第 3 季起量產，並貢獻營收。

NOR Flash 製程技術部分，也將從 75 奈米推進至 55 奈米，並持續以高密度、高品質為目標前進，同時積極耕耘車用市場，未來預期在車用領域將持續成長，市佔率有望突破 5 成。

盧志遠指出，旺宏作為半導體產業的領銜者，技術創新腳步不能停歇，今年資本支出約 140 億元，便是用於技術升級及 192 層 3D NAND Flash 研發，3D NAND 預計於 2021 年，以 TLC 規格進入市場，有助提升公司競爭力。

由於近來記憶體大廠相繼縮減資本支出，之所以在此時持續投資腳步，盧志遠強調，資本支出對於半導體產業是必要的，雖然折舊會增加，但眼光應放遠，著眼於先進技術能為公司帶來多少產值，而非當下少量的損失，否則在適者生存的環境下，難逃面臨淘汰的命運。

此外，盧志遠也說，目前旺宏產能調配上，可根據客戶需求及價格因素，彈性調整 ROM 與 Flash 產能比重。