ASML已交付第三代EUV 可用於製造2nm晶片

半導體設備大廠 ASML(艾司摩爾) 近日交貨第三代標準型極紫外 (EUV) 光微影設備 (光刻機)，設備型號為 Twinscan NXE:3800E，配備了 0.33 數值孔徑透鏡。 相較於之前的 Twinscan NXE:3600D，效能有了進一步的提高，可以支援未來幾年 3 奈米及 2 奈米晶片的製造。

ASML 的社群媒體帳戶向客戶分享相關消息：「晶片製造商需要速度！第一台 Twinscan NXE:3800E 現已安裝在一家晶片工廠。憑藉其新的晶圓台，該系統將為打印先進晶片提供領先的生產力。我們正在將光微影技術推向新的極限。」

Twinscan NXE:3800E 是 ASML 一系列 0.33 數值孔徑 (Low-NA EUV) 微影技術在性能 (每小時處理的晶圓數量) 和精度方面的另一個飛躍。有限的資訊指出，新的 EUV 設備可達到每小時處理 195 片晶圓的處理速度，相比 Twinscan NXE:3600D 的 160 片大概提升了 22%，未來有可能提高至 220 片。此外，新工具還提供了小於 1.1 奈米的晶圓對準精度。

即便用於 4/5 奈米晶片的生產，Twinscan NXE:3800E 也能提升效率，讓製造商可以提高晶片生產的經濟性，實現更有效率且更具成本效益的晶片生產。 

更重要的是，Twinscan NXE:3800E 對於製造 2 奈米晶片和後續需要雙重曝光的製造技術有更好的效果，精度的提升會讓 3 奈米以下的製程節點受益。

根據報導，現有的低數值孔徑 EUV 設備的價格可能為 1.83 億美元。這比新一代高數值孔徑 EUV 設備的報價，顯然還是低很多。 先前有報導稱，業界首款採用 High-NA EUV 光刻技術的 TWINSCAN EXE:5200，報價達到 3.8 億美元。

據報導，另一台低數值孔徑 EUV 機器可能會在 2026 年發布，即 ASML 的下一代 Twinscan NXE:4000F 型號，預計將與新興的高數值孔徑解決方案共存。