三星HBM傳通過輝達測試 股價噴漲逾5%創一年多新高

三星電子的 12 層第五代高頻寬記憶體（HBM3E）產品，上周傳出已通過輝達 (NVDA-US) 品質測試，即將開始供貨，激勵三星股價周一 (22 日) 早盤狂飆 5.3%，達到一年多以來新高。

三星電子周一在韓國股市一度大漲 5.3%，達到 2024 年 8 月以來的最高水準。上週韓國媒體披露，該公司的 HBM3E 產品最近已通過輝達測試。三星代表拒絕就此報導發表評論。

由於人工智慧帶動的需求，外界預期明年通用型記憶體晶片將面臨供應短缺，受此利多影響，三星股價本月上漲了約 20%。

綜合韓國媒體報導，這項核准距離三星完成晶片開發已有 18 個月之久，期間的數次測試均未能滿足輝達苛刻的性能要求。此外，三星的 HBM3E 也已透過 AMD MI350 的測試，並可與輝達的新 B300 Blackwell Ultra GPU 搭配使用。

由於輝達先前已轉向 SK 海力士和美光尋求所需的 HBM3E 供應，消息人士認為，輝達的訂單相對會比較少。

不過，對三星來說，供貨與其說是為了收入，不如說是為了自尊。獲得輝達的認可意味著其技術重回正軌，如今憑藉這項突破，這家韓國巨頭有信心能夠像競爭對手一樣按時進軍 HBM4 市場。

作為第六代頻寬記憶體，輝達計劃在明年上市的新 Vera Rubin 架構上使用這種晶片。