SK海力士
美國持續收緊對中國半導體出口管制之際，知情人士透露，三星電子與 SK 海力士 (SK Hynix) 正評估未來是否把中國中微半導體設備 (AMEC) 的晶片製造設備導入中國廠使用，以因應美方進一步限制出口的風險。路透引述三名熟悉內情人士說法報導，兩家南韓記憶體大廠約從兩年前便開始測試 AMEC 的蝕刻設備。
美股雷達
《巴隆週刊》報導，美光科技 (MU-US) 週二勁揚 7.62%，收在每股 892.67 美元，盤中一度觸及 902.43 美元、漲幅達 8.8%。最新數據顯示，美光第二季在全球 DRAM 市場持續擴張，營收市占率已逼近 SK 海力士，但中國記憶體業者長鑫存儲 (CXMT) 快速崛起，也為產業競爭增添變數。
歐亞股
美股隔夜在企業財報亮眼及油價回落帶動下全面走高、主要指數同步改寫歷史新高，激勵亞洲科技股周三 (5 日) 強勢反彈。日經 225 指數早盤一度大漲超過 2200 點，目前仍漲 1900 點或 3%，暫報 65861 點。軟銀集團 (SoftBank Group) 股價一度大漲逾 10%，半導體設備商東京威力科創 (Tokyo Electron) 上漲 3.64%，測試設備商 Advantest 勁揚 7%，記憶體晶片廠鎧俠 (Kioxia) 上漲 6.34%。
三星電子在美國聖克拉拉舉行的 FMS 峰會上一口氣發布 zHBM、zNAND-O 兩款概念產品，以及業界首款堆疊超 400 層的 V10 BV-NAND，正面迎戰 SK 海力士與美光，試圖在 AI 時代重奪記憶體話語權。zHBM 最受矚目，徹底顛覆現行 2.5D 封裝架構，不再將 HBM 與 AI 晶片並排於矽中介層上，而是直接垂直堆疊在加速器上方。
美國銀行重新將 SK 海力士納入研究範圍，給予韓股 SK 海力士「買進」評級，同時將 SK 海力士 ADR (SKHY-US) 納入研究範圍，並給予 250 美元目標價。美銀主要看好高頻寬記憶體 (HBM) 需求持續成長，可望推動公司進入新一輪獲利超級週期。
美股雷達
美股週二 (4 日) 全面大漲，市場一面消化美伊談判進展，一面迎接密集企業財報。大型科技與半導體股成為主要推力，費半指數暴漲超 6.5%。那斯達克指數勁揚近 3%。標普 500 指數首次收在 7,700 點上方，與道瓊指數雙雙改寫歷史收盤新高。
歐亞股
在主管機關近期祭出管制後，散戶投資單一個股槓桿 ETF 的交易輛大幅萎縮，顯示導致市場劇烈波動的投機資金受到抑制。南韓企劃財政部長具潤哲 (Koo Yun-cheol) 周二 (4 日) 表示，政府還會採取進一步措施抑制股市波動。南韓上周公布新一波管制措施，包括規定單一個股槓桿 ETF 投資金額不得超過投資人總投資資產的 20%。
市調機構 Counterpoint Research 今 (4) 日發布今年第二季全球 DRAM 市佔排名，三星電子以 39% 重回榜首，較上季成長 1 個百分點，創 2024 年來新高，SK 海力士市佔從去年同期 39% 摔至 26%，美光科技緊咬其後拿下 25%，三者合計仍壟斷九成市場，中國長鑫存儲以 7% 市佔穩居第四，營收年增 716%，躋身全球成長最快 DRAM 供應商。
歐亞股
全球記憶體市場再度掀起漲價潮。業界分析，人工智慧（AI）伺服器與高頻寬記憶體（HBM）持續蠶食既有產能，導致傳統記憶體晶片供應日趨吃緊，這波緊縮行情恐怕還沒走到盡頭。根據《韓聯社》報導，市調機構 TrendForce 旗下 DRAMeXchange 最新統計顯示，個人電腦常用的 DDR4 8Gb 現貨均價於 7 月攀升至 24 美元，單月大漲 14.3%，寫下 2016 年 6 月建立統計以來的歷史新高；而 128Gb MLC NAND 快閃記憶體均價也首度站上 30 美元關卡，同樣刷新紀錄。
台股新聞
SK 海力士今 (4) 日宣布，公司與 Sandisk 合作，共同發布下一代儲存技術高頻寬快閃記憶體 (HBF) 的首個標準規範。SK 海力士與 SanDisk 自去年 8 月啟動 HBF 標準化合作，並於今年 2 月結盟，歷經約 6 個月成就首次規範，一共定義 2 種容量配置，分別使用 8 層與 16 層 NAND 晶片堆疊，支援最高 512GB 容量，頻寬標準依三個等級 (等級 1 至 3) 設定，資料傳輸能力約為 0.4TB/s 至 3.0TB/s。
南韓記憶體巨頭 SK 海力士周二 (4 日) 宣布，與美國 NAND 大廠閃迪 (SanDisk) 聯合發布下一代記憶體技術「高頻寬快閃記憶體」(High Bandwidth Flash, HBF)首套標準規範，正式為 AI 與高效能運算建立全新的儲存層級。
國際政經
一場被蘋果執行長庫克形容為「百年一遇的洪水」的記憶體漲價潮，正以前所未有的力度衝擊全球消費電子產業鏈。蘋果執行長庫克上周四 (7 月 30 日) 在財報會議上罕見地詳細披露記憶體成本對蘋果利潤的侵蝕，這也是他卸任前最後一次財報會議。他明確表示，9 月為止一季的記憶體成本將高於 6 月季度，且漲價趨勢在之後還將持續擴大。
摩根士丹利近日將南韓股市投資評級由中性上調至增持，認為近期市場經歷的一波「槓桿資金出清」，反而為投資人創造了更好的進場時機，可望藉此布局人工智慧（AI）與工業超級週期兩大主軸行情。由 Daniel K Blake 領軍的摩根士丹利策略師團隊在最新報告中指出，隨著擁擠交易與大規模槓桿平倉告一段落，韓國綜合指數（KOSPI）有機會挑戰 9000 點的目標價位，較目前水位仍有約 36% 的潛在上漲空間。
人工智慧（AI）算力需求爆發正推動記憶體產業迎來結構性轉變。隨著 DRAM 與 NAND 微縮逼近物理極限，三星電子 (KR005930) 、SK 海力士 (000660KS) 與鎧俠紛紛轉向 3D 堆疊、混合鍵合等新技術，顯示未來記憶體競爭將從「製程微縮」轉向「晶片堆疊與先進封裝」之戰，掌握奈米級鍵合技術者，將成為 AI 記憶體新時代的關鍵贏家。
隨著人工智慧 (AI) 技術邁入第四年的爆發期，半導體產業鏈正經歷顯著的財富轉移。根據最新產業數據顯示，全球主要記憶體製造商受惠於 AI 伺服器對高頻寬記憶體 (HBM) 及先進 DRAM、NAND 快閃記憶體的強勁需求，已累積約 900 億美元的營業現金流。
隨著人工智慧 (AI) 基礎設施投資競爭白熱化，全球半導體產業正經歷一場深遠的結構性變革。過去受供需波動與價格循環主導的「循環型」模式，正逐漸轉向以長期供應協議 (LTA) 為核心的「訂單導向」經營模式，企業定價標準也從單純追求漲價彈性，轉向強調訂單的實質兌現。
瑞銀發布研究報告指出，SK 海力士 (KR000660)(SKHY-US) 股價自 6 月 22 日高點以來累計下跌 52%，但今年以來仍上漲 115%。該行認為，近期股價大幅修正「並不合理」，目前股價對應預估市淨率僅 1.66 倍，低於公司長期獲利能力所支撐的合理水準。
美股雷達
全球第一檔以記憶體晶片為主題的 ETF Roundhill DRAM ETF(DRAM-US) ，於七月底完成最新一輪成分股調整，將中國記憶體廠長鑫科技 (688825-CN) 納入持倉，占比達 2.52%，躋身該基金第八大重倉股。相對地，同樣來自中國的兆易創新 (603986-CN) 則在此次調整中權重下滑至 1.51%，排名滑落至第十大持股。
過去一年狂飆不止的記憶體概念股，在七月吃了一記悶棍。市場人士認為，這波急速回檔反而讓過熱的評價回到較合理水位，對打算進場的投資人來說未必是壞事。根據《巴隆周刊》報導，美系記憶體大廠中， SanDisk (SNDKV-US) 七月股價重挫 47%，創下 2025 年 2 月從威騰電子 (WDC-US) 分拆掛牌以來單月最差表現；美光科技 (MU-US) 同期下跌 29%，寫下 2015 年以來最慘的一個月。
過去 40 天，韓股上演極端劇本，在 6 月 23 日至 7 月 30 日，南韓綜合股指 (KOSPI 跌去近四成，超過 2800 兆韓元市值灰飛煙滅，規模竟超過南韓 2025 年全年 GDP；部分個股兩倍槓桿產品自高點回檔逾 80%。戲劇性轉折發生在上周五 (7 月 31 日)，KOSPI 單日反彈近 18%，三星電子漲 26.81%、SK 海力士一度觸及 30% 漲停，部分兩倍做多槓桿 ETF 單日飆漲超 60%，創史上最大單日漲幅，但也讓市場更焦慮：這究竟是去槓桿尾聲的死貓跳，還是基本面即將接手定價的前奏？一切的種子在 5 月埋下，南韓推出追蹤三星電子、SK 海力士單日表現的兩倍槓桿 ETF，上漲時賺錢效應吸金，下跌時為維持固定槓桿倍數必須機械減倉，疊加融資盤平倉，把市場推入負向循環。