SK海力士
彭博周三 (19 日) 報導，三星電子 (Samsung Electronics) 為回應股東對其在人工智慧 (AI) 領域表現不佳的批評，宣佈將強化其在高頻寬記憶體 (HBM) 晶片市場的地位。該公司計劃於今年第二季推出增強版的 12 層 HBM3E 晶片，並計劃於下半年生產先進的 HBM4 晶片。
南韓記憶體巨頭 SK 海力士今 (19) 日宣布，將在輝達主辦的 AI 盛會 GTC 2025 上首次展示自家打算今年下半量產的第六代高頻寬儲存(HBM4)，以及下一代 AI 伺服器記憶體標準 SOCAMM。SK 海力士總裁郭魯正、AI 基礎設施負責人金周善及全球銷售與行銷副總裁李相樂（音譯）等高層將出席輝達 GTC 大會。
歐亞股
SK 海力士 6 日宣布退出 CMOS 影像感測器（CIS）業務，數百名相關人員將轉移至人工智慧 (AI) 記憶體領域，全力鞏固「全方位 AI 記憶體供應商」的地位。SK 海力士表示，CIS 事業部自 2007 年成立以來，克服重重困難進入移動市場，取得了預期的成績，並獲得了僅靠存儲器無法實現的邏輯半導體技術和定制業務能力。
歐亞股
根據韓國數據平台 KED Aicel 報道，SK 海力士 1 月多晶片封裝 (MCP) 出口額達 12.9 億美元，月減 19.3%。分析認為，高頻寬記憶體（HBM）高速成長後，對季節性需求變化將更敏感，第一季 HBM 出貨量可能較上季減少逾 1)%。
台股新聞
研調機構顧能 (Gartner) 出具最新半導體報告，2024 年全球半導體產值達 6260 億美元，年增 18.1%。隨著記憶體價格反彈，三家記憶體原廠都入列全球前 10 名，其中，三星超越英特爾 (INTC-US)、重返龍頭，SK 海力士也提升至第 4 名，美光 (MU-US) 也一口氣攀升至第 6 名，輝達 (NVDA-US) 則躍居第 3 名。
台股新聞
DRAM、NAND 記憶體市場自去年下半年起，除 AI 雲端應用暢旺，其餘整體需求皆不如預期，造成客戶端庫存水位拉高，市場呈現供過於求，價格也回跌，展望今年，由於第一季為傳統淡季，加上產業庫存水位仍高，預計 DRAM、NAND 市場的需求與價格第一季將雙雙下滑，期望第二季起緩步復甦。
歐亞股
韓國 SK 海力士周四 (23 日) 交出史詩級財報，受益於生成式 AI 晶片組的高頻寬記憶體（HBM）等先進晶片強勁銷售，去年第四季獲利創新高，且首度超越對手三星電子。SK 海力士去年第 4 季營業利益年增 23 倍至 8.08 兆韓元，超越三星電子同期的 6.5 兆韓元，營收也成長 75% 至 19.77 兆韓元，符合市場期待。
歐亞股
韓國第二大晶片製造商 SK 海力士宣布將向員工發放巨額績效獎金，將達到員工基本薪資的 1870%，相當於 18.7 個月的薪資，這是 SK 海力士有史以來最高的一次績效獎金發放。業界人士透露，SK 海力士的勞資雙方就此次績效獎金計畫進行了長時間的討論和協調。
美股雷達
本週重點國際財經大事包括：美國候任總統川普宣誓就職，投資人聚焦新政府關稅政策，市場恐將掀起波瀾。此外，日銀本週將揭曉最新利率決策，美股財報季持續進行，串流媒體巨擘 Netflix(NFLX-US)、德儀 (TXN-US) 相繼公布最新業績，南韓記憶體晶片龍頭 SK 海力士上季財報也將出爐。
歐亞股
媒體周五 (17 日) 報導，由於供過於求，全球 NAND 快閃記憶體的價格已連續 4 個月下滑，為應對這一不利局面，廠商也開始減產，以平衡供求，進而穩定價格。繼美光、三星決定減產後，南韓另一大記憶體晶片製造商 SK 海力士也計畫削減產量。報導指出，SK 海力士是計畫將上半年 NAND 快閃記憶體的產量削減 10%。
科技
根據韓媒《Business Korea》報導，三星電子和 SK 海力士預計將主導客製化高頻寬記憶體 (HBM) 市場。 兩家公司預測 2027 年後客製化 HBM 需求將大幅增長，並積極發展相關技術，包括改良晶片以滿足客戶需求。HBM 技術通過垂直堆疊多個 DRAM 晶片，與傳統 DRAM 模組相比，可提供更快的資料傳輸速度和更大的儲存容量，使其特別適用於涉及 GPU 的高效能運算應用。
台股新聞
記憶體大廠 SK 海力士今 (3) 日宣佈將參加 CES 2025，並展示 AI 相關記憶體技術，CEO 郭魯正表示，公司將於今年下半年開始量產第六代 HBM(HBM4)，從而引領專為客戶各種需求定製 (Customized) 的 HBM 產品市場，強調公司將以技術創新，為 AI 時代提供新的可能性，創造不可被替代的價值。
國際政經
韓國政府比預期提前三個月批准龍仁半導體科學園區，將大幅縮短建設時間，該園區可望成為為全球最大的半導體中心，強化韓國在全球半導體產業中的地位。據悉，龍仁半導體國家產業園區佔地 7.28 平方公里，相當於 1020 個足球場，規模之大是摩納哥的 3.6 倍。
歐亞股
受益於在 HBM 上的成功，SK 海力士第三季半導體業務的營業利潤率超越三星，如今三星另一個固有陣地 NAND，也面臨著被 SK 海力士超車的衝擊。三星一直是 NAND 市場的領頭羊，但最新數據指出，截止 2024 年第二季，三星在 NAND 市場的市佔率為 36.9%，SK 海力士 (包括 SK Hynix 和 Solidigm) 則從 2020 年的 11.7% 增長到 2024 年第二季的 22.5%。
國際政經
美國商務部周四 (19 日) 最終敲定，將向 SK 海力士提供最多 4.58 億美元的補貼和 5 億美元貸款，扶植該公司印第安納州建立的先進晶片封裝廠和人工智慧 (AI) 產品研究開發設施。據了解，這此商務部敲定的最終金額略高於 8 月宣布的初步協議，只要 SK 海力士的投資計畫達到談判基準，就可以拿到補貼資金。
台股新聞
記憶體大廠 SK 海力士今 (18) 日宣布，開發出適用於 AI 資料中心的高容量固態硬碟 (SSD) 產品 PS1012，為 61TB QLC 產品，並採用 PCIe Gen5 技術，數據傳送速率最高 32GT/s，順序讀取性能比 PCIe Gen4 適用產品提高一倍，並預計明年第三季再推出 122TB 的產品。
台股新聞
記憶體大廠 SK 海力士今年因供應 HBM 給輝達，獲利亮眼，今 (27) 日也公佈 2025 年至 2027 年間的股東回報政策和企業價值提升 (Value-up) 計劃，公司決定將累計自由現金流量 (Free Cash Flow) 的 50% 作為股東回報的現有原則，固定年度股利 (年度最低每股股息) 從每股 1200 韓元提高至每股 1500 韓元，上調 25%。
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記憶體大廠 SK 海力士今 (21) 日宣佈，開始量產全球最高的 321 層 1Tb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND Flash，計劃從明年上半年開始提供給客戶，以因應市場需求。SK 海力士表示，公司從 2023 年 6 月量產業界最高的上一代 238 層 NAND Flash 產品，並供應給市場，此次又率先推出超過 300 層的 NAND Flash，突破技術限制。
台股新聞
SK 海力士近日宣布正開發 16 層 HBM3e 產品，每顆 Cube 容量達 48GB，預計 2025 年上半年送樣，根據 TrendForce 最新研究，該產品的潛在應用包括 CSP 自行研發的 ASIC 和通用 GPU，可望進一步推升位元容量上限。
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〈輝達新晶片催速 HBM 商機〉輝達 GB200 需求火熱，先前 SK 海力士表示輝達要求將高頻寬記憶體晶片 HBM4 的供應提前 6 個月，目前最快將在 2025 年下半年向客戶供應 HBM4，先進的 HBM 產品已經確定是 AI 時代不可或缺的一環，台灣 HBM 大廠創意 (3443-TW) 先前已完成台積電 7 奈米及 5 奈米的 HBM3 控制器和實體層 IP，並通過台積電的先進製程技術和所有主流 HBM3 廠商的矽驗證，獲得多家高效能運算企業的採用。