隨著電動車市場需求升溫，除各半導體廠積極佈局第三代半導體材料外，鴻海(2317-TW)也加入搶攻碳化矽(SiC)功率元件商機；雖然產業鏈上下游整合，有助加速產品開發進程，但目前SiC元件量產最大困難，除成本高昂，上游原料取得不易、碳化矽晶圓製程難度高等，均是當前面臨的挑戰。近來隨著電動車與混合動力車發展，第三代半導體材料碳化矽(SiC)材料快速在電動車領域崛起，主要應用包括車載充電器、降壓轉換器與逆變器。特斯拉(Tesla)已在旗下Model3電動車的逆變器中，率先採用SiCMOSFET元件，降低傳導與開關損耗，ModelS、ModelX也同樣採用SiC功率電子元件，提升續航力；而Honda、Nissan也證實在電動車上使用SiC電子元件，分別可降低46%及50%能源損失。據研調機構YoleDéveloppement預估，2023年起，SiC功率半導體全年產值年增幅將超過4成，2025年SiC功率半導體產值更可達32億美元。然而，SiC功率電子元件性能與散熱表現雖然較佳，但受限成本過高，加上碳化矽是堅硬、易碎的非氧化物陶瓷材料，長晶時間長、包括切割、研磨及拋光等加工製程相對困難，製程複雜、技術門檻高，良率表現不如矽晶圓，成為上游材料放量生產卡關的關鍵因素，也使碳化矽目前在電動車領域滲透率仍不高。中美晶(5483-TW)榮譽董事長、同時也是朋程(8255-TW)及大同(2371-TW)董座盧明光就直言，目前6吋矽晶圓價格是20美元，6吋碳化矽則要1500美元，當碳化矽成本可降至750美元，車用SiCMOSFET就有機會普及，但預期時間至少要5年以上。除面臨成本與技術困難，製造碳化矽晶圓原料，多需從國外進口，但越來越多國家視碳化矽材料為戰略性資源，採取出口管制，對台廠原料取得造成很大壓力。從台廠材料端來看，矽晶圓大廠環球晶(6488-TW)GaNonSiC(碳化矽基氮化鎵)目前只做到4吋，SiC(碳化矽)產能則朝6吋積極佈局中。去年環球晶與交大合作成立化合物半導體研究中心，盼透過產學合作方式，加速SiC基板自主開發生產；母公司中美晶更成為宏捷科(8086-TW)第一大股東，朝下游晶圓代工領域佈局；且為確保長期穩定供貨來源，環球晶早在2019年就與上游供應商GTAT，簽碳化矽晶球長約。漢民集團為國內最早投入研發化合物半導體的廠商，漢磊(3707-TW)4吋SiC產線已批量生產，6吋產線也已建置完成，為首家擴增SiC產能的晶圓代工廠，且集團內也有磊晶廠嘉晶(3016-TW)資源挹注，相關車用電子元件開發及品質系統認證也相當順利，目前持續努力改善良率中，但相關產品對營運貢獻仍不顯著。鴻海日前也透過買下旺宏(2337-TW)6吋廠，宣示進軍SiC市場的決心，並認為雖然集團在半導體業投入遲了30年，但現在剛好是第三代半導體從4吋轉往6吋的契機，未來該6吋廠將定位為研發基地、試產線，屬於小量產規模，目前集團規劃2024年SiC相關月產能可達1.5萬片。
