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〈宏捷科展望〉第三代半導體最快2023年貢獻營運

鉅亨網記者劉韋廷 台北
宏捷科董事長祁幼銘。(鉅亨網資料照)
宏捷科董事長祁幼銘。(鉅亨網資料照)

第三代化合物半導體已成為全球戰略物資之一,砷化鎵晶圓代工廠宏捷科 (8086-TW) 也積極布局著墨,主要以 GaN on SiC 為主,去年引入中美晶 (5483-TW) 集團資源加速開發,不過今年以來產能吃緊,宏捷科預期,第三代化合物半導體 2023 年開始對營運有貢獻。

宏捷科原預期,第三代化合物半導體最快 2022 年下半年可望有貢獻,但今年上半年產能滿載,雖然新產能陸續開出,但開發進程上稍有遞延。

應用方面,宏捷科指出,以 GaN on SiC 產品為主,在應用功率上著重以小型基站、基地台設備為主,未來也不排除跨入衛星通訊領域市場。

為加速第三大化合物半導體開發,宏捷科去年辦理現增,引入中美晶持股約 22.53%,計畫透過與集團其他夥伴如環球晶 (6488-TW) 等合作,透過上下游材料供應互補,加速第三代化合物半導體開發進程。

觀察各代化合物半導體並無取代關係,第一代半導體是以矽 (Si) 為主,應用涵蓋運算、儲存、感測等,第二代則是砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等三五族,主要用於資料傳輸,近期話題火熱的第三代則以氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等具備高速、抗高溫高壓的化合物為主。

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