EUV
A股
中國半導體設備商北方華創(002371-CN) 近日公布最新研究成果，聲稱已開發出一種用於製造3D DRAM晶片的兩步驟蝕刻製程。若這項技術進一步應用於記憶體製造，可能有助中國記憶體大廠長鑫科技(688825-CN) 推進3D DRAM與垂直製造，破解極紫外（EUV）曝光機制裁限制。
美股雷達
艾司摩爾(ASML-US)極紫外光(EUV)微影機光學元件獨家供應商、德國蔡司集團(Zeiss Group)表示，中國在開發最先進晶片製造設備方面，大約落後15年。蔡司集團半導體事業負責人Frank Rohmund接受彭博電視訪問時表示，北京要開發出EUV微影機，大約還需要15年，這是「合理的推測」，不過他也坦言，中國在這方面的實際進展難以量化。
美股雷達
多家外媒報導，瑞銀最新研究指出，中國微影製程技術仍明顯落後艾司摩爾 (ASML)，未來10年內不太可能推出足以取代極紫外光 (EUV) 微影設備的產品。不過，中國在浸潤式深紫外光 (DUV) 微影設備上的進展較快，最快2至5年便可能具備大規模生產能力。
台股新聞
半導體先進封裝需求快速成長，也帶動相關載具商機升溫，家登(3680-TW)董事長邱銘乾今(31)日表示，公司早自2019年起布局先進封裝相關載具，目前客戶已遍及全球，隨著先進封裝持續放量，預期2026年至2028年相關產品營收占比將逐步提升，先進封裝業務可望維持雙位數成長。
大陸政經
荷蘭媒體NL Times 與 NU.nl 報導稱，美國政府擬施壓荷蘭，禁止ASML向中國銷售幾乎所有晶片製造設備，包括深紫外光（DUV）微影機。與此同時，中國加速推進微影設備國產化，上海宇量盛科技已於今年7月限量生產浸潤式DUV微影機。美方此舉主要目的在阻礙中國人工智慧（AI）、超級電腦及軍事科技發展。
美股雷達
特斯拉 (TSLA-US) 執行長馬斯克旗下傳出籌備中的晶圓廠計畫「TeraFab」，可能捨棄艾司摩爾 (ASML-US) 獨家壟斷的極紫外光（EUV）雷射誘發電漿（LPP）光源技術，改採自由電子雷射（FEL）路線產生曝光所需的短波長光源。若消息屬實，這將是半導體先進製程數十年來最核心的光源技術首度出現挑戰者，牽動的不只是艾司摩爾的市場地位，更可能改寫晶圓代工業長期倚賴單一供應商的產業結構。
歐亞股
德國蔡司集團(Zeiss)半導體製造技術事業部總裁Frank Rohmund近日表示，身為艾司摩爾EUV光學系統唯一供應商，蔡司具備充足且可彈性擴充的產能，足以消化雲端巨頭持續投入AI基建帶動的先進晶片需求，今年半導體事業料將顯著增長。蔡司上月底宣布，該公司在德國南部奧伯科亨(Oberkochen)總部新增約2.5萬平方公尺生產及配套空間，員工在8月遷入這個歷時四年完成的新空間，餘屋分階段交付。
美股雷達
針對外媒週二 (21 日) 稱將收購英特爾位於俄亥俄州龐大半導體園區的傳聞，SK 海力士今 (22) 日發布聲明明確否認，英特爾亦同步澄清目前沒有出售晶片廠的計畫。外媒在報導指出，這筆交易若成立，SK 海力士五年內在當地生產記憶體晶片，既能滿足美國政府對半導體本土生產的要求，也能為資金緊絀的英特爾代工業務提供財務紓困。
歐亞股
人工智慧 (AI) 浪潮持續席捲全球，也讓荷蘭半導體設備龍頭艾司摩爾 (ASML-US) 成為歐洲股市最大贏家。受惠於 AI 晶片需求持續升溫，公司第二季財報再度優於市場預期，今年股價已累計飆漲約 60%，市值逼近 7,000 億美元。隨著多家華爾街機構上調目標價，市場開始討論一個過去看似遙不可及的問題：艾司摩爾是否有機會成為歐洲首家市值突破 1 兆美元的企業？不過，分析師也提醒，要跨越兆美元門檻，除了 AI 投資熱潮必須延續之外，還得克服供應鏈、地緣政治及客戶資本支出等多重挑戰。
國際政經
人工智慧 (AI) 晶片熱潮持續推升全球半導體設備需求，也讓荷蘭半導體設備龍頭艾司摩爾 (ASML-US) 業績水漲船高。該公司日前不僅公布優於市場預期的財報，還二度上調全年財測。不過，相較於亮眼的獲利表現，市場更關注的是艾司摩爾正站在美中 AI 競爭的最前線，一方面仰賴中國這個重要市場，另一方面又必須配合美國日益收緊的出口管制，在商業利益與地緣政治之間維持微妙平衡。
歐亞股
艾司摩爾 (ASML-US) 周三 (15 日) 表示，公司在公布第二季財報時揭露的 2027 年與 2028 年產能擴張計畫，已將馬斯克 (Elon Musk) 規劃在美國德州興建的 Terafab 晶片製造設施需求納入考量，顯示這項雄心勃勃的半導體計畫可能成為全球最大晶片設備製造商未來的客戶之一。
美股雷達
南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SKHY-US) 於上週五（10 日）正式在美國那斯達克交易所掛牌上市，今年以來股價已狂飆 241.5%，市值站上 1 兆美元。但分析指出，對於尋求長線布局 AI 供應鏈的投資人而言，同屬那斯達克 100 指數成分股的荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾 (ASML-US) ，可能才是 2026 年下半年更值得買進的標的。
美股雷達
基於多項新興技術陸續崛起，全球尖端晶片的製造方式，最快可能在 2030 年前迎來重大變革。隨著人工智慧（AI）技術熱潮持續延燒，市場對尖端晶片的需求居高不下，然而全球先進晶片的供應，長期以來仍受限於少數幾家公司所掌握的關鍵技術與產能。根據《富比士》報導，雖然極紫外光（EUV）微影技術是目前業界製造最先進晶片的主流方案，但這並非是將微小電晶體「繪製」於矽晶圓上的唯一途徑。
台股新聞
家登 (3680-TW) 旗下家碩 (6953-TW) 今 (13) 日公布 6 月營收 1.47 億元，月增 38.88%，年增 27.62%，第二季營收 3.69 億元，季增 39.21%，年增 6.98%，累計上半年營收 6.35 億元，年成長 7.2%；受惠半導體先進製程需求強勁，以及機台設備出貨持續放量，家碩 6 月營收創下近半年高，預期第三季出貨持續增溫。
大陸政經
中國官方近日發布公告，正式宣布將對面向全球市場的氦氣供應實施出口限制措施。儘管業內評估認為，受限於中國在全球氦氣市場佔比有限，此舉不至於對全球晶圓代工產業造成災難性衝擊，但在 AI 熱潮推升晶片需求之際，無疑將使本已脆弱的全球半導體供應鏈進一步緊縮。
歐亞股
根據彭博行業研究 (BI) 最新調查，未來 12 個月中國企業採購 AI 晶片時，國產晶片在算力預算中佔比將從目前約 30% 攀升至 46%，這一數字意味著原本以輝達為主的採購結構出現顯著逆轉。專家指出，中國企業「預算搬家」除受國產化政策驅動外，更關鍵在於美國切斷輝達 H20 晶片供應，迫使中國企業將國產 AI 晶片從「備胎」升格為主力，但業界人士提醒，真正制約中國國產 AI 算力落地的並非 GPU，而是 HBM 供給缺口。
美股雷達
南韓記憶體大廠 SK 海力士週一 (6 日) 向美國證券交易委員會（SEC）提交修訂版招股書，確認將以代號「SKHY」於納斯達克掛牌上市。此次發行美國存託憑證（ADR），不僅是 SK 海力士拓展國際資本市場的重要一步，也被市場視為半導體設備與供應鏈的新一波利多，可望為近期低迷的設備產業注入新的成長動能。
美股雷達
美國半導體新創公司 xLight 正試圖撼動荷蘭艾司摩爾 (ASML-US)在極紫外光刻 (EUV) 光源領域的壟斷地位。這家 2021 年成立於加州的新創企業，計畫以粒子加速器驅動的自由電子雷射 (FEL) 取代艾司摩爾現行 EUV 微影機中所採用的雷射等離子體 (LPP) 錫滴光源，並訂下 2028 年前造出可接入量產環境原型機的目標。
美股雷達
荷蘭半導體觀察家 Marc Hijink 近日在《新鹿特丹報》撰文直言，中國半導體產業目前最難跨越的門檻，仍是先進微影設備，即艾司摩爾 (ASML-US) 的極紫外光（EUV）曝光機，這項技術至今仍無任何替代方案。根據報導，華為等中國企業正積極在晶片設計領域尋求技術突破，其中一項關鍵策略，是採用開源指令集架構 RISC-V，試圖繞開美國主導的 x86 架構與 ARM(ARM-US) 架構所受到的出口管制限制。
美股雷達
全球晶片設備龍頭、荷蘭艾司摩爾 (ASML-US) 週五（19 日）正面駁斥外電報導，強調公司從未將任何一台極紫外光（EUV）曝光機出貨至中國。此前有報導指出，美國官員擔心該公司最先進的設備之一可能已經流入中國。根據《路透》報導，艾司摩爾透過電子郵件回覆《路透》的聲明中表示：「艾司摩爾從未向中國運送過 EUV 曝光機，也未曾向中國出貨任何專為 EUV 曝光機設計的零件、模組或設備。