HBM
人工智慧（AI）基礎建設持續擴張，正在將記憶體產業推向新一輪供需緊張週期。2026年FMS大會釋出的數據顯示，DRAM、企業級SSD、HDD等多種記憶體產品價格同步走高，而供應端受限於擴產週期與過去產能過剩的經驗，短期內難以快速跟上需求。從目前產業訊號來看，這波記憶體價格上漲可能不只是傳統景氣循環的短期反彈，AI對資料處理、記憶體與傳輸需求的快速增加，正逐漸改變記憶體市場原有的供需結構。
2026年「未來記憶體與儲存大會」（FMS 2026）近日落幕，從SK海力士(000660KS) 、SanDisk (SNDKV-US) 、鎧俠（Kioxia）、邁威爾科技(MRVL-US) 、微晶片科技(MCHP-US) 、美光科技(MU-US) 到瑞薩電子（Renesas），記憶體與儲存產業主要業者幾乎悉數亮相。
工業富聯最新半年報寫下驚人數字，今年上半年營收5578.61 億元(人民幣，下同)，年增54.64%，歸母淨利237億元，相當於日均淨賺1.31億元，AI伺服器營收年增 2.3 倍，GPU AI機櫃出貨年增3.2 倍，但毛利率7.15%、淨利率僅4.26%。
不用盯盤也能感受到這波記憶體漲價潮，因PC、筆電、SSD標價集體跳漲，早已把成本轉嫁到消費端。最新數據顯示，DDR5 均價較一年前暴衝400%–500%，容量越大漲越兇，128GB DDR5套件現價已是歷史低點的十倍。美國科技媒體《Tom's Hardware》報導， 為壓低裝機預算，部分用戶回頭抱LGA1700、AM4等支援DDR4的舊平台，盼DDR4 價格撐住，但DDR4也難獨善其身，均價較一年前漲約150%–200%，NAND顆粒同步翻倍，SSD價格同樣以倍數上揚，整機裝機成本遠高於去年同期。
隨著人工智慧(AI)技術的突破，美國銀行認為， AI 可能已經打破了記憶體「繁榮—蕭條」循環，並預測美光科技(MU-US)的獲利將迎來長期且巨大的增長。在 2026 財年第三季，美光展現了前所未有的財務數據，單季營收達 414.6 億美元，毛利率從去年同期的 38% 飆升至 85%。
南韓記憶體雙雄三星電子與SK海力士近期遭多家本土券商下修目標價，市場對「記憶體晶片週期是否已過頂」判斷出現明顯分歧。未來證券以「週期頂峰可能早於預期」為由，將三星股價目標價從39萬韓元砍至35萬，未來資產證券亦從55萬降至37萬，信韓投資從59萬降至45萬，三星證券從50萬降至40萬，唯獨KB證券堅持「供給短缺至少再持續3年」，維持60萬韓元目標價不動。
美股雷達
記憶體市場正出現一項出人意料的變化。瑞銀（UBS）最新研究指出，對美光科技(MU-US) 等記憶體業者而言，隨著產能持續受到擠壓，通用DRAM的獲利能力反而可能優於高頻寬記憶體（HBM），且兩者的毛利率差距未來幾年可能進一步擴大。根據瑞銀數據，美光通用DRAM毛利率2025年約為44%，之後逐步升至50%，進入2026年初更大幅攀升至80%。
南韓SK集團會長近日接受《CNBC》專訪時就7200億美元擴產賭注、與黃仁勳私交、HBM供應瓶頸、美國建廠壓力與AI 對人類社會的深遠影響進行深度討論，這位掌管逾百家子公司的南韓財閥掌門人罕見地坦承：「2027年可能是記憶體短缺最嚴重一年，所有人都想要更多晶片，但我們給不出來。
南韓記憶體晶片製造商三星電子今(14)日宣布，已延攬兩名AI與資料工程領域頂尖學者專家來強化半導體事業的AI研發能量。新任陣容中，首爾國立大學Han Bo-hyung教授在深度學習與視覺AI領域具指標地位，將主導開發專供半導體研發使用的AI模型；資料工程專家Hahn Tai-rin則負責建置可供AI系統直接讀取、具備AI相容性的高品質資料架構。
南韓綜合股指(KOSPI)週四(13日)盤中一度漲超4%，自7月30日低點5593.56點起算反彈約22%–23%，越過國際市場通用的「從低點回升20%」技術性牛市分界線，正式爬回牛市區間。上月暴跌仍記憶猶新，KOSPI單月重挫22%，創全球金融危機以來最差月度表現；槓桿ETF與單股槓桿部位連鎖強制平倉，超過120萬個帳戶觸發追繳令、30多萬散戶被全額平倉，交易所年內觸發熔斷9次。
全球高頻寬記憶體(HBM)龍頭SK海力士(SKHY-US)正投入7,200億美元，在南韓打造號稱全球規模最大的記憶體晶片生產網路，押注人工智慧(AI)需求將長期延續。即使南韓地形多山、大型工程難度甚高，公司仍決定大舉擴產，反映AI熱潮正改寫記憶體產業的供需與景氣循環。
南韓記憶體巨擘SK海力士將在美東時間8月27日於印第安那州舉辦先進封裝廠動工儀式，SK集團會長崔泰源、輝達執行長黃仁勳均被列入邀請名單，市場高度關注兩人是否同台釋出「美國產能再加碼」信號。黃仁勳若出席，焦點在HBM4供應綁定。目前，SK海力士佔全球HBM份額約50%，是輝達Blackwell/Rubin算力棧的關鍵瓶頸供應商，在美設立封裝基地可縮短交期、規避出口與關稅變數。
美股雷達
人工智慧(AI)晶片商Cerebras Systems(CBRS-US)公布5月首次公開發行(IPO)上市後公布的第二份財報，雖然上修全年財測，但因上季營收不如市場預期，周三(12日)盤後股價應聲暴跌16%。財測關鍵數字 vs 分析師預期Q3核心營收：2.14-2.16億美元全年核心營收：8.80-8.90億美元，原先預估8.55-8.65億美元調整後毛利率：41-43%，原先預估38-41% vs 35.89%Cerebras表示，剩餘履約義務(revenue remaining performance obligations)達254億美元，該公司表示，這代表「未來需求極為強勁」。
輝達 (NVDA-US) 新平台傳出規格縮水，市場一度解讀為需求降溫訊號，但摩根大通 (JPM-US) 最新報告反駁此說法，認為這其實是供應吃緊下的權宜之計，記憶體大廠仍將迎來史上最長的一波上升循環。近期全球記憶體類股歷經明顯拉回，加上輝達下一代 AI 平台陸續傳出 HBM 高頻寬記憶體、SOCAMM 模組等規格下修的消息，讓不少投資人開始懷疑這波記憶體多頭是否已經見頂。
歐亞股
全球高頻寬記憶體（HBM）龍頭之爭升溫。SK 海力士 (000660KS) 正因獎金與薪酬方案陷入勞資僵局，HBM4 擴產恐面臨變數；三星電子 (005930KS) 則加速追趕，HBM4 良率已突破 80%「黃金良率」。瑞銀預估，三星 2027 年 HBM 位元出貨市占率可望升至 41%，微幅超越 SK 海力士的 39%，全球 HBM 市場龍頭寶座可能易主。
國際政經
最新數據顯示，今年上半年以美元計價的台灣、日本、南韓出口額數字顯示，南韓上半年出口額 4963 億美元、台灣 4166 億美元，雙雙首度超越日本的 3844 億美元。日本雖年增近一成，台韓卻都飆漲近五成，寫下東亞出口版圖的歷史性位移。綜合《CNBC》與《日本經濟新聞》等外媒報導，上述差距源頭在 AI 半導體「終端產品」的卡位。
AI 伺服器買盤瘋搶下，DRAM 與 NAND 快閃記憶體價格過去一年大幅飆漲，由三星、SK 海力士、美光壟斷的記憶體市場陷入嚴重缺貨，但隨著兩大韓廠最新季報揭露「漲價幅度不及預期」，市場開始擔心本輪超級週期是否已近獲利高點。數據顯示，SK 海力士今年第二季 DRAM 均價上季仍漲約 30%、NAND 漲 50%；三星 DRAM 漲幅超 40%、NAND 漲 60%，絕對數字驚人，卻雙雙落後華爾街預期。
美國股市上週五（7 日）出現一場罕見的類股對決。記憶體概念股全面走軟，光通訊供應鏈卻反向噴出，兩大陣營的表現差異之大，也讓一場「賣記憶體、買光通訊」的交易策略在週末投資圈掀起激辯。導火線是花旗證券分析師 Atif Malik 發布的最新報告。
歐亞股
南韓高頻寬記憶體（HBM）巨頭 SK 海力士 (000660KS) 傳出將啟動公司史上規模最大的股東回饋計畫。根據《韓國經濟》稍早披露的內容，SK 海力士內部正評估總額約 100 兆韓元（710 億美元）的股東回饋方案，其中包含約 40 兆韓元的庫藏股買回計畫。
美股雷達
AI 晶片巨頭輝達 (NVDA-US) 傳出正悄悄調整下一代旗艦晶片的設計藍圖。據了解，該公司近期針對新一代 Rubin Ultra GPU 測試多款「縮水版」配置，部分方案的高頻寬記憶體（HBM）容量已不如當初規劃，凸顯這波 AI 熱潮帶動的晶片需求，正反過來讓晶片大廠自己也陷入記憶體不夠用的窘境。