HBM4
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韓國《每日經濟新聞》報導，三星電子的第四代高頻寬記憶體（HBM4）在輝達 (NVDA-US) 下一代人工智慧加速器「Vera Rubin」的測試中獲得最高分，明年供應前景樂觀。報導引述消息人士指出，輝達相關團隊上週訪問三星，報告了 HBM4 系統級封裝（SiP）的測試進度。
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南韓券商 Kiwoon 最新研報引爆市場，三星今年營業利潤有望突破 90 兆韓元，最高上看 100 兆韓元 (約兆台幣)，此項預測得到多家機構背書，報告核心邏輯在於 AI 浪潮下記憶體晶片的史詩級漲價潮，以及技術突破的雙重加持。高頻寬記憶體 (HBM) 與 DRAM 的供需失衡構成利潤爆發式成長的基石。
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在雲端服務供應商 (CSP) 大舉採購 DRAM 與 NAND Flash 帶動下，全球記憶體市況自 8 月起急速升溫，引爆數十年罕見的記憶體大缺貨。業界普遍認為，明年上半年價格將持續走揚，下半年才有機會逐步趨緩，且整體價格將維持在高檔一段時間，而 3C 產品相關供應鏈明年成本壓力將會比今年感受更劇烈。
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南韓媒體 DealSite 周四 (27 日) 報導，三星與輝達的 HBM4 供應價格談判已進入最後階段。此前，SK 海力士已完成與輝達的 HBM4 供應價格談判。三星先前供應的 12 層堆疊的 HBM3E 單價相對較低，但對於 12 層堆疊的 HBM4，目標則是跟 SK 海力士持平，維持在 500 美元中段左右，相比之前的 HBM3E 供應價格增加超過 150%。
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韓媒 《BusinessKorea》報導，據業界消息，SK 海力士 (SK Hynix) 與 AI 巨頭輝達談判中佔上風，成功將 HBM4 價格上調超過 50%，並預期營業利益明年可能突破 70 兆韓元。此報導刊出後，SK 海力士亦給出官方回應，此消息為不實消息，公司對客戶相關事宜不予置評。
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南韓三星電子今 (31) 日表示，正跟美國 AI 晶片巨擘輝達(NVDA-US) 就下一代高頻寬記憶體 (HBM) 晶片供應展開密切磋商，進一步深化雙方在 AI 領域的合作。輝達此前也在慶州 APEC 執行長峰會期間意外宣布，將向包括三星在內的南韓企業提供最新 Blackwell GPU 晶片，引發行業關注。
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記憶體龍頭企業三星電子近日宣布，針對 12 層高頻寬記憶體 (HBM3E) 推出 30% 降價策略，意圖透過價格優勢爭奪市占率，此舉直接暴露三星因良率爬坡緩慢導致的競爭被動。三星 12 層 HBM3E 直至上月才通過輝達測試並啟動供貨，今年第 4 季出貨量料將僅有數萬片，顯著落後於 SK 海力士、美光等同業競爭對手。
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南韓三星電子近日首度對外公開展示自家 HBM4 記憶體模組，顯示這家南韓記憶體巨擘已為即將到來的高頻寬記憶體 (HBM) 競爭做好準備。就在上月，三星也已經向輝達等核心客戶交付 HBM4 樣品，運行速度提升至每秒 11Gbps，與美光規格持平，並打算在年內啟動量產，此舉也被業界視為三星在 HBM 領域收復失土的關鍵一步。
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綜合韓媒報導，三星電子的 12 層第五代高頻寬記憶體（HBM3E）產品，據傳已通過輝達 (NVDA-US) 品質測試，即將開始供貨，這代表該技術將成為輝答最強大人工智慧加速器的重要供應來源。消息人士透露，這項核准距離三星完成晶片開發已有 18 個月之久，期間的數次測試均未能滿足輝達苛刻的性能要求。
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研調機構 TrendForce 最新調查，因應超微 (AMD-US) 將於 2026 年推出 MI450 Helios 平台，輝達 (NVDA-US) 近期要求 Vera Rubin 伺服器機櫃的關鍵零組件供應商提高產品規格，包括 HBM4 的每腳位速度須調升至 10Gbps。
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SK 海力士今 (12) 日宣佈，已完成 HBM4 開發，並在全球首度構建 HBM4 量產體系，展現 AI 記憶體的領導地位。此次 HBM4 傳輸頻寬擴大一倍，能效也提升 40% 以上，有助 AI 性能最高提升 69%。SK 海力士說，新推出的 HBM4 採用 MR-MUF 技術和第五代 10 奈米級 (1b) DRAM 工藝，較前一代產品翻倍的 2048 條數據傳輸通道 (I/O)，頻寬擴大一倍，同時能效也提升 40% 以上，實現全球最高水準的數據處理速度和能效，運行速度高達 10Gbps(每秒 10 千兆比特) 以上，大幅超越 JEDEC 標準規定的 8Gbps(每秒 8 千兆比特)。
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南韓半導體大廠 SK 海力士今 (12) 日宣佈，已成功完成面向 AI 的超高性能記憶體新產品 HBM4 的開發，並在全球範圍內率先構建了量產體系。《ZDNET Korea》報導，SK 海力士表示：「公司成功開發將引領 AI 新時代的 HBM4，並基於此技術成果，在全球首次構建了 HBM4 量產體系。
南韓三星電子正加速建設位於平澤的第五家工廠，施工準備工作已啟動，工人們忙著搬運鋼結構並接受安全培訓，該工廠最快 10 月全面開工。此前，由於半導體業績不佳、記憶體訂單不足，三星電子調整設備投資時機，放慢了建設步伐，原本去年啟動的建設計畫推遲至今。
根據《路透》周一 (11 日) 報導，南韓 SK 海力士 (SK Hynix) 預測，專為人工智慧 (AI) 設計的高頻寬記憶體 (HBM) 市場，至 2030 年將以每年約 30% 的速度成長，儘管近期業界對價格壓力有所擔憂，公司對長期前景仍保持樂觀。
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雲端業者推動 AI 晶片自主研發，帶動高階 ASIC 設計需求快速擴散。從微軟 Maia 系列到 OpenAI 新案，顯示高單價晶片外包成新常態，創意、世芯 - KY 等台廠具先進製程整合優勢，正迎接 IP 設計服務長線成長週期。〈微軟 Maia300 啟動 IP 服務需求，2 奈米 + HBM4 為關鍵轉折〉微軟最新一代 AI 加速晶片 Maia300 由 Marvell 主導設計，技術路線自原先的 3 奈米與 HBM3E 升級為 2 奈米與 HBM4，預計 2026 年第四季量產，年產能規模達 120 至 150 萬顆，單價上看 8000 美元，為 AWS Trainium 的五倍。
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SK 海力士 (KR-000660) 今 (24) 日公佈第二季財報，第二季營收 22.232 兆韓元，營業利益為 9.2129 兆韓元，淨利 6.9962 兆韓元，營益率 41%，淨利率 31%；受惠高頻寬記憶體 (HBM) 出貨暢旺，SK 海力士第二季營收、營業利益雙雙超越去年第四季水準，創下歷史新高。
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外媒 Wccftech 報導，SK 海力士近期已將下一代 HBM4 產品送樣給輝達 (NVDA-US) 進行測試，用於下世代的 Rubin 系列，成為首家送樣 HBM4 的業者，維持市場領先地位。輝達 Rubin 系列採用台積電三奈米 N3P 製程，並以 CoWoS-L 技術將其與 HBM4 進行整合，預計 2026 年初量產，隨著產品將在本月完成設計定案，並開始進行測試，SK 海力士也積極與輝達配合。
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美光 (MU-US) 今 (12) 日宣布，已將 12 層堆疊 36GB HBM4 送樣給多家主要客戶，也是繼 SK 海力士第二家宣布出貨 HBM4 的業者，顯現雙方技術差距步逐步拉近，美光 HBM4 預計將於 2026 年量產，以配合客戶下一代 AI 平台的擴產進度。
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SK 海力士執行長郭魯正最新示警，全球貿易緊張局勢加劇恐讓下半年市場更加波動，即使該半導體巨頭仍維持與其內部預測一致的穩健表現。郭魯正周二 (10 日) 在公司員工大會上發表談話時表示，未來存在不確定性，並提到美國等國擴大關稅政策對半導體產業的潛在影響。
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南韓記憶體大廠 SK 海力士周四 (20 日) 宣佈已向客戶提供 12 層 HBM4 樣品，預計今年下半年完成量產準備，這標誌著 HBM4 技術的競賽正式進入新階段，三星與美光也纷纷展示自己的 HBM 發展規則，包括 HBM4、HBM4e。SK 海力士說，HBM4 是全球首發用於 AI 計算的記憶體，每秒能處理 2TB 數據，容量為 36GB，採用該公司最先進 MR-MUF 技術製造。