HBM4
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美光股價週四 (12 日) 續升向上，主因市場再度出現記憶體價格大幅上漲的最新訊號。聯想集團 (0992-HK) 表示，上季記憶體價格暴漲 40% 至 50%，本季合約價甚至可能翻倍，並預期全球供應吃緊，記憶體荒將延續全年，帶動投資人對記憶體產業景氣的樂觀情緒升溫。
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全球記憶體大廠三星今 (12) 日宣布，正式量產 HBM4 產品，並完成業界首次出貨，預期今年 HBM 業績將較 2025 年增長超過 3 倍，並積極擴大 HBM4 的產能，並預計於 2026 年下半年開始出貨 HBM4E 樣品，並將依客戶各別的規格需求，於 2027 年開始提供客戶客製化 HBM 樣品。
歐亞股
三星電子週四 (12 日) 宣布，已開始向某不具名客戶正式商用出貨其最新一代 HBM4 記憶體晶片。此舉象徵三星在競爭白熱化的 AI 記憶體市場中，已取得關鍵的策略領先。目前市場對輝達繪圖晶片的需求呈現爆發式成長，而三星正傾力滿足這類頂尖 AI 加速器（用於模型訓練與運作）的硬體供給。
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美光 (MU-US) 周三 (12 日) 收盤大漲近 10%，高層表示近期疑慮，表示 HBM4 晶片已經進入高量產階段，而且已向客戶出貨，比去年 12 月所估的時間表提早了一季。美光財務長 Mark Murphy 表示，有關高頻寬記憶體 (HBM) 的報導不正確，他說：「我們已經進入 HBM4 的高產量生產階段，也已開始向客戶出貨 HBM4，並看到本季 (第 1 季) 出貨量順利拉升。
隨著 HBM4 正式進入驗證與量產階段，高頻寬記憶體（HBM）市場的動能正在轉向，業界焦點也逐漸回到韓國記憶體大廠身上。市場普遍認為，在新一代 HBM4 世代中，三星電子與 SK 海力士的能見度將明顯提升，反觀美光科技 (MU-US) 恐面臨市占下滑的壓力。
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《Marketwatch 報導，因市場擔憂競爭升溫，記憶體晶片大廠美光近期股價走弱，不過德銀 (Deutsche Bank) 仍看好 AI 帶動的記憶體榮景將推升公司獲利能力，並將目標價上調至 500 美元，代表相較週二收盤價仍有約 33% 上行空間。
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《韓國時報》報導，SK 集團（SK Group）會長崔泰源近期於美國會晤輝達 (NVDA-US) 執行長黃仁勳。雙方就高頻寬記憶體（HBM）供應體系及人工智慧業務範疇的全面合作，進行了深入探討。據悉，此次會面於本月初在加州一家炸雞店舉行。業界分析指出，雙方磋商重點聚焦於下一代高頻寬記憶體「HBM4」的供應計畫。
外電援引消息人士周一 (9 日) 報導指出，南韓 SK 集團會長崔泰源近日在美國加州一家炸雞店與輝達執行長黃仁勳舉行閉門會談，雙方重點圍繞 HBM4 供應及 AI 業務合作展開磋商。消息人士透露，雙方會面在本月初進行，核心議題包括 HBM4 在輝達新一代 AI 加速器 Vera Rubin 中的應用規劃。
根據產業研究機構 SemiAnalysis 最新報告，輝達 (NVDA-US) 下一代 AI 晶片平台 Vera Rubin 的 HBM4 記憶體供應格局將發生重大變化，美光科技 (MU-US) 因技術路線選擇失誤，預計將完全錯失首年量產訂單，競爭對手 SK 海力士與三星電子則將包攬全部市場份額，形成韓廠壟斷格局。
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三星即將啟動第六代高頻寬記憶體（HBM4）量產，最快這周就會正式進入大規模生產階段。這款先進記憶體晶片已通過輝達的嚴格認證，未來將導入新一代 人工智慧（AI）加速器，進一步鞏固三星在高階半導體市場的關鍵地位。根據產業消息與南韓《聯合新聞通訊社》報導，三星此次 HBM4 的量產時程，明顯配合輝達即將推出的下一代 AI 加速器平台「Vera Rubin」。
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南韓三星電子將於春節假期後率先啟動全球首次 HBM4 大規模量產，並於 2 月第三周向輝達交付首批產品，此舉代表三星在 AI 記憶體領域上實現關鍵突破，試圖扭轉上一代產品 HBM3E 的市場劣勢，重塑高階記憶體競爭格局。三星 HBM4 在性能上實現跨越式升級。
科技
《韓聯社》周三引述消息人士報導，SK 海力士已獲得美國科技巨頭輝達超過三分之二的高頻寬記憶體 (HBM) 供應訂單，這些訂單將用於今年生產的 Vera Rubin 平台。消息人士透露，輝達已將用於 Vera Rubin 的 HBM4 需求的約 70% 訂單分配給 SK 海力士，高於市場此前預估的約 50%。
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三星電子在高頻寬記憶體 (HBM) 領域最新進展，正牽動相關族群股價表現，美光 (MU-US) 股價週一 (26 日) 走弱近 3%。三星自去年 9 月向輝達提供首批 HBM4 樣品後，雙方合作進度持續推進，多家外媒週一報導，三星電子已進入輝達最新一代 HBM4 晶片的最終認證階段。
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路透社引述消息人士報導，三星電子計劃 2 月開始生產下一代高頻寬記憶體（HBM）晶片 HBM4，並向輝達 (NVDA-US) 供貨。三星一直積極追趕競爭對手 SK 海力士。SK 海力士是先進記憶體晶片的主要供應商，而這類晶片對輝達的 AI 加速器至關重要。
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知情人士透露，三星計畫最快於下個月開始量產次世代高頻寬記憶體（HBM）晶片 HBM4，並供應給輝達 (NVDA-US) 。根據《路透》報導，過去一年，由於供應延宕影響營收與股價表現，三星在人工智慧（AI）用高階記憶體市場一直在試圖追趕其競爭對手 SK 海力士。
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輝達 (NVDA-US) 推出下一代 Rubin）平台，其對高頻寬記憶體（HBM）的極致需求，徹底點燃了記憶體大廠間的戰火。由於輝達將傳輸速度規格提升至 11 Gbps 以上，全球三大記憶體巨頭：SK 海力士、三星電子與美光科技 (MU-US) 目前正緊鑼密鼓地修改 HBM4 設計並重新提交樣品。
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研調機構 TrendForce 最新調查，輝達 (NVDA-US) 先前因更改 HBM4 的速度規格，導致三大 HBM 業者更改設計，加上自家 Blackwell 需求優預期，Rubin 平台順勢調整，導致 HBM4 放量時程延後，預期最快 2026 年第一季底進入量產。
科技
全球最大記憶體製造商三星電子今 (8) 日公布去年第四季初步財報，受 AI 熱潮推動記憶體價格上漲影響，當季營業利潤年增 208% 至 20 兆韓元(約 138.2 億美元)，不僅刷新單季獲利歷史紀錄，更超出市場預期的 18 兆韓元。三星此次業績亮眼的核心動力來自於記憶體市場的供需失衡。
科技
輝達 (NVDA-US) 周一 (5 日) 在 CES 2026 大展上宣布，下一代 Rubin AI 晶片已全面投入生產，並打算今年下半年正式上市。這次發布的最大亮點在於，Rubin GPU 將成為業界首款整合 HBM4 高頻寬記憶體的處理器，標誌著 AI 運算基礎設施邁入新的技術階段。
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三星電子計畫 8 日公布財報，預估第 4 季營業利益將激增 160%，此成長動能主要受惠於晶片嚴重短缺，導致記憶體價格大幅飆升，同時也反映出客戶為因應蓬勃的 AI 需求，正積極爭相拉貨。《路透》報導，近幾個月以來，半導體價格強勢噴出，受產業轉向 AI 晶片影響，傳統記憶體產能遭到排擠，然而市場對訓練與運行 AI 模型所需的傳統及先進晶片需求同步暴漲，供需失衡加劇。